本发明公开了一种具有相变化元件及非对称热边界的多级存储单元，该存储单元具有第一绝热材料与第二绝热材料，该第一绝热材料与第二绝热材料分别具有不同的导热性质，并与相变化材料的第一边界与第二边界具有导热关系。因此，当施加电流以增加存储材料的温...

本文涉及对非易失性存储器进行编程的方法及装置。本发明披露一种非易失性存储器，其具有执行编程操作的逻辑，此编程操作控制一连串的编程调整偏压以对该存储器阵列内至少一被选取且具有数据的存储单元进行编程。此一连串的编程调整偏压包含送至该存储单元...

本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法。该存储器包括方法：形成绝缘材料层于基板上；形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存...

一种蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法，此方法将一光阻控片置于一蚀刻机台中，并将其传送至一主蚀刻室，接着开启等离子源，以进行光阻控片的光阻层的蚀刻步骤。之后，检测蚀刻后的光阻控片的微粒数，以判断蚀刻机台的状态。

一种在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置，其应用读取溅镀蚀刻工艺中预先清除工艺的直流偏压，并参考此直流偏压监测值，调整溅镀蚀刻工艺中预先清除工艺的参数，使直流偏压于一定范围内变化，以达稳定控制蚀刻腔体的离子浓度，进而使离子...

一种低功率感测放大器的装置，用以放大一有关于存储列阵的存储单元的小电流差值。感测放大器系连接一具有多个偶数行与奇数行的存储列阵。代表存放在存储单元的数字数据的小读取电流系通过二互补数据线其中之一而从存储列阵中取得。感测放大器系依据由一小...

一种编制相变装置的方法，包括选定所期望的临界电压并向相变装置中的相变材料上施加程式化脉冲。程式化脉冲的施加包括向相变材料上施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动至少部分该材料。施加到相变材料上的部分能量可以消散至熔化能阶之下。能量从相变材料...

一种对一个或多个存储单元编程的方法，这些存储单元需要由两端来操作，在验证每个存储单元的两端，以确认编程的存储单元端后，将一个编程电压提供给这些确认编程的存储单元的第一端；另一个验证过程则是通过每个存储单元的两端确认编程的存储单元端来执行...

一种非挥发性内存数组系与计数内存相关，且计数内存将关于特定阈值状态被达到的次数的数据储存在相关的非挥发性内存中。非挥发性内存的老化特征可通过调整非挥发性内存的操作条件而获得补偿。操作条件的改变取决于储存于计数内存的数据。

用于一多电平只读存储单元的预先编程确认电平是动态地产生。一项判定考虑一编程确认电平、一过度编程预算及一第二位效应预算，以产生预先编程确认电平。产生的预先编程确认电平消除过度编程、难以编程及第二位效应的关键问题所在。

一种在氮化硅只读记忆胞（ｎｉｔｒｉｄｅ　　ｒｅａｄ－ｏｎｌｙ　　ｍｅｍｏｒｙ　　ｃｅｌｌ）程序化数据区（ｄａｔａ　　ｒｅｇｉｏｎ）的方法。在已抹除状态下（ｅｒａｓｅｄ　　ｓｔａｔｅ），氮化硅只读记忆胞展示一低临界电压（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ...

一种读取氮化硅只读存储单元（ｎｉｔｒｉｄｅ　　ｒｅａｄ－ｏｎｌｙ　　ｍｅｍｏｒｙ　　ｃｅｌｌ）的位的方法。此方法包括以下步骤。首先，设定第一读取电压值为一存储器区段的字线读取电压值。接着，若此一存储器区段（ｓｅｃｔｏｒ）需要被抹除（ｅｒ...

一种多阶存储单元的编程方法，其先提供存储单元，此存储单元包括有第一存储位置与第二存储位置。然后，对此存储单元进行擦除步骤，以提高第一存储位置与第二存储位置的阈值电压值。接着，进行判断步骤，比较第一存储位置与第二存储位置所欲编程的第一编程...

一种增加一氮化物只读存储器（Ｎｉｔｒｉｄｅ　　Ｒｅａｄ－Ｏｎｌｙ　　Ｍｅｍｏｒｙ，ＮＲＯＭ）阵列的抹除均匀性的方法。ＮＲＯＭ内存阵列具有数个ＮＲＯＭ存储单元、耦接在这些ＮＲＯＭ存储单元的左侧的数个偶序金属位线以及耦接在这些ＮＲＯＭ存储单...

本发明描述一种在氮化物储存存储单元擦除之后的空穴退火方法，用于补偿被捕捉的空穴，使空穴的重新释放最小化，以降低临界电压明显偏移至较高的值。将软电子编程用在所选出的氮化物储存存储单元，此氮化物存储单元被查出具有高于预定临界电压（ＥＶ）减去...

一种改变及读取存储器单元内容的方法包括下列步骤：施加编程电压给第一控制栅极以及第二控制栅极，以使载流子被注入及陷获于第一电荷陷获区域内或第二电荷陷获区域内；施加擦除电压给第一控制栅极及第二控制栅极，使该被陷获的载流子从第一电荷陷获区域及...

一种方法和电路被描述于确保易失性存储器的熔线元件的一个适当的电源启动读取操作，依照选择下载到熔线存储器一部分的预设数据，于电源启动时读取到的预设数据来比对此预设数据，因此决定一个适合电源启动读取的熔线元件。此熔线存储器被分割成熔线元件的...

一种非挥发性存储器封装包含一非挥发性存储器阵列，其具有电气串联连接之多个晶体管，各晶体管具有一输入端子与一输出端子，这些晶体管之其中一个之输出端子连接至在一下游方向之下一个晶体管之输入端子。一读取电压源提供一电压至这些晶体管之一被选择之...

本发明公开了涉及非易失性存储器的数据保存的装置、方法及制造方法。在许多实施例中，对应于数据存储器的参考存储器用于确定是否需要更新所述数据存储器。

本发明的多种实施例解决有效读取非易失性存储器的问题。本发明的非易失性存储器电路、方法及制造方法的实施例是关于非易失性存储器单元的虚拟接地阵列。利用预充电多个非易失性存储器单元的漏极及测量产生的电流，可读取该非易失性存储器单元的虚拟接地阵...