一种非易失存储器，包括基底、一层导体层、一层电荷储存层、多个第一掺杂区及多个第二掺杂区。其中，基底中具有多个沟渠，导体层设置于基底上，并填满沟渠。电荷储存层设置于导体层与基底之间。多个第一掺杂区分别设置于各沟渠两侧的基底中，且两个沟渠之...

一种溶液体积测量装置，包括一密闭圆筒容器、一管路、一压力感测单元及一控制单元。密闭圆筒容器用以储存一溶液，并具有一圆形底部。管路以与圆形底部垂直的方式，将管路的一端置入溶液中，并将一气体由管路的另一端灌入管路中。压力感测单元与管路连接，...

一种结合多个嵌入式闪速存储器的存储器结构。这些闪速存储器可以用于如错误校正单元或备用存储器或额外存储器单元。一方面，闪速存储器单元堆叠在闪速存储器单元的顶部，且这些闪速存储器单元共用栅极层。另一方面，这些对堆叠的闪速存储器单元互相堆叠，...

本发明公开一种非易失性存储器设备。该设备包括基板、至少一个相对高磁导率的导线、以及至少一个磁阻性存储器单元，其以一绝缘材料与该至少一个相对高磁导率导线分隔，且其位于该相对高磁导率导线中所感应的磁场中的区域。本发明还公开了用以制造该设备的...

一种非易失性存储单元的制造方法，包括于基板上形成堆叠栅极结构，此堆叠栅极结构包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层及导体层。然后，于此堆叠栅极结构侧壁形成保护层。之后，进行蚀刻工艺以移除用以形成堆叠栅极结构的预盖层，在此蚀刻工艺中，顶盖...

一种晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法。晶片湿法蚀刻方法包括以下步骤。首先，将一晶片置入于一蚀刻液中。接着，在蚀刻液中转动晶片。

本发明公开了一种晶片清洗装置及其清洗方法。所述晶片清洗装置包括：一转盘，用以承载及固定一晶片；一马达，与所述转盘耦接，用以转动所述转盘及所述晶片；一控制单元，电性连接于所述马达，用以控制所述马达以非固定转动方向转动所述转盘及所述晶片；以...

一种分栅金属－氮化物－氧化物－硅存储设备包括一薄介电层，该薄介电层位于存储器栅与氮化硅陷获层的间。薄介电层可以阻止低电场时的电荷损失，并且可以允许在高电场时发生空穴注入。

本发明公开了一种存储器器件，其包括具有侧壁与顶侧的第一凹盘型电极、具有侧壁与顶侧的第二凹盘型电极、以及位于第一侧壁与第二侧壁之间的绝缘壁。此绝缘壁在第一与第二侧壁之间、接近相对应的顶侧处具有厚度。存储器材料导桥横跨此绝缘壁，并定义在第一...

本发明提供储存单元，其包括：一半导体基板，其具有由通道区域隔开的至少两个源极／漏极区域；一置于所述通道区域上方的电荷捕获结构；以及一置于所述电荷捕获结构上方的栅极；其中所述电荷捕获结构包括一底部绝缘层、一第一电荷捕获层以及一第二电荷捕获...

本发明关于一种磁性随机存取存储体单元，其包括有磁性金属层、以及邻近于此磁性金属层的磁感测元件。此磁性金属层的一端耦接至一字线晶体管，并且二极管包括并被设置以经由一第二字线晶体管而耦接此磁感测元件至一位线。此磁性金属层可被用以编程与读取此...

一种存储器器件，其包括有改良的热传导特征。此器件首先包括电介质材料层；第一及第二电极，垂直地分隔并包括有彼此相对的接触表面。相变存储器元件包覆在此电介质材料层中，其包括相变层，其位于这些电极之间并与之形成电接触，其中此相变层的横向宽度小...

一种存储器单元设备，包括下电极，包括相变化材料的管型部件及与管型部件接触的上电极。管型部件内侧有电绝缘及热绝缘材料。本发明还公开包括管型相变化存储器的集成电路。

一种包括有磁性金属层以及邻近于此磁性金属层的磁感测设备的ＭＲＡＭ单元。此磁性金属层的一端连接至字线晶体管，且其中包括一个二极管并用于使此磁感测设备连接至位线。此磁性金属层可用于编程并读取此单元，而排除此单元中对第二电流线的需要。

一种存储器器件，包含相变元件及真空夹层。所述器件包括第一电极元件；相变元件，与该第一电极元件接触；上电极元件，与该相变元件接触；位线电极，与该上电极元件接触；以及电介质填充层，环绕于该相变元件与该上电极元件之间，与两者分离且由该位线电极...

一种具有改善的热绝缘的存储元件。此元件包含电极堆叠，包括第一电极和第二电极元件，大致上是平坦的，通过侧壁子元件隔离且与之相互接触，其中该电极堆叠包括侧表面；相变元件，具有底表面与该电极堆叠侧表面接触，包括与该第一电极和该第二电极元件作电...

一半导体组件中的一个包括有一栓塞表面的表面结构，可通过移除材料以生成具有至少一栓塞表面区域（典型地为钨或铜栓塞区域）其包括有一凹陷区域的一第一平面化表面而改善。一材料沉积于此第一平面化表面之上以及此凹陷区域的顶部内，以生成一材料层。此材...

本发明公开一种相变化存储单元，其包括第一与第二电极，其具有大致共平面的表面、并被一间隙所分隔，以及相变化导桥，其电连接至第一与第二电极。此相变化导桥可延伸在大致共平面的表面上、并延伸横跨此间隙。此相变化导桥具有较高变化温度导桥部分以及较...

一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包括具有额外栅极端的二极管结构。示例性实施例包括独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元阵列的方法及其制造方法。

本发明揭露了一种形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法。包括提供一衬底，该衬底具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上。接着转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层。然后形成一埋藏扩散区于该衬底内。接着形成一...