临场修补等离子体损害基底的方法与晶体管元件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种临场修补等离子体损害基底的方法。此方法适用于基底上已形成一构件，且形成此构件的步骤包括一含等离子体的蚀刻制程。此方法包括，在进行主蚀刻制程的机台进行软式等离子体蚀刻制程，以移除部份基底。软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为低于３０％的该含等离子体的主蚀刻制程的电力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种晶体管元件的制造方法，且特别是有关于一种临场修补 等离子体损害基底的方法。
技术介绍
由于集成电路产业的蓬勃发展，元件的集成度也随之日益提高。在这样的趋 势之下，如何避免元件微縮所导致的短通道效应，以及元件间彼此紧邻所造成的漏 电与短路等问题， 一直是业界研究的重点。一般来说，为了让相邻晶体管的栅极可以隔离开来，栅极的两侧会设置有间 隙壁(spacer)。而且，间隙壁也可以用来作为形成晶体管的源极/漏极的重掺杂 (heavy doping)罩幕。以目前的制程进程看来，间隙壁已经可以称得上是每个晶体 管的必备构件之一了。迄今常见的间隙壁形成作法为，先在已经形成栅极的基底上沉积一层间隙壁 材料层。然后，在等离子体蚀刻反应腔室中，进行非等向性蚀刻制程。非等向性蚀 刻制程的原理为，对于基底所在的基板施以偏压，此偏压会吸引带正电的离子并且 使其加速，而后轰击基底，以去除部分间隙壁材料层并于栅极的侧壁形成一对间隙 壁。然而，等离子体蚀刻制程却也同时伴随着一些问题，其中之一就是等离子体损 害(plasma damage)的发生。等离子体蚀刻的特性就是以高能量粒子轰击基底，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种临场修补等离子体损害基底的方法，其中，该基底上已形成一构件，且形成该构件的步骤包括一含等离子体的主蚀刻制程，该方法包括：在进行该主蚀刻制程的机台进行一软式等离子体蚀刻制程，以移除部份该基底，其中该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为低于３０％的该含等离子体的主蚀刻制程的电力。

【技术特征摘要】
US 2007-5-18 11/750,7321.一种临场修补等离子体损害基底的方法，其中，该基底上已形成一构件，且形成该构件的步骤包括一含等离子体的主蚀刻制程，该方法包括在进行该主蚀刻制程的机台进行一软式等离子体蚀刻制程，以移除部份该基底，其中该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为低于30％的该含等离子体的主蚀刻制程的电力。2. 如权利要求1所述的临场修补等离子体损害基底的方法，其特征在于，该 间隙壁的材质包括二氧化硅或氮化硅；且该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为 50至150W。3. 如权利要求1所述的临场修补等离子体损害基底的方法，其特征在于，该 主蚀刻制程是用以形成栅极结构且该软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为0至 50W。4. 如权利要求1所述的临场修补等离子体损害基底的方法，其特征在于，该 软式等离子体蚀刻制程所使用的气体包括氟化物、氧气与惰性气体。5. 如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏心芳，蔡世昌，李俊鸿，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]