温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种临场修补等离子体损害基底的方法。此方法适用于基底上已形成一构件，且形成此构件的步骤包括一含等离子体的蚀刻制程。此方法包括，在进行主蚀刻制程的机台进行软式等离子体蚀刻制程，以移除部份基底。软式等离子体蚀刻制程所使用的电力为低于...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。