【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电可编程可擦除非易失性存储器，尤其涉及具有可极灵敏地读取存储单元的电荷储存结构内容的偏压安排的电荷储存存储器。
技术介绍
电荷储存结构，如公知的电可编程可擦除只读存储器(EEPROM)及闪速存储器为主的电可编程可擦除非易失性存储器技术已应用在现代各种领域中。随着集成电路尺寸的缩小，以电荷陷获介质材料层为主的存储器单元结构因其具有可缩小性且工艺简单，渐渐受到瞩目。以电荷陷获介质材料层为主的各种存储器单元结构如包括公知技术中工业名称为PHINES、NROM及SONOS的结构，这些存储器单元结构通过将电荷陷获至电荷陷获介质层(如氮化硅层)而储存数据，而当陷获到相当多的净负电荷时，存储器单元的临界电压将会增加。可通过从电荷陷获层移除净负电荷或加入净正电荷至电荷陷获层而降低存储器单元的临界电压。公知的存储器单元结构依赖具有源极、漏极与栅极的晶体管结构。然而，一般的晶体管结构有漏极及源极扩散区，且通过自对准栅极而彼此侧向分隔。此侧向分隔则是阻碍非易失性存储器进一步缩小的因素。因此，目前需要一种非易失性存储器单元，其具备可以进一步缩小的可能性且其内容必须易于读...
【技术保护点】
一种储存数据的非易失性存储器器件集成电路，包括：电荷储存结构；一个或多个储存介质结构，其至少一部份在该电荷储存结构及一二极管结构之间，且至少一部份在该电荷储存结构及一栅极电压源之间；该二极管结构具有第一节点及第二节点 ，以结分隔该第一节点及该第二节点，该第一节点及该第二节点的至少一部份邻近该一个或多个储存介质结构，而且该二极管结构具有横截面，其中，该第二节点具有相对端，以绝缘介质层与相邻器件分隔。
【技术特征摘要】
US 2005-12-9 11/298,2881.一种储存数据的非易失性存储器器件集成电路，包括电荷储存结构；一个或多个储存介质结构，其至少一部份在该电荷储存结构及一二极管结构之间，且至少一部份在该电荷储存结构及一栅极电压源之间；该二极管结构具有第一节点及第二节点，以结分隔该第一节点及该第二节点，该第一节点及该第二节点的至少一部份邻近该一个或多个储存介质结构，而且该二极管结构具有横截面，其中，该第二节点具有相对端，以绝缘介质层与相邻器件分隔。2.如权利要求1所述的器件，进一步包括逻辑，其施加偏压安排，以确定该电荷储存结构的电荷储存状态，及测量流经反向偏置的该二极管结构的电流，以确定该电荷储存结构的电荷储存状态。3.如权利要求1所述的器件，其中读取电流流经处于反向偏置的该二极管结构，以确定该电荷储存结构的电荷储存状态。4.如权利要求1所述的器件，其中带至带读取电流流经处于反向偏置的该二极管结构，以确定该电荷储存结构的电荷储存状态。5.如权利要求1所述的器件，其中该第二节点通过每一该相邻器件的第二节点与该相邻器件连接。6.如权利要求1所述的器件，其中该第二节点连接位线，该位线不同于连接该相邻器件的第二节点的位线。7.如权利要求1所述的器件，其中该二极管结构为肖特基二极管。8.如权利要求1所述的器件，其中该二极管结构为pn二极管。9.如权利要求1所述的器件，其中该二极管的该结为同质结。10.如权利要求1项1所述的器件，其中该二极管的该结为异质结。11.如权利要求1所述的器件，其中该二极管的该结为渐进式异质结。12.如权利要求1所述的器件，其中该电荷储存结构包括浮动栅极材料。13.如权利要求1所述的器件，其中该电荷储存结构包括电荷陷获材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖意瑛，蔡文哲，叶致锴，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。