一种多重闸极记忆胞，此多重闸极记忆胞包括一与半导体主体上多数个串联排列的闸极。半导体主体上的电荷储存结构包括二个电荷捕捉区域，此二个电荷捕捉区域位于多数个闸极中全部或一些闸极的每一个下方。还包括传导源极偏压与汲极偏压至靠近闸极列中第一闸...

本发明是有关于一种电荷捕捉非易失性存储器及其逐个栅极擦除的方法。该存储器包括半导体主体、多数个栅极，这些栅极串联排列在半导体主体上。在半导体主体上的电荷存储结构包括位于多数个栅极中的栅极下方的电荷捕捉区域。第一回路系统，用以传导源极偏压...

一种记忆胞，包括一硫属化物随机存取记忆胞以及一互补式金氧半导体晶体管电路。互补式金氧半导体晶体管电路用以存取硫属化物随机存取记忆胞。此硫属化物随机存取记忆胞具有一横截面区域，此横截面区域由一薄膜制程，及一等向性蚀刻制程所定义。可根据需要...

一种横向双扩散金属氧化物半导体ＬＤＭＯＳ元件及其加工方法。ＬＤＭＯＳ元件具有基底，基底中形成有源极区与漏极区。在源极与漏极区之间的一部分基底上提供了一个绝缘层，以便在绝缘层与基底表面之间提供一个平面介面。然后在绝缘层的一部分之上形成绝缘...

本文披露了半导体结构与其形成方法。此方法包括下列步骤：提供初始半导体结构；于初始半导体结构上形成一层非硅层，此非硅层在波长小于约３００ｎｍ时，具有大于０的消光系数；以及进行一个以等离子体为基础的工艺，于非硅层上形成一层膜层，此非硅层预防...

本发明公开了一种制造内层多晶硅介电层的方法，经由形成一覆盖在一存储器胞元的浮动栅极及一非位于该浮动栅极上的氧化物成长区域上的氧化物－氮化物介电层而制造的浮动栅极存储器胞元，使用一遮罩保护在浮动栅极上的氮化层以去除在氧化物成长区域上的氮化...

本发明是关于一种定向辅助部件，可以将平版印刷图案从掩膜转印到集成电路上。该定向辅助部件不会呈现禁用间隔现象，这样为一孔图案提供一宽的照相平版处理窗。

本发明是有关于一种串接的电荷陷入记忆胞的操作装置与操作方法。该串接的记忆胞具有电荷陷入结构，并利用选择由字符线所选定的记忆胞部分，对串接的记忆胞进行读取。记忆胞是藉由打开串接的记忆胞一侧上的传递晶体管的其中之一所选定。所选定部分的电荷储...

本发明是关于一种蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法，该方法是提供一蚀刻氮化硅薄膜的设备，在此设备内具有一磷酸槽，且该磷酸槽盛装有磷酸液；接着控制注入磷酸液中的水的水温；最后将一表面已形成有一氮化硅薄膜的晶圆浸入上述设备的磷酸槽中，以进行氮化硅薄...

一种高密度电浆化学气相沉积制程，此沉积制程是先于晶圆上进行第一沉积步骤；然后，将晶圆旋转一角度；接着，进行第二沉积步骤，以完成薄膜的沉积。特别是，由上述制程所沉积的薄膜具有均匀的膜厚。

本发明是有关于一种电荷陷入记忆体元件及其程序化及抹除方法，首先在闸极上施加第一负电压，以达动态平衡状态（重置／抹除状态）。接着，在闸极上施加正电压，以程序化此记忆体元件。然后，在闸极上施加第二负电压，以使记忆体元件恢复到重置／抹除的状态...

本发明是关于一种记忆体元件的电荷储存结构的制造方法及记忆体元件。是一种制造电荷储存堆叠的方法，包含一底介电层、一位于底介电层上的电荷捕捉层以及一顶介电层，每层均具有氮氧化硅且是于至少含有百分之九十氢的同位素氘的反应气体中所形成。底介电层...

一种集成电路的制造方法，首先在基底上的第二材料层上形成一图案化第一材料层。接着，进行一转换工艺，此工艺会消耗第一材料层侧壁的材料，并会在侧壁上形成第三材料层，且侧壁上的第三材料层的宽度大于相对应的第一材料层在进行该转换工艺时所消耗的宽度...

一种用来制作半导体元件的光吸收层，其具有高的硅离子浓度。举例来说，半导体元件包括基底以及具有高含量硅的光吸收层，例如为含有至少６８％的硅浓度的氮氧化硅层与氧化硅层。而第二介电抗反射涂布层可以选择性地形成在具有高含量硅的光吸收层之上。

一种具有电荷捕捉结构的记忆胞，其电荷捕捉结构是以一层导电团的形式位于上绝缘层与下绝缘层间。这种记忆胞可经由不同方式建构并以相近于氮化物唯读记忆胞的方式操作。

一种储存器内核，包括一顶部电极与一底部电极与一起始开关材料，其中该起始开关材料配置于顶部电极和底部电极之间。该起始开关材料既可作为导向元件又可作为储存单元。堆叠这些储存器内核即可制造出三维储存器。

一种硫化物记忆胞的制造方法，其中在此记忆胞中的硫化物记忆体组件的截面区域是由下电极的厚度及字元线的宽度所控制。因此，藉由此方法可形成超小的硫化物记忆胞。

本发明是关于一种控制介电抗反射层特性的方法及介电抗反射层的制造方法。该控制介电抗反射层特性的方法，其特征在于形成此种介电抗反射层时，在含硅气体源与氧气体源所组成的反应气体中加入一含氮气体源，以控制介电抗反射层的ｎ值，并选择增加此含硅气体...

本发明提供一种虚拟接地ＮＲＯＭ　　ＥＥＰＲＯＭ阵列中ＮＲＯＭ存储单元的选择数据区域的擦除方法。此方法会擦除选择的数据区域而不会干扰未选择的数据区域的程式状态。

本发明是有关于一种记忆胞，包括了具有导线的基板。而导线则具有一接触端。在基板和导线上覆盖有绝缘层。在绝缘层中配置有一孔洞，其延伸至基板。一记忆材料刚刚好配置在孔洞内，并且电性连接至导线上的接触端。一导体层是位于孔洞内，并且配置覆盖在记忆...