【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体组件的制造方法，且特别涉及一种动态随机存取存储单元(DRAM cell)及其制造方法。
技术介绍
电容器是存储单元借以储存信息的重要部位，如果电容器所储存的电荷愈多，则在读取数据时受噪声的影响将大大的降低。要增加电容器储存电荷能力的方法有很多种，例如是增加电容器的面积，使整个储存于电容器内的电荷数量增加。而找寻新的储存电容器结构及其制造方法，以便于在储存电容器所占的面积缩小的情况下，仍维持所需的电容值将是目前组件集成度不断增加下所欲达到的目标之一。目前有一种称为“深沟槽式电容器(deep trench capacitor)”被广泛应用于存储元件中，图1所示是现有技术的一种具有深沟槽式电容器的动态随机存取存储单元的剖面示意图。请参照图1，现有技术的动态随机存取存储单元包括一深沟槽式电容器140与一晶体管150。深沟槽式电容器140位于一基底100中，且此深沟槽式电容器140包括位于一深沟槽110中作为上电极的多晶硅层106a、106b与106c、位于深沟槽110周围基底100中作为下电极的埋入电极区102以及上下电极间的电容介电层(cap...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种沟槽式电容器的制造方法，包括于一基底中形成一沟槽；于该沟槽表面形成一第一电容介电层；于该沟槽内形成一导电层；于该基底表面及该导电层上形成一第二电容介电层，其中该第一电容介电层与该第二电容介电层周围的该基底作为一下电极；于该基底上形成一凸出电极，该凸出电极位于该沟槽周缘的该基底上并覆盖该沟槽与该基底的交界处；以及将该凸出电极与该导电层电连接，其中该导电层以及该凸出电极作为一上电极。2.如权利要求1所述的沟槽式电容器的制造方法，其中将该凸出电极与该导电层电连接的步骤包括于该基底上形成一内层介电层覆盖该凸出电极；于该内层介电层中形成一接触窗开口，暴露出部分该凸出电极与该导电层；以及于该接触窗开口中形成一导电结构。3.一种动态随机存取存储单元的制造方法，包括于一基底中形成一沟槽；于该沟槽表面形成一第一电容介电层；于该沟槽内形成一导电层；于该基底表面及该导电层上形成一第二电容介电层，其中该第一电容介电层与该第二电容介电层周围的该基底作为一电容器的下电极；于该基底上形成一凸出电极以及一栅极，其中该凸出电极位于该沟槽周缘的该基底上并覆盖该沟槽与该基底的交界处；于该栅极侧面的该基底中形成多个源/漏极；以及将该凸出电极与该导电层电连接，其中该导电层以及该凸出电极作为该电容器的上电极。4.如权利要求3所述的动态随机存取存储单元的制造方法，其中将该凸出电极与该导电层电连接的步骤包括于该基底上形成一内层介电层覆盖该凸出电极；于该内层介电层中形成一接触窗开口，暴露出部分该凸出电极与该导电层；以及于该接触窗开口中形成一导电结构。5.如权利要求3所述的动态随机存取存储单元的制造方法，其中于该基底上形成该凸出电极以及该栅极之后，还包括于该凸出电极以及该栅极侧壁形成多个间隙壁。6.如权利要求3所述的动态随机存取存储单元的制造方法，其中于该栅极侧面的该基底中形成该些源/漏极之后，还包括于该凸出电极与该栅极暴露出的表面上形成一自行对准硅化金属层。7.一种沟槽式电容器，包括一基底，该基底中具有一沟槽；一导电层，填满该沟槽且延伸至该沟槽周缘的该基底上；以及一电容介电层，位于该沟槽表面与该导电层之间以及该导电层与该基底之间，其中该导电层作为一上电极，而该电容介电层周围的该基底作为一下电极。8.如权利要求7所述的沟槽式电容器，其中该电容介电层包括一第一部位，位于该沟槽表面与该导电层之间；以及一第二部位，位于该导电层与该基底之间。9.如权利要求8所述的沟槽式电容器，其中该第一部位与该第二部位的材质相同。10.如权利要求8所述的沟槽式电容器，其中该第一部位与该第二部位的材质不同。11.如权利要求7所述的沟槽式电容器，其中该电容介电层包括氧化层、氧化硅/氮化硅/氧化硅堆栈层(ONO)和氮化硅/氧化硅堆栈层(NO)。12.如权利要求7所述的沟槽式电容器，其中该导电层的材质包括掺杂多晶硅。13.一种沟槽式电容器，包括一基底，该基底中具有一沟槽；一导电层，位于该沟槽内；一第一电容介电层，位于该沟槽表面与该导电层之间；一凸出电极，位于该沟槽周缘的该基底上并覆盖该沟槽与该基底的交界处；一第二电容介电层，位于该凸出电极与该基底之间，其中该第一电容介电层与该第二电容介电层周围的该基底作为下电极；以及一导电结构，将该凸出电极与该导电层电连接，其中该导电层、该凸出电极以及该导电结构作...
【专利技术属性】
技术研发人员：林永昌，梁佳文，王泉富，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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