【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，以及特别在于降低半导体后段工艺 技术中，过孔的金属熔化突出的制造失败上。
技术介绍
半导体晶圆的制造必须历经一工艺流程。该流程包括诸如蚀刻和 光刻等所有不同的半导体晶圆工艺步骤。在传统的制造流程上会包括300-400步骤，其中每一步骤都会影响该半导体晶圆上单芯片的最终 电路结构的形成。在传统的制造流程上会区分为两类主要的次工艺。 第一种主要的次工艺可称为前段工艺(front end of line, FE0L)， 以及第二种主要的次工艺可称为后段工艺(back end of line, BEOL)。传统的前端工艺由晶圆的激光标记开始，和接下来浅沟槽隔离的 形成、形成P阱和N阱的离子注入、多晶硅的蚀刻，以及诸如晶体管 结构的漏极和源极等多种区域的离子注入。后段工艺可包括金属线路的形成，以及在晶圆上不同层的金属线 路间过孔接点(via contacts)的形成。而通常有两层或更多金属层 包括金属互相线路。过孔作用在两层金属层之间。后段工艺是前段工 艺各层上的装置与芯片上其他电路和芯片外装置的连结。各金属层传统上由物理气相沉积工艺所形成。...
【技术保护点】
一种在半导体后段工艺中形成半导体晶圆的过孔的方法，包括： 图案化过孔，用以形成所述过孔； 在所述图案化的过孔内形成第一金属粘着层的一部分； 冷却所述晶圆； 在所述图案化的过孔内形成所述第一金属粘着层的剩余部分；以及 在所述图案化的过孔内的所述第一金属粘着层上形成第二金属粘着层。
【技术特征摘要】
US 2006-11-22 11/562,834;US 2007-8-29 11/847,1351、一种在半导体后段工艺中形成半导体晶圆的过孔的方法，包括图案化过孔，用以形成所述过孔；在所述图案化的过孔内形成第一金属粘着层的一部分；冷却所述晶圆；在所述图案化的过孔内形成所述第一金属粘着层的剩余部分；以及在所述图案化的过孔内的所述第一金属粘着层上形成第二金属粘着层。2、 如权利要求1所述的方法，在所述形成第一金属粘着层的一 部分的歩骤前，还包括清洁所述晶圆的步骤。3、 如权利要求2所述的方法，在所述清洁所述晶圆的步骤之后， 且在所述形成所述第一金属粘着层的一部分的步骤之前，还包括冷却 所述晶圆的步骤。4、 如权利要求1所述的方法，在所述形成第二金属粘着层的步 骤之后，还包括冷却所述晶圆的步骤。5、 如权利要求1所述的方法，其中所述形成第一金属粘着层的 一部分的步骤，包括沉积所述第一金属粘着层的一部分于所述图案化 的过孔内。6、 如权利要求5所述的方法，其中沉积所述第一金属粘着层的 一部分的步骤使用物理气相沉积法。7、 如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一金属粘着层的剩余部分的步骤，包括沉积所述第一金属粘着层的剩余部分于所述图 案化的过孔内。8、 如权利要求7所述的方法，其中沉积所述第一金属粘着层的 剩余部分的步骤使用物理气相沉积法。9、 如权利要求1所述的方法，其中形成所述第二金属粘着层的 步骤，包括沉积所述第二金属粘着层于所述图案化的过孔内。10、 如权利要求9所述的方法，其中沉积所述第二金属粘着层的 步骤使用有机金属化学气相沉积法。11、 如权利要求l所述的方法，还包括在所述图案化的过孔内所 述第一 以及第二金属粘着层内部形成金属插塞的步骤。12、 一种在半导体后段工艺中形成半导体晶圆过孔的方法，包括: 形成第一金属层；图案化过孔，用以形成所述过孔；形成第一金属粘着层的一部分，其位于所述图案化的过孔内； 冷却所述晶圆；形成所述第一金属粘着层的剩余部分，其位于所述图案化的过孔 内；以及形...
【专利技术属性】
技术研发人员：骆统，黄启东，陈光钊，姜琼华，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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