专利查询
首页
专利评估
登录
注册
旺宏电子股份有限公司专利技术
旺宏电子股份有限公司共有3210项专利
形成具有抗蚀刻效应的光阻的方法技术
一种形成具有抗蚀刻效应的光阻的方法,至少包括:提供底材;形成具有图案的光阻在底材上;放置底材与光阻于低压环境;以电子束照射光阻使得至少部份光阻被固化。本发明通常是在蚀刻程序前进行,但也可以扩展应用于一面进行蚀刻程序一面以电子束照射光阻,...
改善曝光机台的分辨率极限的方法技术
本发明是有关于一种改善曝光机台的分辨率极限的方法,其是在一曝光机台中介于一光罩与一投射透镜的部分填入一透射物质,其中此透射物质的折射率大于1。由于此透射物质的折射率大于1,如此便可使光源产生的平行光在通过光罩后形成的绕射光的角度减小,以...
形成光阻图案的方法技术
一种形成光阻图案的方法,此方法是在基底上形成光阻层,再以光罩对光阻层进行第一曝光工艺。接着,进行第一显影工艺以使光阻层形成图案化光阻层。然后,直接对第一图案化光阻层进行第二曝光工艺,以使部分第一图案化光阻层曝光分解,以形成曝光分解层。其...
可调式偏振光反应光阻与应用该光阻微影工艺制造技术
一种可调式偏振光反应光阻与应用此光阻的微影工艺,适用于曝光光学系统的高数值孔径。此光阻的组成中包含一感光聚合物,此感光聚合物能吸收曝光光源而产生光反应,且能以电场或磁场排列成一预设指向,而此感光聚合物对一偏振光的反应性是随此预设指向与偏...
消除由化学收缩辅助清晰度提高的平印工艺中轮廓失真的方法技术
提供图案化光阻在底材上,在此数个离子被形成在图案化光阻上,这些离子在图案化光阻侧壁的密度大于这些离子在图案化光阻的顶部的密度。处理图案化光阻,使得这些离子在图案化光阻侧壁的密度大约等于这些离子在图案化光阻顶部的密度。以反应层覆盖图案化光...
有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法技术
一种有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法,是依序在基底上形成材质层、有机底部抗反射涂布层与光阻图案后,使用至少包括部分取代氟烷气体的等离子体蚀刻气体对有机底部抗反射涂布层进行蚀刻。其中,部分取代氟烷气体蚀刻有机底部抗反射涂布层,并且于光阻图案...
去除感光性树脂与残余聚合物的方法技术
一种去除感光性树脂和残余聚合物的方法。利用一包含SCl溶液和CR溶液,且SCl溶液应用在CR溶液之前的湿式蚀刻工艺。其中,SCl溶液主要由氢氧化氨(NH#-[4]OH)、硫酸(H#-[2]SO#-[4])和水所组成,以去除侧壁栅状聚合物...
增进介电抗反射涂布层的光阻蚀刻选择比的方法技术
一种增进介电抗反射涂布层的光阻蚀刻选择比的方法。此方法利用由三氟甲烷、氩气与氮气所组成的蚀刻气体于同一蚀刻室中进行蚀刻介电抗反射涂布层与金属层的工艺。
多阶段烘烤光阻以改善光刻品质的方法技术
一种多阶段烘烤光阻以改善光刻品质的方法,先涂布光阻于晶片上,再进行曝光前烘烤光阻,然后曝光图案于光阻之上,再进行多阶段式烘烤光阻,显影光阻及显影后的烘烤光阻。本发明亦可使用于光阻的曝光前烘烤或光阻显影后的烘烤,对光阻进行多阶段式烘烤,使...
避免定位误差的双镶嵌结构制作方法技术
本发明提供一种制作一双镶嵌结构的方法。本发明方法采用一种称为DiRECT的低温化学气相沉积技术,可于一限定双镶嵌结构的光致抗蚀剂层上沉积一低温氟碳薄膜。此氟碳薄膜由于是在一低于100℃的沉积条件下形成,因此不会破坏光致抗蚀剂层,并且可以...
多重抗反射层及其采用此种多重抗反射层的微影制造方法技术
本发明是关于一种多重抗反射层及其采用此种多重抗反射层的微影制造方法,其中,该多重抗反射层是由至少两层的抗反射层夹着一层硬罩幕层所组成,其可在不受硬罩幕层厚度变化的影响下,使多重抗反射层达到降低反射率的效果。该多重抗反射层的微影制造方法,...
光刻中的旁瓣图像搜寻方法技术
本发明是关于一种用于检测全芯片布局中的旁瓣的方法,全芯片布局具有设计于光罩上的主要图案。此方法包括以多边形、圆形或环形来围绕主要图案。执行光刻规则检验且使用多边形、圆形或环形来为旁瓣搜寻主要图案。较佳以误差旗标来标记旁瓣的位置。
将图案转印至基板的装置与方法制造方法及图纸
本发明是关于一种将图案转印至基板的装置与方法。辐射源沿辐射路径导引辐射。沿辐射路径而定位的曝光狭缝将辐射导引于基板处。曝光狭缝具有中心以及边缘部分。沿辐射路径而定位的透镜具有最佳焦点位置。支撑平台支撑基板并沿基板路径相对于辐射路径而移动...
重叠标记及其应用制造技术
本发明是关于一种重叠标记,用以检查由两次曝光步骤所定义的下晶圆层与用以定义上晶圆层的光刻制作工艺间的对准度,包括下晶圆层的一部分及一光刻胶图案。前者包括二第一X向、二第一Y向、二第二X向及二第二Y向条状图形。第一X向与第一Y向条状图形由...
控制光刻胶分配的装置和方法制造方法及图纸
一种控制光刻胶分配的装置及其方法,包括:旋转装置,用于放置晶片;光刻胶分配器,用于将光刻胶分配在所述晶片上;所述光刻胶分配器包括一上阀门和一下阀门,以及与该上阀门和该下阀门相对应的一上传感器和一下传感器,其中该上阀门连接于该磁性阀门,该...
电流电压特性的量测方法及电路技术
本发明是有关于一种电流电压特性的量测方法及电路。其是利用两个不同责任比(duty cycle)的时钟讯号输入待测装置以量测待测装置的电流电压特性。本发明可以减少待测装置的自热效应(self-heating effect),并增加待测...
用于量测电容性负载的电路结构与应用此结构的量测方法技术
一种用以测量电容的电路结构,其中电容性负载耦接于第一节点与第二节点之间。第一PMOS晶体管与第一NMOS晶体管的漏极耦接至第一节点,而第二PMOS晶体管与第二NMOS晶体管的漏极耦接至第二节点,焊垫耦接到第二节点。第一与第二PMOS晶体...
电容测量电路与方法技术
本发明提供一种电容测量电路,其包括一PMOS元件、一NMOS元件、一第一端子以及一第二端子,以便测量一电容元件的电容值。在本发明中,PMOS元件的漏极与NMOS元件的漏极电连接,第一端子的一端电连接至PMOS元件的漏极与NMOS元件的漏...
双边直排包装型态的双接触式测试夹具制造技术
一种双边直排包装型态的双接触式测试夹具,由主体、二条双接触式接触片、二条金属接地片、二条软质绝缘片所构成。其中二条双接触式接触片分别位于主体的二对应的边壁上,二条软质绝缘片分别位于双接触式接触片之上,二条金属接地片分别位于软质绝缘片上。
发电机电池充电装置监视电路制造方法及图纸
一种发电机电池充电装置监视电路,其特征在于该发电机电池充电装置监视电路包括:一电源检知电路,用于侦测电源是否输入该电池充电装置;一传统电池充电装置,电性耦接该电源检知电路,用于对一充电电池进行充电;一电流侦测电路,电性耦接该传统电池充电...
首页
<<
154
155
156
157
158
159
160
161
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133944
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68155
中兴通讯股份有限公司
67282
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51642
最新更新发明人
卡斯柯信号有限公司
2466
贵州钠石生态科技有限公司
3
江苏理工学院
5583
天人汽车底盘芜湖股份有限公司
50
南京师范大学
5959
江西省经济作物研究所
115
承德燕北冶金材料有限公司
76
健睿迅捷上海智能科技有限公司
1
唐山路远建材有限公司
39
永嘉县辉豪鞋材有限公司
6