一种横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管，包括衬底、第一阱区、漏极区、第二阱区以及源极区。衬底具有第一导电型杂质，具有第二导电型杂质的第一阱区，位于部分衬底中。漏极区位于第一阱区中。具有第一导电型杂质的第二阱区，位于部分衬底中。源极区位...

一种存储单元，该存储单元位于基底上，该基底有多个浅沟渠隔离，其中每一上述这些浅沟渠隔离的上表面低于该基底的上表面，且上述这些浅沟渠隔离共同定义该基底的垂直鳍状结构，该存储单元包括：跨骑闸，载流子捕捉结构以及至少两源极／漏极区。跨骑闸位于...

本发明公开集成电路及用于制造该集成电路的方法。所公开的方法包含提供上方具有至少一器件结构的衬底；在该衬底及该至少一器件结构上提供第一阻挡层；利用旋涂玻璃工艺提供一介质材料层；并且在该介质层上提供第二阻挡层，其中该第二阻挡层为压缩层。在该...

本发明提供一种用来操作氮化物陷获存储单元以解决难以擦除状态的方法，其通过使用重置技术而消除或减少在结区域中央的电子数目。当进行如５００或１００次一连串编程与擦除循环之后而检测到难以擦除状态时，使用衬底瞬变热空穴（ＳＴＨＨ）重置操作。此衬...

一种制造相变存储装置的方法包含形成电极层。使用导体填充技术在所述电极层中制造电极，所述技术还使用层间导体以用于金属化层，从而改进以金属化层的缩短的临界尺寸来定标的制程。所述电极层通过如下步骤制成：在基底上形成多层电介质层，蚀刻所述多层电...

本发明是有关于一种高压组件及其制造方法，其中该高压半导体组件包括具有主要表面的硅基底、位于硅基底的主要表面上的闸极、邻近主要表面的部分基底中的源极区以及邻近主要表面的部分基底中的汲极区。汲极区与源极区分离。通道区被定义于邻近源极区与汲极...

一种非易失存储器，包括：　　　　存储器阵列，包括多列，该多列的每一列包括串联排列的多个存储器单元，该每一列具有第一端及第二端，该多个存储器单元的每一存储器单元具有至多一个单一电荷储存状态，该多个存储器单元的每一存储器单元包括：　　　　衬...

本发明涉及一种相变化存储单元，此存储单元为相变化存储装置的一部分，此相变化存储单元包括：第一与第二电极；相变化元件，其与此第一与第二电极电连接；此相变化元件的至少一部份包括较高重置转换温度部分以及较低重置转换温度部分；以及此较低重置转换...

本发明公开一种可编程电阻随机存取存储器单元，其具有与此可编程电阻元件尺寸相关的电阻。本发明还公开此具有均匀电阻值的可编程电阻元件的制造方法及集成电路，此元件具有比层间接触截面小的截面积。

本发明公开一种堆叠非易失性存储设备，其包括多个彼此堆叠的位线层与字线层。位线层包括多条位线，这些位线可以利用先进的制造技术有效且经济地制造。此器件可配置为适用于与非（ＮＡＮＤ）操作中。

本发明公开一种在相变化随机存取存储ＰＣＲＡＭ器件中用以将下电极自对准的方法，其中上电极作为此下电极在自对准蚀刻时的掩模。此下电极包括有由化学机械研磨而平坦化的上表面。此上电极还包括有由化学机械研磨而平坦化的上表面。在后续工艺中形成通孔之...

一种形成具有非易失性存储单元集成电路的方法，包括：　　　　形成用以存取特定非易失性存储单元的电路，包括：　　　　形成导电行以沿着各行存取该非易失性存储单元；以及　　　　形成导电列以沿着各列存取该非易失性存储单元；以及接着　　　　形成所述...

一个辅助电荷存储器单元，包括一个晶体管，其包括，例如，一个ｐ型衬底以及在ｐ型衬底植入ｎ＋源极区域和ｎ＋漏极区域。栅极电极被形成在衬底以及部分源极和漏极区域上。该栅极电极包括陷获结构。该陷获结构在电性上被认为被分成两边。一边被当成辅助电荷...

一种与非门（ＮＡＮＤ）型多位电荷储存存储器阵列包括，第一和第二存储器串，每一串包括一个或多个电荷储存存储器单元和两个选择晶体管。该电荷储存存储器单元以串联的方式连接，以形成存储器单元串。该两个选择晶体管以串联的方式分别连接至该存储器单元...

一种位线晶体管其包括，不同的沟道长度，沟道宽度，或两者兼具以补偿位线负载效应。该晶体管结构的沟道长度或沟道宽度可以被配置为实现理想的负载。因此，该位线晶体管结构可以改善整体金属位线负载的一致性以及提供位线偏压更好的一致性。此外，位线偏压...

一种非易失性器件，其具有自对准电阻随机存取存储器件。此器件包括下电极元件，其大致平坦，具有内接触表面。在该元件之上为上电极元件，其与下电极元件隔开。包覆结构延伸至上电极元件与下电极元件之间，且此元件包括侧壁隔离元件，其具有定义大致漏斗状...

一种半导体元件，至少是由基底、闸极堆叠结构、掺杂区与高应力材料层所构成的。其中闸极堆叠结构位于基底上，且闸极堆叠结构至少包括由基底表面依序堆叠的介电层与闸极。掺杂区位于闸极堆叠结构侧边。高应力材料层配置在掺杂区上。由于高应力材料层可以提...

一存储器阵列包括：一内埋扩散区、将电源供应至内埋扩散区的一第一源极线、将电源供应至内埋扩散区的一第二源极线、具有一第一通道宽度的一第一位线晶体管及具有一第二通道宽度的一第二位线晶体管。第一位线晶体管最接近第一源极线且电性耦接至一第一存储...

本发明提供一种在两个金氧半导体晶体管之间形成一自我对准接触的方法，包含以下步骤：于一个半导体基板的一表面上方形成一第一构造与一第二构造，以及位于该第一构造与该第二构造之间的一间隔；于该第一构造的一上表面上方形成一第一材料的一第一覆盖层；...

一个辅助电荷存储器单元包含一个晶体管，所述晶体管包含，例如，ｐ型衬底以及在ｐ型衬底上注入的ｎ＋源极区域和ｎ＋漏极区域。栅极电极形成在衬底以及部分源极和漏极区域上。该栅极电极包含捕捉结构。所述捕捉结构在电性上被认为被分成两边。一边被当成辅...