闪存的更新方法与感测放大器电路技术

一种闪存的更新方法。首先，测试闪存的多个存储单元，以判断是否对此些存储单元进行更新。然后，读取此些存储单元，且利用多个不同的感测比来判断是否有任何的存储单元需要被更新。若有任何存储单元需要被更新，则对其进行更新。只要利用固定的栅极电压即可对此些存储单元进行读取。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器的更新方法与感测放大器电路，且特别是有关于一种闪存的更新方法与感测放大器电路。
技术介绍
闪存(Flash Memory)是一种固态装置，其具有非易失性且可复写的特性，有如随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)与硬盘机(Hard Disk Drive)的结合。此外，闪存还具有关掉电源仍可保存数据的优点。闪存的结构类似于电子抹除式可编程只读存储器(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory)，其具有地址线、数据线与控制线，且每一个存储单元皆包括一个晶体管来储存一位的数据。地址线仅具有单一的传输方向，仅作为存储器的输入，且用以定义数据被储存的位置。数据线具有双重的传输方向，可将数据输入或输出存储器。控制线用以定义读取、编程(Programming)与清除等指令。闪存是半导体产业中快速发展的一环，且广泛应用于数字相机、移动电话、打印机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、音频储存播放媒介(audio recorder and player)以储存软件与数据。闪存提供了快速的读取时间、低功率消耗以及良好的防震力等优点。对于目前应用闪存的消费性电子产品而言，如何维持数据的完整性是一项相当重要的课题。闪存具有三种操作功能，一是编程(写入)功能，用以将信息与数据储存至存储单元。二是读取功能，是将先前所储存的数据自此装置中读取出来以进行外部处理程序。完成编程功能或读取功能之后，数据仍然保留于此装置中。此外，闪存的第三种功能为清除功能，是将数据由存储单元中清除，以使存储单元准备接收新的数据。如美国专利编号5,365,486(Sschreck)的图2所示，其为传统的闪存的示意图。此闪存为改良式的N型金属氧化物半导体(N-channel Metal OxideSemiconductor)晶体管，其具有浮接的栅极。此浮接的栅极并无负电荷，因此，此闪存的存储单元的原始状态为1。欲对闪存的存储单元的内容进行编程、读取、确认与更新的方法有很多种，举例而言，美国专利编号5,365,486(Schreck)的图3a绘示控制栅极电压的两不同的电压电平是用以比较存储单元。首先，读取存储单元，并将此存储单元与较高控制栅极电压(42)进行比较。根据此读取操作来判断此存储单元是否包含数据(44)。若存储单元包含数据，则继续处理下一个存储单元(46)。若起始的测试并无发现任何数据(44)包含于存储单元，则以较低控制栅极电压(48)来读取此存储单元。经过此读取操作可以判断此存储单元是否包含数据(50)。若此存储单元并无包含任何数据，则继续处理下一个存储单元(46)。若此存储单元包含数据，则更新此存储单元(52)，且继续处理下一个存储单元(46)。如美国专利编号5,365,486(Schreck)的图3a，以及美国专利编号5,768,193(Lee et al.)的图1所示，皆利用两不同的字符线电压(控制栅极电压)电平来判断存储单元是否需要进行更新。由于每一字符线电压皆有稳定延迟时间，由于稳定延迟时间会增加完成操作所需的时间而会影响速度。此外，利用两字符电压电平将会增加栅极干扰的问题，进而影响稳定度及数据的保存。
技术实现思路
根据本专利技术的目的，提出一种闪存的更新方法，闪存具有多个存储单元，其中单一存储单元消耗固定的控制栅极电压Vg(例如字符线电压)。本专利技术实施例包括更新闪存的存储单元用以编程、读取、清除与电源启动级的操作。嵌入式算法用以完成比较的操作，以及判断哪一位在任何操作下需要被更新，不论是用以编程、清除、读取或电源启动级。利用单一且较低的控制栅极电压，此嵌入式算法可以避免栅极干扰的问题，且能提供更好的耐力、较快的操作及更好的数据保存力。本专利技术是通过提供一种嵌入式的检查方法来改善以往的技术架构，此方法是用以检查于编程、清除、读取与电源启动级的操作下，电荷流失/增益位的高/低临界电压。因此，相较于以往的技术架构，本专利技术的方法可以检查较高的电荷流失位与较高的电荷增益位。为了实现本专利技术的上述目的，提供了一种闪存的更新方法，用以测试闪存的多个存储单元是否需要进行更新，该方法包括(a)读取该闪存的该些存储单元；(b)利用多个不同的感测比来判断该些存储单元是否需要进行更新；以及(c)对该些存储单元中需要进行更新的存储单元进行更新。为了实现本专利技术的上述目的，还提供了一种闪存的更新方法，用以测试闪存的多个待测存储单元是否需要进行更新，对于各该些待测存储单元而言，该方法包括(a)读取该待测存储单元；(b)测量该待测存储单元的存储单元电流，且于第一感测比之下，将该存储单元电流转换为第一转换电压；(c)提供参考存储单元电流电平，且将该参考存储单元电流电平转换为参考存储单元的转换电压；(d)将该存储单元电流的该第一转换电压与该参考存储单元的该转换电压进行比较；以及(e)(i)若该存储单元电流的该第一转换电压是大于该参考存储单元的该转换电压，则对下一个待测存储单元执行(a)-(d)的步骤；(e)(ii)若该存储单元该电流的该第一转换电压不大于该参考存储单元的该转换电压，则于第二感测比之下，将该存储单元电流转换为第二转换电压，其中，该第二感测比是不同于该第一感测比，再将该存储单元电流的该第二转换电压与该参考存储单元的该转换电压进行比较，且若该存储单元电流的该第二转换电压是大于该参考存储单元的该转换电压，则更新该存储单元，若该存储单元电流的该第二转换电压不大于该参考存储单元的该转换电压，则对下一个待测存储单元执行(a)-(d)的步骤。为了实现本专利技术的上述目的，还提供了一种闪存的更新方法，用以测试闪存的多个待测存储单元是否需要进行更新，对于各该些待测存储器而言，该方法包括(a)读取该待测存储单元；(b)测量该待测存储单元的存储单元电流，且于第一感测比之下，将该存储单元电流转换为第一转换电压；(c)提供参考存储单元电流电平，且将该参考存储单元电流电平转换为参考存储单元的转换电压；(d)将该存储单元电流的该第一转换电压与该参考存储单元的该转换电压进行比较；以及(e)(i)若该存储单元电流的该第一转换电压不大于该参考存储单元的该转换电压，则对下一个待测存储单元执行(a)-(d)的步骤；(e)(ii)若该存储单元电流的该第一转换电压是大于该参考电存储单元的该转换电压，则于第二感测比之下，将该存储单元电流转换为第二转换电压，其中，该第二感测比是不同于该第一感测比，再将该存储单元电流的该第二转换电压与该参考存储单元的该转换电压进行比较，且若该存储单元电流的该第二转换电压不大于该参考存储单元的该转换电压，则更新该存储单元，若该存储单元电流的该第二转换电压是大于该参考存储单元的该转换电压，则对下一个待测存储单元执行(a)-(d)的步骤。为了实现本专利技术的上述目的，还提供了一种感测放大器电路，用以更新闪存的多个存储单元，该电路包括感测放大器，包括第一输入端，用以接收待测存储单元的存储单元电流的转换电压；以及第二输入端，用以接收参考存储单元电流电平的转换电压；多个与该待测存储单元有关的电压转换器，各该些电流电压转换器皆具有不同的感测比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的更新方法，用以测试闪存的多个存储单元是否需要进行更新，该方法包括：（ａ）读取该闪存的该些存储单元；（ｂ）利用多个不同的感测比来判断该些存储单元是否需要进行更新；以及（ｃ）对该些存储单元中需要进行更新的存储单 元进行更新。

【技术特征摘要】
US 2005-6-24 60/694,052;US 2006-6-8 11/449,3611.一种闪存的更新方法，用以测试闪存的多个存储单元是否需要进行更新，该方法包括(a)读取该闪存的该些存储单元；(b)利用多个不同的感测比来判断该些存储单元是否需要进行更新；以及(c)对该些存储单元中需要进行更新的存储单元进行更新。2.根据权利要求1所述的闪存的更新方法，其中，于步骤(a)中，该闪存的该些存储单元的读取仅需消耗固定的栅极电压。3.根据权利要求1所述的闪存的更新方法，其中，该些不同的感测比的一感测比为1∶1，而另一感测比为1∶X，其中X是实质上大于1。4.根据权利要求1所述的闪存的更新方法，其中，该些不同的感测比的一感测比为1∶1，而另一感测比为1∶Y，其中Y是实质上小于1。5.根据权利要求1所述的闪存的更新方法，其中，该固定的栅极电压约为零伏特至十伏特的范围。6.一种闪存的更新方法，用以测试闪存的多个待测存储单元是否需要进行更新，对于各该些待测存储单元而言，该方法包括(a)读取该待测存储单元；(b)测量该待测存储单元的存储单元电流，且于第一感测比之下，将该存储单元电流转换为第一转换电压；(c)提供参考存储单元电流电平，且将该参考存储单元电流电平转换为参考存储单元的转换电压；(d)将该存储单元电流的该第一转换电压与该参考存储单元的该转换电压进行比较；以及(e)(i)若该存储单元电流的该第一转换电压是大于该参考存储单元的该转换电压，则对下一个待测存储单元执行(a)-(d)的步骤；(e)(ii)若该存储单元该电流的该第一转换电压不大于该参考存储单元的该转换电压，则于第二感测比之下，将该存储单元电流转换为第二转换电压，其中，该第二感测比是不同于该第一感测比，再将该存储单元电流的该第二转换电压与该参考存储单元的该转换电压进行比较，且若该存储单元电流的该第二转换电压是大于该参考存储单元的该转换电压，则更新该存储单元，若该存储单元电流的该第二转换电压不大于该参考存储单元的该转换电压，则对下一个待测存储单元执行(a)-(d)的步骤。7.根据权利要求6所述的闪存的更新方法，其中，于步骤(a)中，该闪存的该些存储单元的读取仅需消耗固定的栅极电压。8.根据权利要求6所述的闪存的更新方法，其中，该些待测存储单元为电荷流失存储单元。9.根据权利要求6所述的闪存的更新方法，其中，该些不同的感测比的一感测比为1∶1，而另一感测比为1∶X，其中X是实质上大于1。10.根据权利要求6所述的闪存的更新方法，其中，该些不同的感测比的一感测比为1∶1，而另一感测比为1∶Y，其中Y是实质上小于1。11.一种闪存的更新方法，用以测试闪存的多个待测存储单元是否需要进行更新，对于各该些待测存储器而言，该方法包括(a)读取该待测存储单元；(b)测量该待测存储单元的存储单元电流，且于第一感测比之下，将该存储单元电流转换为第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：何濂泽，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]