一种进行抹除操作的方法，适用于具有多个存储单元的非易失性存储元件。此方法是将至少一个在程序化之前在一抹除阶段具有在一第一区的临界电压值的存储单元程序化，该存储单元在程序化之后具有在一第二区的临界电压值，其中该第二区的临界电压高于该第一区...

本发明公开了一种包含相变化材料的存储单元以及编程此存储单元的方法。此编程方法包含设定该存储单元的一数据值，以及施加一组脉冲以储存该数据值。该组脉冲包括一初始常态化脉冲，其具有一脉冲形状用于将该存储单元的该相变化材料预先调整至一标准化电阻...

本发明涉及存储器技术领域，公开了一种存储单元，包括一位线、一读取字线、一程序化字线、一读取装置，与一程序化装置。一存储元件在第一与第二存储元件终端之间包括一存储区域，其包括一存储材料，此存储材料的电气性质可通过施加能量而改变。一能量发射...

一种金属位线排列方法，应用于一虚拟接地阵列存储器。存储器具有多个存储单元数据块，存储单元数据块分别具有多个存储单元、多个选择晶体管及ｍ条金属位线，ｍ为正整数。存储单元的漏极所电性连接的金属位线被定义为漏极金属位线，源极所电性连接的金属位...

一种验证流程，于变更一存储器内所储存的数据后执行，用以验证该存储器的数据状态是否正确。此一存储器具有多个存储单元阵列与一易失性存储器。首先，读取此易失性存储器内所储存的存储单元验证数据。此存储单元验证数据用以指示这些存储单元前次验证状态...

一种存储器读取电路。存储器包括第一存储单元及第二存储单元，第一存储单元相邻于第二存储单元。存储器读取电路包括源极端感测电路、漏极端偏压电路、第一选择电路以及第二选择电路。漏极端偏压电路提供漏极端偏压。第一选择电路用于在一读取操作模式连接...

一种磁性存储器的写入方法。磁性存储器包括第一磁性固定层、第二磁性固定层及磁性自由层。第一磁性固定层固定于第一磁性方向，第二磁性固定层固定于第二磁性方向。磁性自由层可磁化为第一磁性方向或第二磁性方向。写入方法包括：（ａ）施加外加磁场于磁性...

本发明是有关于具有可编程电阻存储元件（例如硫属化物材料元素）的非易失性存储单元，进行更新操作。更新操作包括一加热信号与一冷却信号，其中加热信号的功率是比复位信号高，而冷却信号的维持时间则比设置信号长。

本发明公开了一种用以操作双边偏压“与非（ＮＡＮＤ）”存储阵列元件的方法。一种双侧偏压方法通过同时施加一偏压至第一结（一源极区域）与第二结（一漏极区域）来对一电荷捕捉存储单元的一右方位与一左方位进行平行编程或是平行擦除。随意（或选择性）位...

一种非挥发性存储器的操作方法，其为对选定的氮化物储存单元进行读取操作，且对相邻选定的储存单元一侧的字线施加第一正电压，以及对其另一侧的字线施加第二正电压。此操作方法，不仅可有效抑制耦合干扰的问题，而且可获得较大的操作窗口。

本发明是有关于对一多阶单元存储装置施加双侧偏压的方法，此存储装置包括一与非阵列其包括多个电荷捕捉存储单元。一存储装置是以一双侧偏压电子注入技术进行编程，并以一双侧偏压空穴注入技术进行擦除。每一电荷捕捉存储单元包括２↑［ｎ］个逻辑状态，例...

一种以开启模式辅助电荷操作于电荷捕捉式存储器的高速程序化及擦除的方法。电荷捕捉式存储器包括一电荷捕捉结构位于一衬底之上，且衬底具有一源极区和一漏极区。电荷捕捉结构包括一电荷捕捉层位于一介电层之上。电荷捕捉层具有一辅助电荷点（即第一电荷捕...

一种存储器，包括一存储器阵列、一错误校正码（Ｅｒｒｏｒ　ｃｏｒｒｅｃｔ　ｃｏｄｅ，ＥＣＣ）单元与一比较器。存储器阵列包括至少一存储单元。存储单元被写入并存储至少一原始数据。错误校正码单元用以由存储单元读取出至少一测试数据。若测试数据中出...

本发明是揭露一种用以修复存储器的方法与装置，会从一测试机所传送的一修复指令，是致使一正在进行测试的集成电路将此集成电路中的一第一组存储单元的失效位置，由此集成电路中的一第二组存储单元所取代，而此修复指令是忽略此集成电路的第一组存储单元的...

本发明公开了一种用于擦除以及恢复存储器阵列的方法。存储器阵列包括存储单元的多个扇区。在擦除存储器阵列的扇区后，检查存储器阵列的所有存储单元，以发现存储器阵列的其它未擦除扇区中的已编程存储单元。若发现已编程存储单元，则编程并验证已编程存储...

本发明公开了一种用以双重编程电荷捕捉存储器的多位存储单元中多阶存储单元的方法。电荷捕捉存储器包括多个电荷捕捉存储单元。此双重编程方法以两阶段进行，一预先编程阶段及一后编程阶段，并且适用于电荷捕捉存储器的一字线（一字线中的一区段（ｓｅｇｍ...

本发明公开了一种非易失性存储器及其操作方法。非易失性存储器包括存储单元阵列、第一虚拟单元阵列、地址译码单元及同步编程电路。存储单元阵列包括一第一存储单元，而第一虚拟单元阵列包括一第一虚拟单元。第一虚拟单元系相邻于存储单元阵列之边缘一侧，...

本发明公开了一种驱动电路，包括第一开关、第一驱动器以及第二驱动器。第一开关的第一端耦接至一第一电压。第一驱动器包括第二开关及第三开关。第二开关的第一端耦接至第一开关的第二端，第二开关的第二端耦接至一第一电容。第三开关的第一端耦接至第二开...

一种存储器存取方法。存储器包括多个多层单元，每一个多层单元可储存２ｎ位，ｎ为正整数。此存储器存取方法包括，首先分别定义每个多层单元的临界电压为２↑［ｎ］层，每一层均对应于一ｎ位的储存状态，０～２↑［ｎ／２］－１层所对应的储存状态的最高效...

本发明公开了一种存储器及其程序化方法，存储器包括多个多级单元，每一个多级单元包括一第一半单元及一第二半单元。此方法包括，首先，提供一目标地址及相对应的将要储存的２ｎ群数据，其中，ｎ为正整数。之后，在一程序化循环内，依据目标地址，将２ｎ群...