一种用于存储器装置的时钟产生器，其特征是包括： 一电阻； 一ＭＯＳＦＥＴ，具有一控制极、一漏极及一源极，该源极连接该电阻，以产生一参考电流； 一与电源电压及温度无关的第一参考电压，以控制该ＭＯＳＦＥＴ； 一电流镜...

一种俘获式非易失性存储单元，包括：　　　　一半导体衬底，该半导体衬底进一步包括一源极、一与该源极相隔的漏极，及一形成在该源极与该漏极之间的沟道区域；　　　　一覆盖该沟道区域的第一绝缘层；　　　　一覆盖该第一绝缘层并且利用电荷注入将电荷俘...

一种窄化起始电压分布的方法。此窄化起始电压分布的方法是通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此，此窄化起始电压分布的方法可以改进公知的先进非挥发性存储器的起...

一种高压输入垫的静电放电保护装置，包括一调节器连接在该输入垫与一骤回元件之间，在调节器的周围形成第一护环及第二护环，在该骤回元件的周围形成第三护环，第一护环控制电路及第二护环控制电路控制三个护环，使该保护装置在正常高压操作下具有较高的触...

本发明是有关于更新非易失性内存的方法与系统，重写入操作跟随更新操作而执行，更新操作在固定时间范围内执行，并从与选择的位线相关的字节存储单元开始，且循序地继续更新与其它位线相关的存储单元，测量存储单元电流，如果存储单元电流符合第一标准，则...

一种半导体存储器元件，其特征在于，该元件包括：一主阵列，包含复数个存储器单元，其中包括一第一故障单元及一第二故障单元；一冗余阵列，包含至少一个替换存储器单元，用以替换该主阵列的至少一个故障单元；以及一开关电路，与该主 ...

本发明是关于一种多级内存核心组件与其程序设计及读取方法，该多级内存核心组件包括一字符线（ｗｏｒｄ　　ｌｉｎｅ）及一位线（ｂｉｔ　　ｌｉｎｅ）的多级内存核心（ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ　　ｍｅｍｏｒｙ　　ｃｏｒｅ）。上述多级内存核心也包括一个与...

一种记忆体核心，其特征在于其包括：一字元线；一位元线；以及一核心晶胞，电性通讯于该字元线与该位元线，该核心晶胞包括一临界值可变式材质，程序化该临界值可变式材质以根据馈入至该字元线的一偏压来存取该核心晶胞。

本发明提供一种具最佳存储器擦除功能的非易失性存储器及相应的方法，特别是一种擦除非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括一源极、一栅极、一漏极、一沟道和一捕获层。根据本发明的一较佳实施例的方法总体上包括以下步骤：施加一非零栅极电压于该栅...

本发明是关于一种集成电路元件与位元组抹除的方法，是以垂直页面为基础，并藉由位元组的抹除支援位元组。在一垂直页面中的位元组被抹除，然后在暴露于因抹除程序所致的应力后，在此垂直页面中与被抹除位元组共享位元线的其它位元组被提供至一编程验证动作...

本发明是关于一种磁性随机存取记忆胞、阵列及程式化此种记忆胞的方法。该磁性随机存取记忆胞，包含一第一字元线与垂直于第一字元线的一第一位元线。配置于第一字元线与第一位元线的一交叉处的是具有一垂直磁场方向的一磁性隧道连结元件。为了程式化磁性随...

本发明揭露一种编码程序化光罩式只读存储器的方法。根据本方法，于已植入位线的基板的字符线以与门极氧化层上形成第一光阻层。接着，图案化第一光阻层，以于所有的存储单元上形成对应交叉字符线及位线的预编码透光孔。再利用粒子植入或电浆方式固化第一光...

一系统单芯片集成电路包括一可配置逻辑数组、一处理器核心以及一存储器用以储存任务功能指令与用于经由在集成电路上的输入端口从外部源加载配置数据到集成电路上的非挥发性配置储存装置中的配置加载功能指令，该处理器从该存储器中取得并执行指令，配置功...

一系统单芯片集成电路包括一可配置逻辑数组、一处理器核心以及一存储器用以储存任务功能指令与用于经由在集成电路上的输入端口从外部源加载配置数据到集成电路中的配置加载功能指令，该处理器从该存储器中取得并执行指令，使用配置加载功能接收的配置数据...

本发明提供一种闪存的程序化确认方法。当读取闪存的存储单元时，施加于存储单元的漏极的电压为读取漏极电压。首先致能字符线，施加一确认闸极电压。致能第一位线，第一位线是与存储单元的漏极电性连接，并施加一确认漏极电压于第一位线，其中确认漏极电压...

一种具有低的及固定的预充电负载存储器，包括复数个存储胞、第一金属线ＧＬ（ｎ－１）、ＧＬ（ｎ）及ＧＬ（ｎ＋１）、第二金属线ＢＬ（ｎ－１）及ＢＬ（ｎ）以及复数个字符线。第一金属线与第二金属线的设置次序为ＧＬ（ｎ－１）、ＢＬ（ｎ－１）、ＧＬ（...

本发明是有关于一种可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法。该记忆体结构在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，首先在一字元线解码晶体管的第一闸极上施加一第一电压。接着，在一位元线解码晶体管的第二闸极上施加一第...

本发明提供一种操作集成电路存储器器件的方法，其包含实施一确认程序，其中数据页及一组替换单元的一或多个位元与一图样并行匹配，以表示一确认结果，其数据页是“未修复”的数据页，且可包含有缺陷位线的一个或多个位元。在匹配以表示一确认结果的同时，...

一种非挥发内存的程序化方法，其是依照储存态的内存单元的位准分布情形选定一参考位准，再依照此参考位准将预定的内存单元程序化至下一储存态。其中，参考位准是在该储存态的内存单元位准分布范围及下一储存态的内存单元位准分布范围之间。

本发明是关于一种电荷陷入非挥发性记忆体的感测装置与方法。一种记忆胞，此记忆胞具有电荷陷入结构，并利用测量记忆胞的基底与记忆胞的源极和汲极的其中之一之间的电流，对记忆胞进行读取。当电荷陷入结构的其他部分储存不需被选取的资料，则读取操作会降...