本发明是有关于一种快闪记忆体及其制造方法。该快闪记忆体，是由基底、控制闸极、沟渠、源极区、隔离结构、汲极区、一共同源极线、浮置闸极、穿隧介电层与闸间介电层构成。控制闸极以第一方向排列于基底上，沟渠则以第二方向排列于基底表面。而源极区是在...

本发明是有关于一种动态调整记忆体芯片操作的方法与量测其ＯＮＯ层厚度的装置。该动态调整记忆体芯片操作的方法，先提供一记忆体芯片，其中记忆体芯片包括一ＯＮＯ层。然后，量测记忆体芯片的ＯＮＯ层的厚度，再依据ＯＮＯ层的厚度，调整记忆体芯片的读取...

本发明提供一种形成一辅助电荷记忆（ＡＣ内存）单元之方法。该方法使用一包括二侧电荷设陷层之二侧电荷陷阱记忆单元。一电荷系形成在该二侧电荷设陷层之至少一部份中。该二侧电荷设陷层中之一侧（ＡＣ侧）恒具有一固定高临限电压（Ｖｔ）位准，该电荷系用...

一种操作非挥发性记忆元件的方法。此记忆元件包括多个记忆单元。记忆单元具有ｎ型半导体基底，以及设置于基底表面下、且以通道区分隔的ｐ型源极与汲极区。穿隧介电层设置于通道区上。电荷储存层设置于穿隧介电层上。顶绝缘层设置于电荷储存层上，而闸极则...

提供一种在坐标系统上分析一多位存储单元的临界状态间相互作用的方法。此坐标系统为一多轴坐标系统，其中一轴线为一存储单元第一端的临界状态，而第二轴线为一多位存储单元第二端的临界状态。运作始于该存储单元第一端的一起始点，延续至第一端的第一标的...

一种制造一存储器元件的方法，包括在一基材上形成一电极层，其包含以前端工艺制造的电路。为形成每一相变存储器单元，电极层包含一第一电极、一第二电极及介于第一及第二电极间的绝缘部。为形成每一相变存储器单元，在电极层的顶表面、跨越绝缘部形成一存...

一种存储器装置，包含一个有一顶端面之第一电极、一个有一顶端面之第二电极，以及一介于第一电极和第二电极之间的绝缘构件，该绝缘构件在第一电极和第二电极之间的顶端表面附近有一厚度。一存储器材料之电桥越过该绝缘构件，在第一电极和第二电极之间穿过...

一种制造局部限制性电荷存储器的方法，此法可排除鸟喙效应的障碍。布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物－氮化物－氧化物层（ｏｘｉｄｅ－ｎｉｔｒｉｄｅ－ｏｘｉｄｅ，ＯＮＯ）的半导体基板。一...

一种导线的制造方法，适用于降低导线的电阻率，此制造方法是先提供材料层，在材料层上形成导体层，在导体层上形成图形化的掩膜层。然后，以图形化的掩膜层为掩膜，移除部分导体层。接着，在图形化的掩膜层及其所覆盖的导体层的侧壁，形成间隙壁。然后，以...

一种形成半导体元件的方法，包含提供基材、提供铝金属线于该基材上、形成阻障层于所述铝金属线上，以及形成富硅介电层于所述阻障层上。任选可以形成金属层间介电（ＩＭＤ）层，以至少覆盖一部份的富硅介电层。

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法，该非挥发性记忆体的制造方法，此方法是先于基底上形成多数行隔离结构。然后，于基底上形成多数列闸极堆叠结构，这些闸极堆叠结构是跨过隔离结构。之后，于相邻二闸极堆叠结构的基底中形成掺杂区。接着，于...

存储单元阵列，例如电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）闪存阵列，包含限流电路，限制在阵列操作时，例如在程序化操作期间，来自未被选择的存储单元的总漏电流。

一种导线的形成方法，此方法是先提供一材料层，此材料层具有至少一个沟渠。然后，于材料层上形成导线材料层，此导线材料层填满沟渠，并且覆盖住材料层的顶面。之后，于导线材料层上形成图案化之光刻掩膜层。接着，移除未被图案化之光刻掩膜层所覆盖的导线...

本发明是有关于一种非挥发性记忆体的制造方法，其是先于基底上依序形成第一介电层与虚拟闸极层。然后，定义虚拟闸极层以形成多个虚拟闸极。接着，以虚拟闸极为罩幕，于基底中形成一掺杂区。之后，于对应掺杂区的第一介电层上形成第二介电层。继之，移除虚...

一种非挥发性记忆胞包括半导体基底、位于部分半导体基底中的源极区、位于部分半导体基底中的汲极区以及位于部分半导体基底中的井区。非挥发性记忆胞还包括位于半导体基底上的第一载子穿隧层、位于第一载子穿隧层上的电荷储存层、位于电荷储存层上的第二载...

本发明是有关于一种非挥发性记忆体的操作方法，其中此非挥发性记忆体至少具有依序堆叠的穿隧介电层、电荷陷入层、介电层与闸极导体层所形成的闸极结构以及源极区与汲极区，此操作方法在抹除非挥发性记忆体时，对非挥发性记忆体照射紫外光以使电子注入电荷...

形成非易失性存储单元的方法，其包括：（ａ）提供一个至少有两个源极／漏极区的半导体衬底，以及一种介质材料沉积于该衬底的至少两个源极／漏极区的至少一区上方，其中该介质材料有一裸露表面，且该至少两个源极／漏极区被一个有裸露表面的凹槽分开，该凹...

本发明是有关于一种记忆体元件及其制造方法。该记忆体元件包括基底、第一绝缘层、电荷储存层、第二绝缘层、闸电极层与源极／汲极区。其中，基底的禁带间隙大于硅的禁带间隙。第一绝缘层是设置于基底上，电荷储存层是设置于第一绝缘层上，第二绝缘层是设置...

一种装置的形成方法，包括形成具有一侧壁的一构造的步骤。一侧壁间隙壁形成于该侧壁上。侧壁间隙壁依据一图案被蚀刻以界定该侧壁间隙壁的该宽度。宽度为次光刻等级，包括譬如约４０纳米或更小。

一种存储元件，包含存取电路，位于该存取电路上方的电极，位于该电极层之上的相变化存储桥阵列，以及位于该相变化存储桥阵列之上的多个位元线。该电极层包含电极对。电极对包含具有一上端的第一电极，具有一上端的第二电极以及介于该第一电极和该第二电极...