本发明公开了一种存储单元及其制造方法。一种存储单元，设置于一衬底上，此衬底中具有多个隔离结构，且隔离结构于该衬底中定义出至少一鳍状结构，该鳍状结构的上表面高于该多个隔离结构的上表面。此存储单元包括：一掺杂区、一栅极、一电荷陷入结构与一源...

一种具有嵌入式多类型存储器的存储器结构，该存储器包括：第一类型的存储器；以及第二类型的存储器，其形成于第一类型的存储器上，其中第一类型的存储器以及第二类型的存储器中的一种为非易失性存储器，且第一类型的存储器以及第二类型的存储器中的另一种...

一种超富含硅氧化硅非易失性存储单元，其特征在于，包括：　一栅极导电层，其位于一衬底上方；　一源极／漏极区，其位于所述栅极导电层两侧的所述衬底中；　一遂穿氧化层，其位于所述栅极导电层与所述衬底之间；　一超富含硅氧化硅层，其做为一电荷捕捉层...

一种于基板上形成金属垫片的方法，包括：　（ａ）于该基板上形成互相分离的第一金属以及第一垫片金属，其中该第一垫片金属的宽度大于该第一金属的宽度；　（ｂ）于该第一金属、该第一垫片金属以及该基板上沉积介电层；　（ｃ）在该介电层中形成第一开口以...

本发明公开了一种具有钨化合物存储部的存储器装置及其工艺方法。钨氧化合物存储部是使用非关键掩膜氧化钨材料形成，或者在部分实施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存储器装置包括一底电极及一存储器元件，且存储器元件位于底电极上。存储器元件包...

一种半导体层的表面处理方法及半导体装置的制造方法。此表面处理方法首先提供半导体层，此半导体层的表面具有多个微粒。接着，利用清洁方法移除这些微粒。于此清洗方法中，依序使半导体层接触有机物移除剂、第一过氧化物混合液以及第二过氧化物混合液。

本发明涉及存储单元阵列装置及其制造方法，公开了一种４Ｆ平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器。在此所述的存储单元包含存储元件，而该存储元件包含可编程电阻材料及自对准底电极。在较佳实施例中，此存储单元的面积为４Ｆ↑［２］，而Ｆ为用...

本发明公开了一种降低存储器元件的第二位效应的半导体结构以及方法。一种能够储存二位信息的非易失性存储单元，具有与至少一电介电层（例如氧化物）关联地层迭的非导电性电荷捕捉介电质（例如氮化硅），其中在两源极或漏极区之间的衬底的阱区内，注入Ｐ型...

本发明公开了一种图案的形成方法，其包括下列步骤。首先，提供一材料层，于材料层上形成一图案化硬掩膜层。接着，于图案化硬掩膜层的侧壁分别形成一间隙壁。之后，移除图案化硬掩膜层，以于相邻两间隙壁之间形成一开口。接着，以间隙壁为掩膜，移除部分材...

本发明是有关于一种制造记忆体的方法、记忆装置及操作存取记忆装置的方法，是揭露一种具有至少一多阶记忆单元的记忆装置，以及每一多阶记忆单元被组设来储存ｎ个位元（而ｎ是一整数），其中该复数位元是储存至一电荷储存层，而藉由施加一电压来设定或重置...

提供一种对半导体装置的两相邻结构进行化学机械抛光的方法。该化学机械抛光方法包括：（ａ）提供一种半导体装置，其包含在其表面内形成的凹穴、在该表面上形成的第一材料层、以及填满该凹穴并在第一材料层上形成的第二材料层；以及（ｂ）以抛光垫及基本上...

本发明公开了一种存储元件及其制造方法。此处所描述的存储元件的实施例包括了一导电位线以及多个第一电极。此存储元件也包括了多个绝缘构件，该绝缘构件具有一介于对应的一第一电极与一部分作为一第二电极的该位线之间的一厚度。此存储元件更包括了一存储...

本发明公开了一种具有一小块定义电性接点区域的电阻随机存取存储结构。一存储单元装置，而该存储单元包含在施加能量后可在电性状态间转换的一存储材料，包含第一与第二电极、与该第二电极电性接触的一存储材料栓塞（相变化材料）、以及被一介电体支持并与...

一种闪存，包括衬底、位于衬底上的堆栈结构、源极与漏极和一个源极端间隔层，其中堆栈结构包括隧穿氧化层、位于隧穿氧化层上的电荷存储层、位于电荷存储层上的栅间介质层及位于栅间介质层上的控制栅极。而源极与漏极是分别位于电荷存储层两侧的衬底中。源...

本发明公开了一种具有高速擦除能力的能隙处理的电荷捕捉存储单元，包含一电荷捕捉元件，其是通过阻挡层与栅极分隔，该阻挡层为掺杂金属而中等介电常数的二氧化硅，例如掺杂铝的氧化硅；同时该电荷捕捉元件也通过能隙工程的隧穿介电层与半导体衬底分隔。

本发明公开了一种具有侧边口袋注入的电荷捕捉装置，提供了一种电荷捕捉存储单元，其具有沿着信道侧边的口袋注入，该侧边口袋注入具有和信道相同的导电型态，且该注入的掺杂物浓度较信道中央区域来的高。此种结构可有效防止电荷捕捉结构因鸟嘴或其它边缘异...

本发明提供一种非易失性存储器，其位于一衬底上并包括：一隧穿层、一电荷捕捉复合层、一栅极以及一源极／漏极区。其中，隧穿层位于衬底上，电荷捕捉复合层位于隧穿层上，而栅极位于电荷捕捉复合层上方，源极／漏极区则位于隧穿层两侧的该衬底中。此具有电...

一种能够测量检验芯片上的粒子与缺陷数目的检测芯片的制造方法，此方法提供一空白芯片，将空白芯片置于欲检测的制程装置中，并以此制程装置对空白芯片进行处理，接着在此空白芯片上形成硅材料层。以已形成硅材料层的空白芯片直接测量粒子与缺陷数目，即可...

本发明公开了一种可高速擦除的电荷捕捉存储单元，包括一电荷捕捉元件。电荷捕捉元件是通过一阻挡层与一金属或金属化合物栅极分离，并且通过一加工隧穿介电材料与包括沟道的半导体衬底分离。阻挡层为具有高介电常数的材质，例如氧化铝。金属或金属化合物栅...

一种垂直式非易失性存储器的制造方法，是先于一个衬底上依序形成第一半导体层、第一阻挡物、第二半导体层、第二阻挡物和第三半导体层，其中第一和第三半导体层具第一导电态，第二半导体层具第二导电态。之后，去除衬底上部分的第三半导体层、第二阻挡物、...