一种存储器单元包含：第一电极和第二电极构件，在衬底上相互分离；相变元件，与该第一电极和第二电极构件电性接触且连接分离两者间的空间。此相变元件包含两个区段，每一段与该电极构件中的一个接触。这两个区段在两电极之间的一个位置处相连，使得该相连...

一种真空吸笔，用以搬运一待取出晶片，一储存容器包括一第一容置槽及一第二容置槽，该第一容置槽邻接该第二容置槽，该待取出晶片存放于该第一容置槽中，该待取出晶片与存放于该第二容置槽内的一晶片相距一间隙，该真空吸笔包括一本体，该本体具有一吸附表...

本发明公开了一种磁性存储元件，其包括磁性存储单元，此磁性存储单元包括被钉扎层以及自由层，自由层以绝缘层而与被钉扎层分离。此磁性存储元件亦包括接触至自由层的热盘。此磁性存储元件配置为可以利用流经此热盘的第一电流来加热此热盘。此自由层的磁性...

本发明描述了用以形成双稳态电阻随机存取存储器的结构和方法，其通过在存储器单元元件之内界定加热区域，而减少从电极所散失的热量。此加热区域界定于核心构件中，其包括可编程电阻存储材料其接触至上可编程电阻存储构件与下可编程电阻存储构件。此下可编...

一种Ｐ沟道闪速存储器单元的编程方法，所述存储器单元包括栅极、源极、漏极和在所述源极与所述漏极之间的沟道，包括下列步骤：　　　　（ａ）施加第一电压于所述栅极，以及　　　　（ｂ）施加第二电压于所述源极或所述漏极，其中所述第二电压比所述第一电...

一种用以在一具有一上表面的衬底上提供一如相变桥的窄直线的制造方法，包括首先在该衬底上形成第一材料层。接着，在该第一材料层之上施加图案化材料层，并定义一图案。此图案包括一阶壁，其具有一实质上延伸至该第一材料层的侧壁。一侧壁蚀刻掩膜形成于该...

一种制造具有增加的闸极耦合比的快闪记忆体元件的方法，此方法是先在基底上形成第一半导体层。然后，在所述第一半导体层的顶部上形成半导体间隔层。所述半导体间隔层包括多个凹槽。所述方法提供半导体间隔结构，用以增加所述快闪记忆体元件的浮置闸极与控...

本发明公开了一种桥路结构中的电阻随机存取存储器，其包括接触结构，其中第一与第二电极位于接触结构中。第一电极具有周边延伸的形状（例如环形），其围绕接触结构的内壁。第二电极位于该周边延伸形状内，并以绝缘材料而与第一电极分隔开。电阻存储桥路与...

本发明是有关于一种绝缘体上有硅的结构的制造方法，此方法是先提供单晶硅基底，所述单晶硅基底的一部分上形成有元件图案，其中所述元件图案具有突出部分。然后，在所述突出部分的一部分上形成保护层。之后，使用热氧化处理在所述突出部分与所述单晶硅基底...

一个非易失性存储元件，包含衬底及形成于衬底上的介质层。控 制栅极与浮动栅极然后形成于介质层之上。且非易失性存储元件可以 使用与目前的互补式金属氧化物场效应晶体管工艺兼容的单层多晶 硅工艺来建构。此外，一个辅助栅极或是多个辅助栅极可分别形...

一种相变化存储装置，其包括以光平板印刷方式形成的相变化存储单元，此单元包括第一与第二电极、以及相变化元件置于此二电极的两个相对接触元件之间，并将此二接触元件彼此连接。相变化元件具有宽度、长度与厚度。此长度、厚度与宽度小于用以形成此相变化...

一种非易失性存储元件，包括基板与形成于基板上的电介质层。控制栅极与两个浮动栅极形成于电介质层上，所述两个浮动栅极分别形成于控制栅极的两侧。因此，该非易失性存储元件可利用单一多晶硅工艺而形成，该工艺与传统互补金属氧化物半导体场效应晶体管工...

一种带隙设计的ＳＯＮＯＳ元件结构，其用于具有各种ＡＮＤ架构的设计来执行源极侧注入程序化方法。ＢＥ－ＳＯＮＯＳ元件结构包含分隔氧化物，其安置在覆盖氧化物－氮化物－氧化物－氮化物－氧化物堆栈的控制栅极与覆盖栅极氧化物的次栅之间。在第一实施例...

一种存储器件，有一侧壁绝缘装置，其具有与第一侧壁隔离层厚度相同的侧壁绝缘装置长度；形成自第二侧壁隔离层的第一电极，其具有与第二侧壁隔离层厚度相同的第一电极长度，以及形成自该第二侧壁隔离层的第二电极，其具有与该第二侧壁隔离层厚度相同的第二...

本发明是关于一种微影系统及其制程，该微影制程，其包括：接收具有感光层的基底；提供能够使所述感光层的一部分曝光的光源；和提供能够定义要转移到感光层的至少一个图案的光罩。具体地说，基底在感光层上或上方具有上表面，且光罩在其第一表面处接收来自...

本发明公开了一种适合用于大型集成电路中的相变随机存取存储器元件。示例性存储器元件具有管型第一电极，从侧壁支持结构的侧壁上的第一电极层中形成。隔离层绝缘装置从第一氧化层中形成，第二“Ｌ”型电极在该绝缘装置上形成。电接点连接至该第二电极的水...

一种具有不着陆介层窗的半导体元件及其制造方法，前述不着陆介层窗具有空隙介电层和富含硅氧化物（ＳＲＯ）金属间介电（ＩＭＤ）层。ＳＲＯ层充当蚀刻停止层以防止不着陆介层窗完全穿过ＩＭＤ层。另外，ＳＲＯ具有比已知高密度等离子（ＨＤＰ）氧化层更高...

一种用于编程和擦除电荷捕捉存储器的方法，包含：　　　　通过衬底瞬时热电子（ＳＴＨＥ）注入，编程具有电荷捕捉结构和沟道区域的所述电荷捕捉存储器，包含：　　　　施加具有脉冲宽度的本体偏压，其具有下降沿；以及　　　　施加具有脉冲宽度的栅极偏压...

本发明公开了一种具有嵌入式存储器的集成电路，其包括衬底与多个导体层，设置这些导体层用以连接集成电路的各个元件。在多个导体层中的中间层包括具有上表面的第一电极、具有上表面的第二电极、以及位于第一与第二电极之间的绝缘构件。导桥位于中间层之上...

本发明公开了一种基于与非门的存储元件，其使用反转位线而不需要使用植入位线。因此，可以减少单元尺寸，进而在较小的封装中提供较大的密度。本发明同时公开了一种用于制造基于与非门的存储元件，其使用了反转位线。