一种非挥发性内存的制造方法，此方法是先在基底上形成数个堆栈栅极条状物，并且在这些堆栈栅极条状物两侧的基底中形成多数条源极／漏极区。然后，在源极／漏极区上形成数个介电条状物。接着，在这些堆栈栅极条状物与介电条状物上形成多数条字符线。之后，...

一种快闪存储单元制造方法，是在一氧化物／氮化物／氧化物（ＯＮＯ）介电层形成于位于一穿隧氧化层上的第一导电层上之后，一第二导电层直接形成此氧化物／氮化物／氧化物介电层上。然后，图案蚀刻第二导电层以形成一周边区域于一半导体基底的一曝露的部分...

一种记忆体元件，可连接于一保护电路以避免等离子方法所产生电荷招致的损坏，该记忆体元件所包含的一记忆体排列包括多个字线和多个二极管，该每一二极管连接于某一该字线和保护电路之间。

一种保护电路包含Ｐ型金属氧化半导体晶体管和二极管，使位于半导体装置或集成电路中的电浆－感应电荷放电。Ｐ型金属氧化半导体晶体管包含基底、汲极、源极和闸极，源极连接以接受电浆－感应电荷。二极管有与Ｐ型金属氧化半导体晶体管的基底相连的正极，以...

一电可擦除只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）单元，包含在电荷保持绝缘层的相对面上的第一和第二助栅极（ａｓｓｉｓｔ　　ｇａｔｅ）。在ＥＥＰＲＯＭ存储单元中的电流在反转层之间流动，该反转层是响应于向助栅极施加的偏压而产生的。此绝缘层可含有设置在沟道...

一种在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法。形成一第一硬遮罩于一半导体基底上，执行一热氧化步骤，以形成复数个区域场氧化物于此半导体基底被暴露的部分。移除第一硬遮罩，及形成一第二硬遮罩于此些区域场氧化物及此半导体基底上，执行一...

本发明是关于一种相变型多位准记忆胞及其操作方法，该相变型多位准记忆胞，包括半导体基底、闸极结构、二源／汲极区，以及分别与此二源／汲极区电性连接的二相变储存单元。其中，任一相变储存单元可程式化为电阻值相异的多个相态之一，且此二相变储存单元...

本发明为一种由清洗形成圆滑边角的浅沟渠隔离方法，包括沉积硬屏蔽层在覆盖有垫氧化层的硅基底上，图案化该硬屏蔽层及垫氧化层以形成开口而曝露该硅基底，蚀刻该曝露的硅基底以形成沟渠，为该沟渠形成内衬，填充绝缘物在该沟渠内，回蚀刻该绝缘物，去除该...

本发明是关于一种记忆胞，该记忆胞是由基底、穿隧介电层、电荷陷入层、闸间介电层以及金属闸极层所构成。其中，穿隧介电层是设置于基底上，其材质为氧化铝铪，电荷陷入层是设置于穿隧介电层上，闸间介电层是设置于电荷陷入层上，而金属闸极层则是设置于闸...

一种制造半导体组件的方法，包括（ａ）提供一基板，基板上具有一栅极结构，其中，栅极结构包括一栅极介电层、一浮置栅极、一硅间介电层，以及一控制栅极，栅极介电层是位于基板上，浮置栅极是位于栅极介电层上，硅间介电层是位于一第一多晶硅层上，而控制...

一种半导体元件工艺的方法，包含：在晶圆衬底上提供第一层，在该第一层上提供多晶硅层，在该多晶硅层内注入氮离子，在多晶硅层上形成金属硅化物层，以及形成源极／漏极区。

本发明是有关于一种记忆体元件以及增进其记忆保持力的方法以及其稳定方法，该用于稳定一个记忆体元件的方法，包括在记忆体元件的一个电荷捕捉层中捕捉多数个电荷。该电荷捕捉层位于一个晶体管控制闸极和一个晶体管通道区之间。该方法进一步包括施加一个负...

一种形成具有复合层的存储单元的方法被提出。此复合层具有一第一电极、覆盖此第一电极的一绝缘层与此覆盖此绝缘层的一第二电极。形成一侧壁空间，此侧壁空间包括一个具有第一电极与第二电极的可程序化阻抗材料。通过沉积覆盖在复合层侧壁上的可程序化阻抗...

本发明揭露了一种监测氧化物层沉积的方法。此方法利用具有氮化硅层的硅晶片取代空白硅晶片监测氧化物层于炉管中的沉积成长。此监测氧化物层沉积的方法包含以下步骤。首先提供具有氮化硅层的测试硅晶片以及制程晶片。接着将具有氮化硅层的测试硅晶片以及制...

一种横向双扩散金氧半导体元件及其制造方法。此方法包括下面步骤：（ａ）提供第一导电型的基底；（ｂ）于基底中形成第二导电型的井区，此井区具有极陡峭退后的井轮廓，在其中的掺杂浓度随着深度改变，而于井区的表面区域提供比位于井区的表面区域下面的区...

本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置...

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法与记忆体元件及其操作方法，该半导体元件包括一具有第一传导性型的一半导体基板。此半导体基板包括第一扩散区域、第二扩散区域以及通道区域。其中第一扩散区域具有第一传导性型，而第二扩散区域具有第一传导性型...

本发明是关于一种非挥发性内存数组的操作方法，包括透过测量选中记忆胞的体区域和选中记忆胞的连接区域之间的电流，读取一个具有电荷捕获结构串联起来的记忆胞数组。其中，电荷捕获结构的电荷储存态影响测量电流。

一种晶圆搬运装置，包括一第一承载部及一第二承载部。第一承载部具有一第一顶面及相对的一第一侧面及一第二侧面，第一侧面及第二侧面之间具有一第一宽度，第一侧面具有一法线。第二承载部系与第一承载部连接，并具有一第二顶面及相对的一第三侧面及一第四...

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。该非挥发性记忆体，其是由基底、金属闸极层、源极区与汲极区、穿隧介电层、电荷陷入层、阻挡介电层以及通道区所构成。金属闸极层设置在基底上。源极区与汲极区设置于金属闸极层两侧的基底中。穿隧介电层设...