一种用以操作集成电路的多阶单元存储阵列于第一编程阶级，在第一编程阶级，将第一数据编程于该多阶单元存储阵列的第一多个多阶单元中。感测这些第一多个多阶单元的临界电压，并根据这些临界电压的读取而设定一调整码。在第二编程阶级，将第二数据编程于该...

一种缺陷存储单元的筛选方法，用于一内存上。内存一般划分成许多区块，并以区块为单位作抹除的动作，一区块具有Ｎ个存储单元，Ｎ为大于１的正整数。Ｎ个存储单元系为一第１～Ｎ个存储单元。在此方法中，验证第ｉ个存储单元是否抹除成功，ｉ为小于或等于Ｎ...

一种读取双位存储单元之方法。双位存储单元包括控制端、第一端以及第二端，双位存储单元于邻近第一端及第二端之处分别具有第一位储存节及第二位储存节。首先，分别施加控制电压及读取电压至控制端及第一端，且将第二端接地，以测量第一端的第一输出电流值...

一种存储器读取错误检测方法，包括，首先，接收至少一笔数据片段，并据以产生一错误修正码及一计数指标。然后，将至少一笔数据片段、错误修正码及计数指针写入于一存储器。之后，从存储器读取至少一笔数据片段为至少一笔读取数据片段，并据以产生一新错误...

一种闪存的写入电路与写入方法，本发明利用固定电流来进行闪存的写入，以调整闪存的门槛电压。当写入电路对闪存进行写入时，本发明利用闪存的漏极电压变化，来判断闪存的门槛电压是否达到所期望的电压值。因此，本发明可准确的调整写入后的门槛电压，并缩...

一种用于编程多个可编程电阻性存储单元的方法，其包含：　　　　在每一存储单元上执行下列步骤：　　　　（ａ）读取存储单元的电阻值；　　　　（ｂ）读取对应至该存储单元的输入数据；　　　　（ｃ）假如该电阻值是在较高电阻状态且该输入数据对应至第一...

本发明实施例包括一种存储单元的编程方法。此存储单元在第一状态具有最大初始起始电压。存储单元将被编程至多个状态其中之一，其具有一个相对于最大初始起始电压的较高的目标起始电压。在最大起始电压和目标起始电压之间具有线索（ｃｕｅ）电压，此存储单...

本发明披露一种编程以及编程验证一闪速存储器的方法，其可和缓埋藏接触感应操作以及增进可靠度。在本发明的第一目的中，一编程操作方法，其提供不同的编程偏压至不同组的存储单元。此编程偏压可以被施加于漏极偏压或是栅极偏压。此编程偏压根据哪一组存储...

本发明提供一种在开启电源时序下调整读取参考电位的方法及其装置，该方法包括：在电源电压开启期间，从具有读取参考电位的非挥发性存储器中读取第一逻辑值资料和第二逻辑值资料，根据上述两个资料的至少一个加以比较调整用以判别第一逻辑值和第二逻辑值的...

一种循序存取存储器的方法，应用于存储器，存储器具有ｍ＋１条位线及至少一行晶体管，ｍ为正整数。该方法包括，首先，于预放电周期，使得晶体管的第一端及第二端的电压电平均为地电压。接着，于第ｎ读取周期，转换第ｎ个晶体管的第一端的电压电平为源极电...

本文涉及用于存储单元上的编程的方法、装置与计算机程序产品。本发明披露一种用以重置具有一存储单元临界电压的相变化存储单元的方法、系统与计算机程序产品。该方法包括读取该存储单元的电阻值，假使该电阻值大于一选定电阻值，则中止该存储单元的重置。...

一种具有栅极的二极管非易失性存储单元，其具有电荷储存结构，包含具有额外栅极端的二极管结构和位于二极管节点之间的扩散障碍结构。实施例包含单个存储单元、这种存储单元的阵列、操作该存储单元或该存储单元阵列的方法、以及其制造方法。

本发明提供一种对虚拟接地阵列存储装置施加双侧偏压的方法，此存储装置由Ｎ－位存储单元阵列所构成。在第一实施例中，虚拟接地阵列由双侧偏压方法而编程，此方法同时施加相同或类似的偏压电压到选定电荷捕捉存储单元的源极区域与漏极区域，使得选定电荷捕...

本发明公开了一种包含一序列周边接口存储元件的集成电路的双重输入输出数据读取方法。在一实施例中，此存储元件包含一频率信号、多个接脚及一组态缓存器。在一实施例中，此组态缓存器包括一等待周期计数。此方法包含同时使用第一输入／输出接脚及第二输入...

本发明涉及用于多阶相变化存储器的电流顺从感测架构。一种存储装置及读取该装置的方法，包含具有与其相关的数据状态的相变化元件，其特征在于在有读取电流存在时，将相变化元件的数据状态维持一致。存储电路包含定义感测节点的感测放大器。电路选择性地放...

一种快闪存储器的存储单元逻辑状态判断方法，快闪存储器具有多条字符线及多条位线。此方法包括，首先，施加一第一电压于存储单元以得到一单元电流，其中，第一电压随着存储单元的感测寄生电阻而变化。接着，施加一第二电压于相对应于存储单元的一参考单元...

本发明涉及非易失性存储器技术领域，公开了一种用以操作非易失性存储器单元的方法，该非易失性存储器单元具有储存电荷的一电荷捕捉结构，以及包括一栅极区域、源极区域与漏极区域和一本体区域的多个电压终端，该方法包括：响应一指令以增加电子至该电荷捕...

一种改善电荷捕捉存储单元过擦除效应的方法。电荷捕捉存储单元具有晶体管，晶体管的第一端耦接至第一位线，晶体管的第二端耦接至第二位线。此方法包括，在电荷捕捉存储单元完成擦除的动作后，电性连接该第一位线及第二位线，使得第一位线的电压电平相等于...

一储存装置中的一存储单元包含相变化材料，伴随程序化该储存装置的方法一起被描述。在此揭露一用以程序化该储存装置的方法，包含施加一递增的第一电压在该存储单元上，以及监测该存储单元中的电流以检测该相变化材料的一相转变的开始。当检测到该相变化材...

本发明公开了一种操作电荷捕捉多阶存储单元存储阵列的方法，包含利用一第一编程机制，编程一第一电荷捕捉位置成为一初步第一阶值，编程一第二电荷捕捉位置成为一初步第二阶值，以及编程一第三电荷捕捉位置成为一最终第三阶值。随后，再利用一第二编程机制...