一种闪存器件的平坦化方法，于基底上先形成一层穿隧氧化层，再于穿隧氧化层上形成一浮栅极，并于浮栅极上形成一顶盖层，其中穿隧氧化层、浮栅极以及顶盖层组成一堆栈结构。然后，假使顶盖层是氮化层，则需在堆栈结构上先沉积一层氧化层，再于基底上形成一...

一种存储器单元部分包括下电极，包括相变材料的管型部分及与管型部分接触的上电极。管型部分内侧有电绝缘及热绝缘材料。本发明还公开了包括管型相变存储器的集成电路。

本发明公开了一种热绝缘存储元件，其包括存储单元，该存储单元包括多个电极，其间带有过孔；热绝缘体位于该过孔中并界定空洞延伸在电极表面之间。一种如相变材料等的存储材料，位于该空洞中并电耦接到这些电极以生成存储材料元件。该热绝缘体可帮助降低操...

本发明公开一种存储器件，其包括：第一电极，该第一电极具有顶侧；第二电极，该第二电极具有顶侧；以及位于第一与第二电极之间的绝缘构件。绝缘构件在第一与第二电极之间、接近第一电极的顶侧处与第二电极的顶侧处具有一厚度，并从第一与第二电极的顶侧向...

一种半导体器件，包括衬底、位于该衬底上的图案金属导线层、以及钝化层。该钝化层可以包括位于该衬底以及该图案金属导线层的至少一部分上的紫外线阻挡（防护）层、以及位于该图案金属导线层以及该紫外线防护层之间的间隔层。该钝化层还可以包括位于该衬底...

本发明提供一种存储器件。此器件包含第一元件，其为第一电极元件（通常为平面的），并具有内接触表面。此外，另有一覆盖层，与第一电极元件之间具有间隔，以及相变化元件，其接触表面与第一电极接触表面及覆盖层相接触，而该相变化元件的侧向尺寸大小，小...

一种调整机构及其调整方法与晶片制造方法。调整机构用以调整一晶舟于一炉管内与炉管平行设置。炉管具有一容置槽及一开口，容置槽具有一第一对称中心线，晶舟具有一第二对称中心线。当晶舟经由开口插入容置槽时，容置槽的槽壁与晶舟的侧面之间具有一第一间...

一种储存单元及包括多个此等储存单元的阵列，以及此等储存单元的制造方法及此等储存单元的操作方法，其中储存单元包括半导体基底，其具有被通道区域分离的源极区与漏极区；第一栅极，其设置于电荷捕捉结构上方并邻近源极区；以及第二栅极，其设置于电荷捕...

一种反应器制造芯片的方法，首先，提供一反应器，反应器至少包括一反应室以及一内管。内管置放于反应室内，且内管具有一晶舟进出开口，而内管的管壁上具有一异物。然后，以一晶舟承载座封闭晶舟进出开口。接着，导引一连续流体进出反应室。然后，调整连续...

一种存储器元件包含两个电极，其垂直分离且有着相对的接触表面，其间有着一相变化单元。此相变化单元包含上相变化构件，有着与该第一电极电接触的接触表面；下相变化构件，有着与该第二电极电接触的接触表面；与核心构件，位于该上相变化构件与该下相变化...

本发明公开一种单一内嵌多晶硅存储结构，其包括存取晶体管以及形成于硅衬底上的存储元件。此存取晶体管包括植入于硅衬底中的源极与漏极扩散区域、以及形成于硅衬底上并介于源极与漏极扩散区域之间的多晶硅控制栅极。此存储结构包括植入于硅衬底中的源极与...

一种半导体制程测试结构，其包括栅极、电荷陷获层、以及扩散区域。此测试结构为类电容结构，其中此电荷陷获层会在不同制程步骤中陷获电荷。电荷泵电流可用以检测在不同制程步骤中所产生的充电效应。

一种包括分流硅层的非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件包括选择性生长的外延分流硅层（分流层），其降低了位线片电阻，并增加了位线迁移率。该分流层可通过高温原位Ｐ掺杂沉积而生成。通过本发明的选择性外延生长方法，可以实现不包括自...

本发明涉及一种用以制造存储单元元件的方法，包括：形成底电极，其包括有管状构件、顶、底、以及在垂直于此管状构件的轴向的方向具有厚度的侧壁，并具有环状上表面。在此管状构件的底面形成有碟形构件，其在与此管状构件同轴方向具有厚度、其与此管状构件...

一种用以在集成电路上制造次特征尺寸柱状结构的方法。此方法首先提供衬底，此衬底上形成有相变化层、电极层、以及硬掩模层。接着通过平板印刷图案化、蚀刻、并剥除光阻层而形成征尺寸硬掩模，再缩减此硬掩模至选定的次特征尺寸，其中此缩减步骤对于此电极...

一种多位存储器单元包含一衬底；一多位电荷捕捉层于此衬底之上，此多位电荷捕捉层具有一第一侧边及一第二侧边；一源极区域于此衬底中，一部分此源极区域在此多位电荷捕捉层的此第一侧边之下；一漏极区域于此衬底中，一部分此漏极区域在此多位电荷捕捉层的...

一种遮罩叠置图案结构，用于在集成电路制造期间，降低不对称轮廓引起的叠置图案偏移。该遮罩叠置图案结构包含第一遮罩、第二遮罩及应力释放功能装置。第一遮罩用于表示较低层之位置，第二遮罩用于表示较高层之位置，该应力释放功能装置用以释放较高层引起...

本发明描述制造氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪记忆体的方法，其中每个记忆体单元使用硅翼片来形成氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪单元，在所述氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪单元中，源极区域和汲极区域均未掺杂。一行氮...

本发明是关于半导体元件，特别是有关于半导体存储器元件结构及制造此元件结构的改良工艺。此改良工艺容许自对准接触窗和局部内连线能同时形成。此工艺还容许自对准接触窗与局部内连线之间的最小距离要求（ｍｉｎｉｍａｌ　　ｄｉｓｔａｎｃｅ　　ｒｅｑｕ...

一种半导体工艺测试结构，其包括栅极、电荷陷获层、以及扩散区域。此测试结构为类电容结构，其中此电荷陷获层将在不同工艺步骤中陷获电荷。接着可利用电容－电压测量以检测使否有产生Ｖｆｂ偏移。若此工艺步骤产生了充电效应，则所诱发的电荷将不均匀。若...