半导体元件钝化方法技术

一种半导体元件的钝化方法，至少包含：　　　　将一半导体元件置于一反应室之中，且该半导体元件具有一第一型晶体管及一第二型晶体管；　　　　将一第一钝化气体及一第二钝化气体通入该反应室之中；以及　　　　加热该半导体元件，直到足以对该半导体元件产生钝化为止。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件钝化(passivating)方法，其功能用以修补工艺前期于半导体元件中所产生的缺陷。
技术介绍
在半导体元件(例如互补式金属氧化物半导体(CMOS))中使用硅广为人知。半导体元件一般将P信道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管与N信道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管经由多个步骤而形成于同一基板上，这些步骤可能包含溅镀沉积、光刻、湿式蚀刻、等离子体蚀刻、化学气相沉积、等离子体辅助化学气相沉积、离子注入以及用以活化及驱动注入离子的退火(annealing)步骤。这些工艺步骤中有的会于半导体元件中产生缺陷。例如等离子体蚀刻会造成硅悬空键(silicon dangling bond)，而此硅悬空键会进一步导致电子迁移率(electron mobility)下降，使得半导体元件效能降低，且离子注入也可能会对硅晶体结构造成损伤。近来已研发出一种高压退火(high pressure annealing)工艺来减少硅断键所造成的问题。在高压退火工艺中，半导体元件一般以单一高压气体(例如氢或氨)处理。一般认为当氢与硅的断键(broken bonds)形成键结时，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡耀铭，张世昌，邓德华，王士宾，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：