本发明披露一种存储单元及其制造方法，并具体披露一种具有填充侧壁存储元件的相变化存储单元及其制造方法。此处所披露的存储单元其包含一底电极、一顶电极，于该底电极之上、一介层孔，具有一侧壁，其自该底电极延伸至该顶电极、以及一存储元件，其与该底...

一种存储单元，包括一个硅衬底、位于硅衬底上的一层捕捉层、分别位于捕捉层两侧的硅衬底内的第一与第二掺杂区、位于捕捉层上的一个栅极、位于栅极与捕捉层之间的一层第一氧化层、位于硅衬底与捕捉层之间的一层高界面捕捉密度（ｈｉｇｈ－Ｄｉｔ）材料层以...

本发明是有关于一种增进图案均匀度的方法，适用于包含有图案密集区与图案半空旷区的基底。基底上已依序形成有阻绝层与底抗反射层。此方法是先在底抗反射层上形成一层图案化光阻层，图案化光阻层包括位于图案密集区的第一光阻图案，与位于图案半空旷区的第...

一种在衬底上沉积阻障层的方法。首先，以离子化金属电浆物理气相沉积制作工艺，在衬底上沉积钛层，钛层的厚度在约为１０埃至约为１０００埃之间。接着，以金属有机化学气相沉积制作工艺，在所述钛层上沉积第一氮化钛层，第一氮化钛层的厚度在约为１埃至约...

本发明涉及存储器技术领域，公开了一种存储单元、存储单元阵列及存储单元阵列的制造方法。本发明提供的存储单元实施例包括一第二掺杂区位于一第一掺杂区之上，并在第一掺杂区与第二掺杂区之间定义一ｐｎ结。一第一电极位于第二掺杂区之上。一绝缘构件位于...

本发明公开了一种在存储器阵列与周边逻辑元件上形成硅化物的结构及方法。在第一区上形成第一厚度的电荷陷入结构、第二厚度的第一栅极介电层、第三厚度的第二栅极介电层，第三厚度大于第二厚度；沉积且图案化多晶硅以定义出字线及晶体管栅极；将部分的第二...

本发明涉及存储器技术领域，公开了一种存储单元，包括存储单元存取层，及位于该存储单元存取层之上的存储单元层。存储单元存取层包括底电极。存储单元层包括介电层与侧电极并至少有部分定义出开口，存储元件位于开口之内。存储元件包括存储材料通过施加的...

一种存储器结构，其特征在于，该存储器结构包括：　　　　一存储单元阵列，位于一衬底上，其中该存储单元阵列的一存储单元包括：　　　　一第一字线，位于该衬底上而沿着一第一方向延伸，该第一字线具有一第一字线宽度以及一第一主要侧壁表面；　　　　一...

本发明是有关于一种Ｌ型间隙壁的制造方法，先提供基底，基底上已形成有突起结构。然后，在基底上形成介电材料，覆盖住突起结构。接着，实施移除介电材料步骤，在此步骤同时移除突起结构顶部与部分基底上的介电材料，留下一Ｌ型间隙壁。本发明可以大幅地缩...

本发明是经由执行一保留改善工艺来改善一存储装置保留特性的方法。而该保留改善工艺包含，一烘烤流程，将该存储装置安置于一高温环境下；一确认流程，决定存储装置存储单元的逻辑状态；以及一重新编程流程，经由在一０－状态编程存储单元至一高阈值电压状...

本发明涉及一种非易失性存储器及其制造方法与操作方法，以及电路系统。该非易失性存储器包含设置于衬底上的存储单元，此存储单元具有第一单元、半导体层、第二单元与掺杂区。第一单元包含第一栅极、第一电荷陷入层与第二电荷陷入层，其中，第一电荷陷入层...

一种磁性存储器、其存储单元及其存储单元的制造方法。此磁性存储器的存储单元包括一底接触层、一位线、一磁性堆叠结构以及一介电材料。位线设置于底接触层的上方。磁性堆叠结构设置于底接触层及位线之间。介电材料至少充填于底接触层及位线之间，并且包围...

本发明提出一种存储器单元与其非易失性装置的制造方法。藉由采用具有分离式栅极结构的非易失性装置，藉以将存储器单元的逻辑状态储存于非易失性装置中。故而即使于电源关闭时，非易失性装置仍然能够保留储存的资料。其不但拥有静态随机存取存储器操作快速...

一种存储器结构，包括基底、电荷捕捉层、阻挡层、导体层及两个掺杂区。电荷捕捉层配置于基底上。阻挡层配置于电荷捕捉层上。导体层配置于阻挡层上。掺杂区分别配置于导体层两侧的基底中。

本发明公开了一种临场修补等离子体损害基底的方法。此方法适用于基底上已形成一构件，且形成此构件的步骤包括一含等离子体的蚀刻制程。此方法包括，在进行主蚀刻制程的机台进行软式等离子体蚀刻制程，以移除部份基底。软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为...

一种储存单元，设置于基底上，基底中具有多个隔离结构，这些隔离结构于基底中共同定义出至少一鳍状结构，鳍状结构的上表面高于这些隔离结构的上表面。储存单元包括有栅极、电荷陷入结构、保护层与二源极／漏极区。栅极设置于基底上，横跨鳍状结构。电荷陷...

一种重叠标记，包括下晶圆层的一部分，其中有二Ｘ向与二Ｙ向下条状图形，并包括由定义上晶圆层的微影制程所形成的二Ｘ向与二Ｙ向条状光阻图形，其被前述下条状图形围绕。定义下晶圆层的图案化制程与前述微影制程二者中至少有一者包括两次曝光步骤，分别用...

一种内连线制作方法。首先，提供具有导电区域的半导体基材。然后，形成具有接触窗的介电层以覆盖此半导体基材，且接触窗暴露部分的导电区域。接着，对覆盖有介电层的半导体基材进行热处理。最后，形成导电层于介电层上。

一种低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件。包括具有第一导电型的第一阱区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型漏极区、具有第一导电型源极区、场氧化层、栅介电层、栅极导电层以及具有第一导电型的掺杂区。第一阱区与第二阱区并邻位于基底中。漏极...

本发明公开了一种在非易失性存储单元中用以修正一过度擦除状态的装置和方法，一非易失性存储器元件实现在正常擦除周期中的自我收敛，经由物理外观的控制，例如，在该栅极结构以及整个栅极结构中介电层的厚度、宽度、面积等。自我收敛也可以在正常擦除周期...