可改善擦除操作特性的非易失性存储元件制造技术

一种进行抹除操作的方法，适用于具有多个存储单元的非易失性存储元件。此方法是将至少一个在程序化之前在一抹除阶段具有在一第一区的临界电压值的存储单元程序化，该存储单元在程序化之后具有在一第二区的临界电压值，其中该第二区的临界电压高于该第一区的临界电压。抹除操作，是进行存储单元比特的程序化，使负电荷载子或电子注入于存储单元，替代传统将热电洞注入存储单元的方式。此方法可以避免热电洞注入造成的室温漂移以及电荷损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种非易失性存储元件，且特别是有关于种可改抹除操作特性的非易失性存储元件北 冃學技术巨、z -刖的电子组件通常是以非易失性储存元件来储存大量的数据举例来说，移动电话可以接收和储存影像，再转移到它的元件所取得的信息可以储存在一个或是多个非易失性存储元件中为能处理和储存这一胜信息，储存元件的形式通常必须有能够将存储单元阵列中的储存比特程序化或抹除的功用常见的非易失性存储现 益是一种可以在个存储单元储存两个比特的储存电荷捕捉存储器图1是公知种电荷捕捉存储元件的存储单元100的剖面示思图。电荷捕捉存储单元100包括一层位于源极120、漏极130以及沟道层140上方的薄氧化物/氮化物/氧化物(0N0)层110 。柵极层1 5 0则是形成在0N0层1 1 0上方。此存储单元 可以形成 一 个金氧半场效晶体管(M0SFET)。因此，对 存储单元l 0 0来说，数据可以以电荷的形式储存在 MOSFET的沟道层1 4 0边缘上方的ONO层1 1 0之中。将电荷捕捉存储单元1 o o程序化的方法可以通过将沟道执电子(CHE)注入于ONO层1 1 0的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种进行抹除操作的方法，适用于具有多个存储单元的非易失性存储元件，其特征在于，包括：在一抹除阶段，将至少一个在一第一区的临界电压值的存储单元程序化，该存储单元在程序化之后具有在一第二区的临界电压值，其中该第二区的临界电压高于该第一区 的临界电压。

【技术特征摘要】
US 2007-2-7 11/703,9161. 一种进行抹除操作的方法，适用于具有多个存储单元的非易失性存储元件，其特征在于，包括在一抹除阶段，将至少一个在一第一区的临界电压值的存储单元程序化，该存储单元在程序化之后具有在一第二区的临界电压值，其中该第二区的临界电压高于该第一区的临界电压。2、如权利要求1所述的进行抹除操作的方法，苴 z 特征在于，中，包括将至少个有在该第区的临界电压值的存储单元程序化，该存储单元在程序化之后員有在第二区的临界电压值，苴 Z 、中该第二区的临界电压咼于该第二区的临界电.压3.如权利要求1所述的进行抹除操作的方法特征在于，中，包括:将在程序化之刖具有在该第区的存储单元的第一读取电压值调整为在程序化之后具有在该第一区的一第读取电压值。4、如权利要求1所述的进行抹除操作的方法，其特征在于，中，包括将在程序化之目ij具有在该第区的存储单元的 第一程序化验证电压值调整为在程序化之后有在该第二区的 一 第二程序化验证电压值。5 、如权利要求1所述的进行抹除操作的方法，特征在于，其中，将该至少一存储单元程序化的方法包括将电子注入于该存储单元中，以使该存储单元的临界电压值增加。6、一种非易失性存储器，其特征在于，包括多数个存储单元，各存储单元的结构可至少储存储存比特；以及多数个用以程序化至少一存储单元的装置，在抹除阶段， 该存储单元在程序化之前具有在一第—区的临界电压值，在程序化之后具有在 一 第区的临界电压值，其中该区的临界电压高于该第区的临界电压。7、如权利要求6所述的非...

【专利技术属性】
技术研发人员：何文乔，张钦鸿，张坤龙，洪俊雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]