半导体的清洗方法技术

一种半导体的清洗方法，该清洗方法系适用于一闪存之一闸间介电层形成之后，该清洗方法包括：　　　　提供一半导体晶圆；　　　　于该半导体晶圆上形成一第一氧化硅层；　　　　于该第一氧化硅层上形成一浮置闸极层；　　　　于该浮置闸极层上形成一第二氧化硅层；　　　　蚀刻该第一氧化硅层、该浮置闸极层与该第二氧化硅层，以形成一闸极结构，其中该第二氧化硅层系作为该闸间介电层之用；　　　　使用一含有臭氧（Ｏｚｏｎａｔｅｄ）之去离子水（Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ，ＤＩ）清洗包含有该闸极结构之该半导体晶圆；　　　　更包括使用一第一清洗液清洗已经过该含有臭氧的去离子水清洗的该半导体晶圆；以及　　　　使用一第二清洗液清洗已经过该第一清洗液清洗的该半导体晶圆。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种硅晶圆的清洗方法，且特别是有关于一种使用含有臭氧的去离子水来清洗晶圆的方法。
技术介绍
在半导体制程中，高分子、光阻或是不可溶的有机物等污染物可能会存在并且堆积于半导体晶圆上，如此将不利于半导体组件的操作。第1图是绘示一个半导体组件的剖面示意图，且在制程过程中此半导体组件上系堆积有污染物。请参照第1图，半导体组件100包括半导体基底102以及一个快闪记忆胞(未绘示)的闸极结构(未标号)，此闸极结构包括穿隧氧化层104、浮置闸极106与介电层108。其中，浮置闸极106的材质包括多晶硅或是氮化硅，介电层108的材质包括氧化硅或是已知由氧化硅/氮化硅/氧化硅所构成的多层结构。在进行半导体组件100的制程中，一些污染物110可能会残留于快闪记忆胞的闸极结构的侧壁上，这些污染物例如是有机残留物或是金属离子。其中，有机残留物可能在光阻进行蚀刻、涂布(Coating)以及显影的过程中产生，而金属离子可能在蚀刻或是离子植入的过程中产生。因此，为了获得具有较好的效能表现(High-Performance)以及高可靠度(High-Reliability)的快闪记体，所以必须将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的清洗方法，该清洗方法系适用于一闪存之一闸间介电层形成之后，该清洗方法包括提供一半导体晶圆；于该半导体晶圆上形成一第一氧化硅层；于该第一氧化硅层上形成一浮置闸极层；于该浮置闸极层上形成一第二氧化硅层；蚀刻该第一氧化硅层、该浮置闸极层与该第二氧化硅层，以形成一闸极结构，其中该第二氧化硅层系作为该闸间介电层之用；使用一含有臭氧(Ozonated)之去离子水(De-Ionized，DI)清洗包含有该闸极结构之该半导体晶圆；更包括使用一第一清洗液清洗已经过该含有臭氧的去离子水清洗的该半导体晶圆；以及使用一第二清洗液清洗已经过该第一清洗液清洗的该半导体晶圆。2.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中该半导体晶圆的材质包括硅。3.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中该浮置闸极的材质包括多晶硅。4.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中该浮置闸极的材质包括氮化硅。5.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中该半导体晶圆上已形成有至少一组件。6.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中在先前之至少一制程步骤中，该半导体晶圆上已堆积有多数种污染物。7.如权利要求6所述的半导体的清洗方法，其中该些污染物包括高分子。8.如权利要求7所述的半导体的清洗方法，其中该高分子包括光阻。9.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中该第一清洗液包括一水(H2O)/过氧化氢(H2O2)/氨水(NH4OH)之混合液，且水、过氧化氢与氨水的混合比例系为4～80∶1～5∶1。10.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中该第一清洗液包括一水(H2O)/过氧化氢(H2O2)/盐酸(HCl)之混合液，且水、过氧化氢与盐酸的混合比例系为4～80∶1～5∶1。11.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中该第一清洗液包括依序使用一水/过氧化氢/氨水之混合液，以及一水/过氧化氢/盐酸之混合液，其中水、过氧化氢与氨水的混合比例系为4～80∶1～5∶1，且水、过氧化氢与盐酸的混合比例系为4～80∶1～5∶1。12.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其中该第一清洗液包括一氢氟酸(HF)/盐酸(HCl)之...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄致远，陈政顺，杨令武，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：