电流电压特性的量测方法及电路技术

本发明专利技术是有关于一种电流电压特性的量测方法及电路。其是利用两个不同责任比（ｄｕｔｙ　　ｃｙｃｌｅ）的时钟讯号输入待测装置以量测待测装置的电流电压特性。本发明专利技术可以减少待测装置的自热效应（ｓｅｌｆ－ｈｅａｔｉｎｇ　　ｅｆｆｅｃｔ），并增加待测装置可量测的范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电气特性的量测方法与电路，且特别是有关于一种电流电压特性的量测方法与电路。
技术介绍
传统上，在静态偏压下对元件进行参数量测，会遭遇到自热效应(self-heating effect)等因素的影响，造成量测结果与理想值不同。自热效应是因为元件的温度升高，使其电子迁移率降低，造成元件电流降低的现象。尤其在高偏压、高功率的装置，例如横向扩散金属氧化半导体(LDMOS)与绝缘层上有硅(SOI)等的晶体管装置，自热效应更加明显。为了方便说明，以下图式中的待测装置皆以N型金氧半(NMOS)晶体管为例。图1为晶体管有/无自热效应的汲极电流与汲-源极电压的特性曲线图，可以看出自热效应会使汲极电流降低。由于传统量测方法的缺点，促成脉冲量测技术的发展，藉由元件热量的累积追随不上时钟讯号的快速改变，消除自热效应。请参阅图2A所示，是习知的晶体管电流电压特性的量测电路。量测方法首先，给予晶体管201的闸极一固定电压Vin，再来，藉由改变电压源VDD，并量测汲-源极电压Vout，则可以计算出汲极电流Id＝(VDD-Vout)/R，因此，得到该闸极电压下的汲极电流与汲-源极电压的特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流电压特性的量测方法，用以量测一待测装置的电流电压特性，其特征在于该量测方法包括：提供一第一电压与一第一时钟讯号给该待测装置，其中该第一时钟讯号具有一第一责任比（ｄｕｔｙｃｙｃｌｅ）；量测该待测装置以获得一第一电流 值；提供该第一电压与一第二时钟讯号给该待测装置，其中该第二时钟讯号具有一第二责任比，且该第二责任比不同于该第一责任比；量测该待测装置以获得一第二电流值；以及以该第一电流值、该第二电流值、该第一责任比以及该第二责任比计算并 获得在被供给该第一电压时该待测装置的一欲测电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林韦丞，吕国培，张耀文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]