一种用以制造电阻随机存取存储器的方法，包括：　　　　提供衬底体，其具有上表面；　　　　沉积第一导电层于所述衬底体的上表面上；　　　　在所述第一导电层之上形成下可编程电阻存储材料层；　　　　在所述下可编程电阻存储材料层之上形成高选择性层，...

本发明是有关于一种非挥发性记忆元件及其制造方法。该非挥发性记忆元件的制造方法是先在基底中形成多个沟渠；并于沟渠中填入第一导体层，以做为埋入式位元线；接着，在基底上形成电荷储存层，覆盖基底表面以及第一导体层的表面；之后，在上述电荷储存层上...

一种非挥发性记忆体的制造方法，其包括下列步骤。首先，在一基底上依序形成一介电层、一第一导体层与一图案化罩幕层。然后，以图案化罩幕层为罩幕，移除部分第一导体层以形成多个第一闸极。接着，进行一氧化制程，在第一闸极的侧壁形成一氧化层，之后移除...

一种存储器，包括一基板、多条位线、多条字线及至少一氧化物／氮化物／氧化物堆叠结构。此些位线相互平行地设置于基板中。此些字线相互平行地设置于基板上，并与此些位线不垂直交错。氧化物／氮化物／氧化物堆叠结构设置于字线及基板之间。

一种存储器单元装置，这种装置包括存储材料，可通过施加能量在第一与第二（顶部与底部）电极，改变电性；其中该顶部电极包括较大的主体部分与作用部。该存储材料以层状沉积在底部电极层之上，同时顶部电极的作用部基底与存储材料的表面小区域具有电接触。...

一种制造浮动栅极存储器装置的方法，包含利用位于浮动栅极之下的掩埋扩散氧化物，从而在浮动栅极与掩埋扩散氧化物之间，制造增加的阶梯高度。增加的阶梯高度可提供更高的ＧＣＲ，但仍可减低使用虚拟接地阵列设计的存储单元尺寸。

一种晶体管结构，包括一基板、一第一阱区、一源极区及一反熔丝结构。第一阱区具有第一掺杂物并位于基板内。源极区位于第一阱区中，包括一轻掺杂源极区以及一重掺杂源极区，重掺杂源极区位于轻掺杂源极区内。重掺杂源极区的边缘与轻掺杂源极区的边缘基本上...

一种具有可通过施加能量而在电性状态之间切换的存储材料的存储单元器件，所述存储单元器件包括：　　　　底电极构件，其具有环绕向外延伸的外表面；　　　　在所述底电极构件之上的顶电极构件，所述顶电极构件具有与所述底电极构件的所述外表面大致对准的...

本发明提供一种当浮置闸与控制闸之间的栅极耦合比小于０．４时使用的对快闪记忆单元元件执行操作的方法。需要越过控制闸施加电位。自控制闸注入电子至浮置闸或自浮置闸射出电子至控制闸。由提供于元件中的硅通道的性质决定与注入或射出相关联的操作。使用...

一种垂直沟道存储器，包括一衬底、一沟道、一覆盖层、一电荷捕捉层、一第一端及一第二端。沟道凸出于衬底上，覆盖层设置于沟道上，覆盖层与沟道实质上具有相同宽度。电荷捕捉层设置于覆盖层及沟道的两垂直表面上。栅极设置于电荷捕捉层上，并位于沟道的两...

一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括一基材以及一堆栈结构。堆栈结构设置于基材上且位于基材的一源极区及一漏极区之间。堆栈结构至少包括一穿隧氧化层、一电荷陷入层及一介电层。电荷陷入层设置于穿隧氧化层上，介电层设置于电荷陷入层上...

一种电阻式存储器元件，其配置于衬底上，包括钨电极、上电极与氧化钨层。上电极配置于钨电极上。氧化钨层配置于钨电极与上电极之间。

一种制造存储单元元件的方法，该元件包含存储材料元素，该存储材料元素可通过施加能量来改变电性，此方法包含沉积导体层，沉积电介质材料层，并将其蚀刻，以制作第一电极与孔洞。在该孔洞中加入存储材料，以制作存储材料元素，该存储材料元素与该第一电极...

一双稳态可编程电阻式随机存取存储器包括多个存储单元，每个存储单元具有多个存储层堆叠。每个存储层堆叠包括导电层，位于可编程电阻式随机存取存储层上。第一存储层堆叠位于第二存储层堆叠上，且第二存储层堆叠位于第三存储层堆叠上。第一存储层堆叠具有...

用以揭露操作一双稳态电阻式随机存取存储器具有二个存储层堆栈串联的方法。此双稳态电阻式随机存取存储器在每一存储单元中包含每一存储单元有两个存储层堆栈，该双稳态电阻式随机存取存储器以四种逻辑状态操作，包括逻辑状态「００」、「０１」、「１０」...

本发明公开一种自行对准存储元件及其形成方法。一种自行对准存储元件，其包括存储单元，该存储单元可通过施加能量而在多个电学状态之间转换，该存储元件包括基底以及多条字线，至少有一侧的字线被介电材料所覆盖，定义出多个间隙。存取元件位于基底中，其...

本发明公开了一种存储器件，其可选择性显示第一和第二逻辑准位，其包括：第一导电材料，具有第一表面，且其上有第一存储层；第二导电材料，具有第二表面，且其上有第二存储层；连结导电层，连接第一和第二存储层，且电性接触，其中第一存储层的截面积小于...

一种用以制造存储元件的方法，此存储元件包括图案化电介质层与导电层，以在接近第一接触漏极栓塞的上表面的中心处与接近第二接触漏极栓塞的上表面的中心处排列。第一电极形成在此图案化电介质层与导电层的右侧壁。侧壁绝缘构件具有第一侧壁表面与第二侧壁...

本发明涉及一种具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储单元的制造方法。高密度等离子体沉积在图案化后的层的堆叠上产生硬式掩模，其大致位于中心处且在此图案化后的层的堆叠的覆盖层上。此高密度等离子体沉积利用较小临界尺寸进行以在此图案化后的层堆叠...

本发明涉及一种存储单元及其制程。此制程是先于位于基底上方的导体层上形成第一电极层。然后，于第一电极层上形成过渡金属层。接着，对过渡金属层进行等离子体氧化步骤，以形成作为数据储存层的前驱物的过渡金属氧化物层。之后，于过渡金属氧化物层上形成...