本发明公开一种存储单元、这种存储单元所组成的阵列、及其操作方法。此存储单元包括半导体层，其具有接近此半导体层的表面并被沟道区域所分隔的至少两个源极／漏极区域；设置于此沟道区域之上的下绝缘层；设置于此下绝缘层之上的电荷储存层；设置于此电荷...

一种具有栅极的二极管非易失性存储单元，其具有电荷储存结构，包含具有额外栅极端的二极管结构。不同实施例可以包含或排除位于二极管节点之间的扩散障碍结构。实施例包含单个存储单元、这种存储单元的阵列、操作该存储单元或该存储单元阵列的方法、以及其...

本发明一种非挥发内存的重置方法，此非挥发内存包括第一导电型基底上的多个记忆胞，其中每一记忆胞包括部分基底、控制闸、此部分基底及控制闸之间的电荷储存层，以及此部分基底中的二第二导电型源／漏极区。此重置方法是利用双边偏压－频带穿隧热电洞效应...

一种存储器，其包括第一方向上的多条字符线；第二方向上的多条位线，每条位线耦接到至少一条字符线；以及多个存储组件，每个存储组件耦接到一条字符线及一条位线。每个存储组件包括顶电极，连接到对应的字符线；底电极，连接到对应的位线；电阻层，在底电...

一种制造逻辑和非易失存储器件的方法，可通过一些额外步骤，利用公知ＣＭＯＳ工艺制造逻辑与存储器件。然而，这些额外步骤无须增加掩模。由此，该工艺可以在同样的衬底上，降低制造逻辑与存储器件的复杂度、时间、以及成本，对于嵌入应用尤其显著。

一种有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法，此结构包括多个可编程电阻随机存取存储单元，每一可编程电阻随机存取存储单元包括多个存储构件，以在每一存储单元中进行多位存储。此双稳态电阻随机存取存储器包括第一电阻随机存取构件，其经过...

本发明提供具有多存储器层结构的多层单元（ＭＬＣ）存储器结构，其每一存储器层结构包含一氧化钨区域，其定义多个逻辑态的不同读取电流量。每一存储器层结构藉由使用氧化钨区域提供多层单元功能可提供二位元信息，其构成四逻辑态，其中四逻辑态等于四个不...

本发明是一种非挥发性半导体存储器元件以及其制造方法。存储器元件包含：衬底、衬底上的穿隧介电膜、形成在衬底中的源极区以及漏极区，以及在每一对源极区与漏极区之间的多个分离的储存块。每一储存线块包括储存数据以及二氧化硅层。两个储存块分离至少１...

本发明公开了一种动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法。存储单元包括底氧化层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、栅极以及掺杂层。底氧化层设置于基板上。第一半导体层设置于底氧化层上，并且具有第一掺杂浓度。第二半导体层设置于第一半导体层...

本发明有关于一种半导体元件与记忆体及其操作方法。该记忆体，其适用于嵌入式记忆体中。此记忆体包括，基底、栅极、电荷陷入闸介电层、源极以及漏极。其中，栅极配置在基底上方。电荷陷入闸介电层配置于栅极与基底之间。源极与漏极分别配置于栅极两侧的基...

一种堆叠结构存储器的存储单元及其制造方法，此方法包括以下步骤：提供一基板；形成一第一绝缘层于基板上；通过一第一气体及一第二气体进行沉积，以形成一储存层于第一绝缘层上，且第一气体的流量大于第二气体的流量；形成一第二绝缘层于储存层上；形成一...

本发明公开了一种存储单元及其制造方法。此处所描述的存储单元包括一底电极、一存储元件及一侧电极。底电极与此存储元件于存储元件底部的第一接触表面电性连接，而侧电极与此存储元件于存储元件侧面的第二接触表面电性连接，其中该第二接触表面与该第一接...

一种多位准记忆单元的操作方法，该多位准记忆单元包括一基底、一控制栅极、位于该基底与该控制栅极之间的一电荷储存层，以及位于该基底中的二源极／漏极区，其特征在于该操作方法包括：　　　　（ａ）操作该多位准记忆单元，至该多位准记忆单元的一临界电...

本发明公开了一种具有共平面电极表面的存储单元装置及其制造方法。该装置包含多个第一电极，而每一第一电极具有与该位线的该顶表面共平面的顶表面，该第一电极延伸穿过在该位线内对应的过孔。绝缘构件在每一过孔之内，以及其为具有厚度的环形，而该绝缘构...

一种存储单元装置，包括一底电极与一顶电极，一存储材料栓塞接触至所述底电极，以及一杯状导电构件其具有一周缘接触至所述顶电极且在底部具有一开口接触至所述存储材料。

本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法，至少包括步骤：（ａ）准备基材；（ｂ）在基材上生长堆叠层；（ｃ）将堆叠层图案化以形成多个独立的堆叠单元，堆叠单元其中任意二者之间具有开口；（ｄ）在各堆叠单元两侧的基材内分别形成漏极区域与源极区域；...

本发明公开了一种具有较低电流相变化元件的存储元件。该装置包含一电极元件且电性接触于一相变化层。该相变化层是由一具有至少两种固态相的存储材料所组成。一顶电极元件与该相变化层电性接触于一位置，而该位置远离该电极元件的接触位置。而此结构产生通...

一种具有薄加热器的储存装置，并在一可程序化电阻变化材料（储存材料）次光刻（光刻）柱上形成一可程序化电阻变化区域，而其中该加热器形成在该顶电极和该可程序化材料之间。在一特定实施例中，一储存材料的次光刻柱为一位于该介电材料层内的硫属化物。当...

本发明公开了一种存储装置，包括：一第一电极；一第二电极；一存储材料形成该第一电极与该第二电极间的一电极间电流路径，该存储材料具有一主动区域，可根据热能来改变自身的固态相；一伸缩性材料邻近该存储材料中的该主动区域，该伸缩性材料的特征在于会...

本发明公开了一种具有环形顶终端底电极的存储装置及其制作方法，该存储装置包含底电极，顶电极，与可利用施加能量在电性状态之间切换的一存储组件。该底电极包含第一上方部分与第二下方部分。第一上方部分具有为环形的顶终端，其环绕非导体的中心区域。第...