一存储单元包括：以半导体沟道区所分隔的源极区及漏极区，沟道区是具有面积Ａ１的一沟道表面且包括一第一区，一第一介电结构是位于此沟道表面上，一介电电荷捕获结构是位于第一介电结构上，一第二介电结构是位于介电电荷捕获结构上，一传导层具有一传导表...

本文涉及施加浮动电压于源极或漏极区的操作存储器的装置与方法。本发明提供一种操作非易失存储单元、或操作该单元阵列中至少一单元的方法与装置，其中当增加电荷至电荷储存结构时，一源极区域或一漏极区域为浮接。

一种双稳态阻抗随机存取存储器，用于增加阻抗随机存取存储器的数据保存能力。位于阻抗存储部（ＲＲＡＭ）下方的介电部例如是下介电部，可以改善资讯保存的设定／重置窗。下介电部的沉积方法可以采用等离子体增强型化学气相沉积法或是高密度等离子体化学气...

一种在半导体后段工艺中形成过孔的方法，包括沉积图案化过孔内部的第一金属粘着层的一部分，接着冷却步骤。在所述冷却步骤之后，再形成第一金属粘着层的剩余部分，并形成所述图案化过孔内部的第二金属粘着层。形成所述第一金属粘着层的剩余部分的工艺可参...

本发明为一种存储器单元和其装置以及制造方法，其中的存储器单元包含：具有大于３纳米的有效氧化物厚度的隧穿势垒介电结构；位于隧穿势垒介电结构上的导电层；位于导电层上的电荷捕获结构；位于电荷捕获结构上的顶部介电结构；以及位于顶部介电结构上的顶...

本发明涉及一种半导体基板的金属线再蚀刻方法，此半导体基板位于一反应室中，此半导体基板包括有一金属层以及位于此金属层之上的一光阻层，此光阻层经过曝光显影，且此光阻层与此金属层经过一蚀刻步骤而停止，此反应室中还包括一电浆反应器，此方法包括：...

本发明涉及用自旋力矩转移写入的磁性随机存取存储器及其制造方法。纳米磁性元件包括具有第一磁化方向且具有中心轴的第一硬磁体。元件还包括借由介电衬垫与第一硬磁体分离的第二硬磁体。第二硬磁体具有与第一硬磁体的第一磁化方向相反的第二磁化方向及中心...

本发明公开一种在制造存储单元时生成微孔开口的方法。在基底层上形成上层，此基底层包括底电极。此上层包括此基底层上的第二层、以及此第二层上的第一层。微孔开口穿透此上层以暴露此下电极的表面、并生成第一存储单元子组件。此微孔开口包括第一上开口部...

一种存储单元，其在底电极与栓塞接点之间包括有热隔离材料，以在编程与重置操作时，将热量局限于存储元件中。在一特定实施例中，此存储元件为硫属化物，例如ＧＳＴ。沉积于此接点上以及凹口的侧壁上的导电阻挡层，将底电极耦合到接点，其中凹口形成于接点上。

本发明公开一种用以在制造存储单元时在电介质材料中生成自对准空洞的方法。先形成基底层，其包括导电元件。接着在所述基底层上再形成上层，所述上层形成步骤包括在所述基底层上形成第三、平坦化停止层、在所述第三层上形成第二层以及在所述第二层上形成第...

一种在制造一存储单元时生成的自收敛存储材料元件，包括具有一底电极的一基底层以及一上层，该上层具有一第三平坦化停止层于基底层之上、一第二层于第三层之上、以及一第一层于第二层之上。一微孔开口形成穿透此上层以将底电极外露。第一层具有一凸悬部份...

一种存储器的操作方法，用以使存储器具有第一阈值电压或第二阈值电压，方法包括：对存储器的栅极施加一操作电压，操作电压持续一第一时段，使存储器具有该第一阈值电压；以及，对存储器的栅极施加相同的操作电压，操作电压持续一第二时段，使存储器具有第...

本发明公开了一种ＥＳＤ防护电路，包括基板、二极管元件、第一骤回元件、环网结构、第二骤回元件以及控制电路。二极管元件形成于基板中，且二极管元件具有第一端以及第二端，第一端连接至该输入垫。第一骤回元件形成于基板中，且第一骤回元件包括连接至第...

一种多层电极结构，包括两并联的电流路径。多个大致为平板状的电极层以堆叠方式形成，最外层提供电接点，并限定第一电流路径穿过此堆叠。两侧壁导体层形成而邻接于电极层堆叠的两个端点，两侧壁导体层定义了第二电流路径。侧壁导体层的端点与电极层导电接...

一种测量金属氧化物半导体（Ｍｅｔａｌ　　Ｏｘｉｄｅ　　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ＭＯＳ）组件的本征电容的方法。ＭＯＳ组件包括第一端、第二端、第三端以及第四端，且第一端耦接至电容测量电路。首先，提供第一输入信号至第二端，并将第三端及第四...

一种多位准存储单元的操作方法，其中多位准存储单元包括第一导电型基底、控制栅、电荷储存层及二第二导电型源／漏极区。此操作方法包括将第一型电荷注入电荷储存层的抹除步骤，以及程序化步骤。此程序化步骤包括在基底上施加第一电压，在二源／漏极区上施...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明还公开了一种动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法。半导体装置的制造方法包括首先提供基板，并且形成底氧化层及半导体层于基板上，此半导体层形成于底氧化层上。其次，图案化半导体层，使半导体层暴...

本发明揭示一种避免氟化半导体元件的金属接点的方法。首先提供一半导体底材，其上具有一金属接点。然后，形成且覆盖一保护层于半导体底材与金属接点上。随后，进行一蚀刻步骤以蚀穿保护层直到暴露金属接点的部分表面为止，并形成一预定开口于保护层中，其...

本发明公开了一种操作存储单元的方法，该方法通过施加一正电压于栅极，而该正电压足以造成从栅极至电荷储存层的空穴发生隧穿。本方法应用的一存储单元包含一半导体层，而该半导体层具有至少二源极／漏极区域位于该半导体层表面的下方，并被一沟道区域分离...

具有栅极的二极管非易失性存储单元，其具有电荷储存结构，包括具有额外栅极端的二极管结构、与位于二极管节点之间的扩散阻挡结构。实施例包括个别存储单元、这种存储单元的阵列、操作所述存储单元或所述存储单元阵列的方法、以及其制造方法。