高密度等离子化学气相沉积方法及改善膜厚均匀性的方法技术

一种高密度电浆化学气相沉积制程，此沉积制程是先于晶圆上进行第一沉积步骤；然后，将晶圆旋转一角度；接着，进行第二沉积步骤，以完成薄膜的沉积。特别是，由上述制程所沉积的薄膜具有均匀的膜厚。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体制程，且特别是有关于一种。
技术介绍
在半导体制程中，化学气相沉积制程(Chemical Vapor Deposition，CVD)是一种常用来形成薄膜的技术，其可以分为常压化学气相沉积制程(Atmospheric CVD，AP-CVD)、低压化学气相沉积制程(Low PressureCVD，LP-CVD)、电浆化学气相沉积制程(Plasma Enhanced CVD，PE-CVD)与高密度电浆化学气相沉积制程(High Density Plasma CVD，HDP-CVD)等。其中，利用高密度电浆化学气相沉积制程所沉积的薄膜在致密度、阻隔水份与平坦化的特性方面均优于利用其他的化学气相沉积制程所沉积的薄膜。而且，随着半导体制程技术的精进，元件尺寸愈来愈小，高密度电浆化学气相沉积制程由于具备比其他的化学气相沉积制程更好的填充间隙(Gap Fill)的能力，因此已成为近代次微米(Sub-Micro)半导体制程中重要的制程技术之一。高密度电浆化学气相沉积制程是于反应室中的沉积机台上进行，在薄膜沉积的过程中，反应所需的反应气体会由反应气体输出孔输出，并扩散至晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密度电浆化学气相沉积制程，其特征在于，包括：　　　　于一晶圆上进行一第一沉积步骤；　　　　　将该晶圆旋转一角度；以及　　　　进行一第二沉积步骤，以完成一薄膜的沉积，且所沉积的该薄膜具有均匀的膜厚；　　　　其中用于沉积该薄膜的一沉积机台具有ｎ个反应气体输出孔，且该第一沉积步骤与该第二沉积步骤是总共经历一时间间隔，而且在经历１／２的该时间间隔时，该晶圆所旋转的该角度为３６０／２ｎ度，且该ｎ为正整数。

【技术特征摘要】
1.一种高密度电浆化学气相沉积制程，其特征在于，包括于一晶圆上进行一第一沉积步骤；将该晶圆旋转一角度；以及进行一第二沉积步骤，以完成一薄膜的沉积，且所沉积的该薄膜具有均匀的膜厚；其中用于沉积该薄膜的一沉积机台具有n个反应气体输出孔，且该第一沉积步骤与该第二沉积步骤是总共经历一时间间隔，而且在经历1/2的该时间间隔时，该晶圆所旋转的该角度为360/2n度，且该n为正整数。2.如权利要求1所述的高密度电浆化学气相沉积制程，其特征在于，其中该沉积机台具有8个反应气体输出孔，且该角度为22.5度。3.如权利要求1所述的高密度电浆化学气相沉积制程，其特征在于，其中该第一沉积步骤与该第二沉积步骤为一次沉积循环，该沉积制程还包括重复进行一次以上的该沉积循环以形成该薄膜。4.如权利要求3所述的高密度电浆化学气相沉积制程，其特征在于，其中该沉积机台具有8个反应气体输出孔，且该角度为22.5度。5.一种高密度电浆化学气相沉积制程，其特征在于，包括于一晶圆上进行一第一沉积步骤；将该晶圆旋转一角度；以及进行一第二沉积步骤，以完成一薄膜的沉积，且所沉积的该薄膜具有均匀的膜厚；其中用于沉积该薄膜的一沉积机台具有n个反应气体输出孔，且该第一沉积步骤与该第二沉积步骤是总共经历一时间间隔，而且在经历1/m的该时间间隔时，该晶圆所旋转的该角度为360/(m×n)度，且该m与该n为正整数。6.如权利要求5所述的高密度电浆化学气相沉积制程，其特征在于，其中在1/2的该时间间隔时，将该晶圆旋转该角度。7.如权利要求6所述的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕前宏，苏金达，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]