一种虚拟接地阵列存储器编程方法，虚拟接地阵列存储器包括一第一单元及一第二单元，第二单元相邻于第一单元。此方法包括，首先，选择第一单元为一目标单元，其中第二单元已被编程而具有一数据。接着，读取第二单元，并将数据记录于一寄存器。然后，编程目...

本发明公开了一种检测存储器元件中字线漏电的方法与装置，包括耦接存储器元件中多条第一字线至一电压源，并将多条第二字线接地，其中各条第二字线毗邻于此些第一字线。此方法包括等待一预定时间，使此些第一字线得以达到预定读取电压电平，再将此些第一字...

一种存储器测试方法，包括，首先，从存储器读取一数据，并将数据存储至一第一暂存存储器。同时，将一预期数据从一测试器写入一第二暂存存储器，预期数据是相对应于数据。之后，比较第一暂存存储器内的数据与第二暂存存储器内的预期数据以判断存储器是否具...

本发明公开了一种存储器装置，包括一存储器阵列，一状态缓存器以及一安全缓存器。存储器阵列具有多个存储器区域，各存储器区域是独立进行存取控制的。状态缓存器耦接至存储器阵列，状态缓存器包括至少一保护位用以指示对应保护位的此些存储器区域至少其中...

本发明是一种集成电路中存储器电路及其控制方法，该电路包括多个一般存储器及一参考存储器，该控制方法包括步骤如下：（ａ）读取处于一启始程序中的一般存储器；（ｂ）检测是否有任何一般存储器为非空白；及（ｃ）若有至少一个一般存储器为非空白，则编程...

本发明公开了一种存储器装置及其操作存储器的方法。此存储器装置包括多个存储器单元，且每个存储器单元都与相邻的存储器单元共享一个源极／漏极区。此方法施加一电子流至两个存储器单元之间的一个源极／漏极区，使得当欲程序化的存储器单元在其邻近的存储...

本发明是有关于一种存储器中记忆胞的写入方法，此存储器中欲写入的记忆胞为第一记忆胞，第一记忆胞具有第一Ｓ／Ｄ区并与第二记忆胞共用第二Ｓ／Ｄ区，且第二记忆胞具有与第二Ｓ／Ｄ区相对的第三Ｓ／Ｄ区。此方法包括：开启第一、第二记忆胞的通道，施加第...

本发明公开了一种传输数据流的电路，其包括一第一数据选择电路与一第二数据选择电路。第一数据选择电路具有多个第一可控制沟道，在一奇数时段中，接通该等第一可控制沟道中的一第一操作沟道，且在相邻于该奇数时段的一偶数时段中，断开该等第一可控制沟道...

本发明公开了一种电源开通阶段读取非易失性存储器的方法，包括下列步骤：首先，通过一参考电压读取该数据；接着，当该读取步骤具有一失败结果时，计算一失败次数；接着，当失败次数达到一预定次数时，调整参考电压。利用本发明，能够达成电源开通阶段有效...

一种适于在集成电路如具有电压升高的闪速存储器装置中使用的增强字线驱动器电路，它包括一负载减小电路。响应于升高的电压，该负载减小电路将被取消选择的增强字线驱动器（２１０）的栅电容负载与升压发生器（２０６）相去耦。容性负载的减小降低了能耗，...

一个适于在诸如闪速存储器设备的集成电路上使用的改进字线升压电路（１００）包含一个两步升压电路，这个两步升压电路具有一个浮动电路节点。一个第一电路（３００）从一个预充电电压开始对输出电压提供初始升压。第一电路的部件是浮动的，因而减轻了第二...

用于集成电路（１０５）的一种软编程方法，它被应用于连续的各主体位线，并且向在各位线上的被过分擦除的各浮栅存储器单元提供有效的收敛，它包括ＢＬＩＳＰ方法。跟整体软编程方法相比，ＢＬＩＳＰ方法适用于低电流消耗的情形。软编程被施加到已选定的各...

提供一种电路，用来把一个负电压（ＮＶＰＰ）施加到浮置栅极存储器单元（１０）上和把一个正电压施加到源极、漏极或沟道上，该电路包括：一个正电压源，向单元的源极（１３）提供一个正电压；和一个负电压源，响应供给电压向控制栅极提供一个负电压。包括...

在一个铁电电容存储单元内包括两晶体管分别连接两铁电电容，两铁电电容储存互补的极化状态，以定义出所储存资料，电容驱动线分别连接两铁电电容的一极板，字符线连接两晶体管的栅极，两位线分别连接两晶体管的源极或漏极，根据本发明侦测存储单元方法，预...

一种闪存的抹除方法，其步骤如下：首先在存储单元的栅极上施加偏压Ｖ↓［ｇ］，并于源／漏极上施加偏压Ｖ↓［ｄ］以进行抹除操作，此偏压Ｖ↓［ｄ］由一起始值开始随时间递增至一默认值，其间皆不进行检查步骤。接着检查各存储单元是否都已被抹除，如是则...

一种感应放大器，它能反转来自传输晶体管的输出信号以控制一预先充电晶体管。反相器结合预先充电晶体管将输出信号预先充电至一预先充电电压，此电压略低于数据门闩电路的反转电压。若被读取的数据胞为一低临界电压数据胞，即可导通或数字信号“１”，此时...

一种非挥发性内存的可靠性测试方法，包括：决定一栅极电压与读取电流衰减率的关系曲线；预估该一实际栅极电压与对应该栅极电压的一读取电流衰减率；从该关系曲线，求得对应该实际栅极电压的一加速测试栅极电压与一测试时间；以该加速测试栅极电压，连续在...

一种非挥发性内存的加速测试方法，包括：选择一临界电压变化量判断准则；施加一组负栅极偏压至非挥发性内存的栅极，进行加速测试，以获得一测试结果；依据该测试结果，取得一使用寿命对负栅极偏压的一关系曲线；以及依据该临界电压变化量判断准则，求得该...

一种非挥发性内存的可靠性验证方法。首先，决定程序电压与存储单元阵列之间的一关系曲线。接着预估该存储单元阵列预定的一程序电压。从该关系曲线，求得对应该预定的该程序电压的加速测试程序电压与测试时间，以加速程序电压，连续在测试时间内进行测试。...

一种增进感测放大器进度及稳定性的电路及方法，包括一补偿电流装置及一放电电流装置连接一传输晶体管一侧的数据节点，传输晶体管另一侧的感测节点连接一充电电流装置及一漏电流装置，漏电流是从补偿电流镜射。补偿电流维持传输晶体管不完全关闭及数据节点...