本发明涉及结合嵌入式闪速存储器及物理可编程只读存储器的存储器结构。其中该物理可编程只读存储器可作为一个存储器结构。而闪速存储器则可作为错误更新单元、备份存储器或额外的存储器单元。该物理可编程只读存储器单元则堆叠于该闪速存储器上方，并以三...

一种快闪存储器单元，包含有主表面的硅衬底，源极区域于一部分硅衬底之中且接近主表面，漏极区域于一部分硅衬底之中且接近主表面，且漏极区域与源极区域分隔。此快闪存储器单元包含第一介电层形成于主表面之上，浮动栅极置于第一介电层之上，层间栅极介电...

一种与非型（ＮＡＮＤ）快闪存储器元件，包含覆盖在各个字线的非对称浮动栅极。透过此一特定浮动栅极与其各自的字线有效耦合，可使用一大的栅极（如字线）偏压将浮动栅极耦合到具有一电压，可将浮动栅极下方的沟道反向。在浮动栅极下方的反向沟道因此可以...

一种开口的形成方法，此方法先提供基底，此基底上已形成有至少一元件结构。然后，在基底上形成介电层覆盖此元件结构。之后，在介电层上形成图案化的硅化金属层。接着，以图案化的硅化金属层为蚀刻罩幕蚀刻介电层，以形成至少一开口，而暴露出对应的元件结构。

提出一种多芯片堆叠式封装结构，包括一引线框的薄封装结构，封装结构具有两个或两个以上的芯片堆叠结构。封装结构能够包括两个或两个以上的堆叠芯片，以减少整体的堆叠厚度。封装结构也借着堆叠四个或四个以上的芯片在封装结构周围细小的区域上，以减少堆...

一种半导体设备的干燥装置及干燥方法，该干燥装置包含一抽取设备、一管路、一流体开关、一电流开关以及一控制装置，抽取设备及管路分别与半导体设备连接，在管路上设置流体开关，控制装置藉由电流开关电性控制流体开关。当流体开关开启时，藉由抽取设备，...

本发明是有关于一种非挥发性记忆胞与其制造方法及非挥发性记忆体制造方法。在该非挥发性记忆胞的制造方法中，先于基底上形成数个堆叠闸极结构，并于堆叠闸极结构的侧边的基底中形成数个掺杂区。然后，于该些堆叠闸极结构的侧壁上形成数个间隙壁。之后，于...

一种快闪记忆体。此快闪记忆体包括位于基底中的第一源极／汲极区及第二源极／汲极区；位于第一源极／汲极区以及第二源极／汲极区间的基底上，并且邻接于第一源极／汲极区的第一浮置栅极；位于第一源极／汲极区以及第二源极／汲极区间的基底上，并且邻接于...

本发明公开了以不同载流子移动编程存储器阵列。在一个实施例里，存储器单元根据数据使用的模式，例如代码闪速存储及数据闪速存储，以特定载流子移动进行编程。在另一实施例里，存储器单元根据多级单元结构中欲被编程特定门限电压状态，以特定载流子移动编程。

一种非易失性存储器阵列，包括具有主表面的半导体衬底、第一源极／漏极区域及第二源极／漏极区域。第二源极／漏极区域与第一源极／漏极区域分隔。井区域位于一部份半导体衬底中、第一源极／漏极区域与第二源极／漏极区域之间。多个存储器单元，位于井区域...

一种位于半导体衬底上的非易失性存储器设备，包括位于衬底上的底氧化层，位于底氧化层上的氮化硅中间层，及位于中间层上的顶氧化层。底氧化层的氢浓度最高达５Ｅ１９ｃｍ↑［－３］及界面陷阱密度最高达５Ｅ１１ｃｍ↑［－２］ｅＶ↑［－１］。三层结构可...

一种非挥发性记忆体电路，是由多数组记忆单元组成，每一组记忆单元包括第一开关、第二开关、数据线，以及多个叠接记忆元件。其中，第一开关的第一端耦接至第一电压。数据线耦接至第一开关的第二端。第二开关的第一端耦接至数据线。此外，在多个叠接记忆元...

一种非挥发记忆体，以及其操作方法与制造方法。此非挥发记忆体包括具有沟渠的基底、位于沟渠中的电荷捕陷层、位于沟渠中且至少以电荷捕陷层与基底相隔的闸极，以及位于沟渠两侧基底中的源／汲极区。其中，闸极的材质包括ｐ掺杂半导体材料，使得此记忆体特...

一种非挥发性记忆体的操作方法，其中非挥发性记忆体包括基底、闸极、电荷陷入层、源极区、汲极区，电荷陷入层靠近源极区的一侧为辅助电荷区，电荷陷入层靠近汲极区的一侧为资料储存区，且在进行操作之前预先在辅助电荷区中注入电子。当执行程式化操作时，...

通过在存储器单元的衬底区域与存储器单元的源极区域及存储器单元的漏极区域中至少一个之间测量电流，来操作一种具有电荷捕捉结构的存储器单元。当存储器单元结构的其它部分储存不相关的信息时，读取作业将不同部分的电荷捕捉结构之间的耦合减少。通过该读...

读取一种具有一种电荷储存结构的存储单元，该读取是通过在存储单元的衬底区域与存储单元的载电流节点之一之间测量电流而进行的。当存储单元结构的其它部分储存不相关的信息时，读取作业将不同部分的电荷捕捉结构之间的耦合减少。通过该读取作业，存储单元...

读取一种具有电荷储存结构的存储单元，该读取是通过在存储单元的载电流节点之一与存储单元的衬底区域之间测量电流而进行的。当存储单元结构的其它部分储存不相关的数据时，读取操作减少不同部分的电荷捕捉结构之间的耦合。通过该读取操作，存储单元的感测...

本发明公开了一种具有埋入的扩散间隔物的氮化物只读存储器的制造方法。氧化硅／氮化硅／氧化硅（Ｏ／Ｎ／Ｏ）层沉积在硅衬底上，并且多晶硅栅极形成在氧化硅／氮化硅／氧化硅（Ｏ／Ｎ／Ｏ）层之上。两个埋入的扩散间隔物形成在多晶硅栅极侧壁的两侧以及氧...

一种具有一电荷储存结构的非挥发存储单元，非挥发存储单元以存储单元的基板区与存储单元的至少一电流负载节点间的测量电流（例如带间电流）进行读取。为了强化非挥发存储单元的操作，频带结构工程是用以改变存储器组件的主体部以及另一支持测量电流的存储...

在一些实施例中，提供一种存储器集成电路。存储器集成电路具有不同的具有浅沟的隔绝结构于存储器集成电路的存储器电路及存储器集成电路的控制电路之中。隔绝介电结构是以不同的程度填充具有浅沟的隔绝结构的沟渠。在一些实施例中，提供一种存储器集成电路...