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一种在半导体后段工艺中形成过孔的方法，包括沉积图案化过孔内部的第一金属粘着层的一部分，接着冷却步骤。在所述冷却步骤之后，再形成第一金属粘着层的剩余部分，并形成所述图案化过孔内部的第二金属粘着层。形成所述第一金属粘着层的剩余部分的工艺可参考芯...
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