编程非易失性储存单元将受到编程干扰作用影响，其可引发非易失性记忆体的数据精确性问题。本发明乃是把电压施加于相邻非易失性储存单元，以利用了编程干扰作用的快速编程多个储存单元的优点，而并不是仅仅掩盖会引起编程干扰作用的电压条件。

本发明提供一种具有一特殊行的存储器单元与一参考位线的集成电路存储器阵列，其中参考位线作为供阵列中的位线的共享预充电与箝位控制的参考。预充电晶体管连接至阵列中的各条位线，并适合于将各条位线的电压预充电至靠近一目标电平。一检测器具有连接至参...

本发明提供一种改良的感测放大器，以产生一感测延迟。该感测放大器包括一参考数据线，以耦接至模拟单元电流的小阵列。该感测放大器并分离预充电路径与感测路径，且以共栅极的ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ　　Ｏｘｉｄｅ　　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）对分别连接...

本发明披露一种存储器元件，其包括多条字线，以及在多种模式之一中操作且与上述这些字线中至少一条连接的多个存储器储存单元。该存储器元件亦包括多条参考线及多个参考储存单元。各参考储存单元皆与上述这些操作模式中之一种对应，针对该对应模式供应一参...

一种多模式充电泵电路具有对应于一组时钟信号的单一的充电泵。于一第一模式下所提供的这组时钟信号具有可变频率，此可变频率为一第一供应电位与温度的函数；而于一第二模式下所提供的这组时钟信号具有可变频率，此可变频率为一第二供应电位与温度的函数。...

本发明提供一种具有一特殊行的存储器单元与一参考位线的集成电路存储器阵列，其中参考位线作为供阵列中的位线的共享预充电与箝位控制的参考。多个箝位晶体管是连接至阵列中各条位线，并适合于避免各条位线的电压超过一目标电平。一比较器具有连接至参考位...

一种动态地隐藏存储器缺陷的方法及装置，该存储器含有至少一缺陷存储区；在一实施例中，一存储区占用对照表包含复数个栏位，每一个栏位对应该存储器的一个存储区，在该存储器的初始测试程序中，将缺陷存储区所对应的占用对照表的栏位加以标示，使其被认为...

各种方法与装置允许存储器的高速读取。部分的数据被复制并储存于其它字符线。藉由读取储存于由一条已经被预充电的字符线存取的数个存储器单元上的数据复本，可符合不用酌留预充电一第二字符线的时间的一延迟规格。

于一实施例中，一种存储装置包含阵列的储存单元、多重字线及多重位线，其中每条字线对应至此阵列的储存单元的一列，每条位线对应至此阵列的储存单元的一行。此装置还包含连接至此些字线的列解码器。列解码器是可操作以断定并停止断定个别的字线。每一条字...

一种非易失存储电路，提供具有多个参考单元的参考存储器，该参考存储器通过互连导体条状物在一组检测放大器中共享。每一参考存储器中具有的存储单元的数目越多，就可以产生较大电流用以对多个源极线充电。所述多个源极线耦接至该互连导体条状物，以产生与...

内存及其偏压方法。内存至少包括多个字符线、多个位线以及多个存储单元。这些字符线系相互平行，而这些位线系垂直于这些字符线。各存储单元系与这些字符线其中之一及这些位线其中之一耦接。内存的偏压方法系包括下列步骤：当对这些存储单元中的第ｉ存储单...

一种感测放大器，包括第一级放大器及第二级放大器，可补偿因感测放大器的温度变化而产生的输入偏移电压的变化。第一级放大器接收数据电压及参考电压，并输出第一数据输出及第二数据输出。第一级放大器接收调整电压，并偏压于一内部电压。第二级放大器包括...

一种双位闪速装置包括一个核心单元阵列，任意一个该核心单元阵列的单元用于储存双位数据，以及单一参考阵列，任意一个参考阵列单元包括一个编程为低门限电压的第一位与一个编程为高门限电压的第二位。

本发明公开一种响应于一擦除指令，保护电荷陷获存储器单元免于过度擦除的方法及装置。擦除电荷陷获存储器单元的方法，包括：响应擦除若干个电荷陷获存储器单元的指令，其中每个电荷陷获存储器单元具有与一个门限电压、一个编程状态及一个擦除状态相关的一...

一种闪存的更新方法。首先，测试闪存的多个存储单元，以判断是否对此些存储单元进行更新。然后，读取此些存储单元，且利用多个不同的感测比来判断是否有任何的存储单元需要被更新。若有任何存储单元需要被更新，则对其进行更新。只要利用固定的栅极电压即...

本发明描述一种页面模式编程序列，包括第一及第二偏压施加循环。在第一循环，编程偏压施加于此组存储器单元的第一部分，同时施加编程验证偏压及感测储存于此组存储器单元的第二部分。这样，此组存储器单元的第一部分被编程，而此组存储器单元的第二部分被...

本发明披露一种集成电路存储器元件的快速预先充电电路及一种集成电路快速预先充电的方法。快速预先充电电路包括一地址计算单元及一多重电源驱动器。地址计算单元检测区段距离集成电路存储器元件的驱动器的距离，而驱动器则根据地址计算单元的输出结果将一...

一种多电平单元（ＭＬＣ），可通过如每一单元中两端的每一端储存两比特来储存４比特。每一端可以储存，如四种不同电流电平状态，其通过在编程期间空穴注入如氮化层中的数目来决定。在一个提供的电位下，当更多的空穴注入，则电流减少。因此，电流可以是低...

一种磁性随机存取存储器（ＭＲＡＭ）单元，其包含磁性金属层与接近该磁性金属层的磁性感测设备。该磁性金属层的其中一端与字线晶体管耦接，而其另一端与第一位线耦接。该磁性感测设备可与第二位线耦接。该磁性金属层兼具编程及读取该单元的两种功能，使该...

本发明提供一种差动感测放大器，可配置为前置放大器或闩锁电路，由连接切换电路的时钟信号启动。当时钟信号设定在第一信号电平时，差动感测放大器的切换电路被启动，使得差动感测放大器配置为具有正反馈电路的前置放大器。当时钟信号设定在第二信号电平时...