本发明是关于一种高速感测电路及其感测方法，是关于测定第一信号（比如从记忆胞的源侧产生的信号）和第二信号（比如从参考参考仿真单元中产生的信号）之间差值的一种电路和方法，包括回应第一、第二信号分别产生第一、第二电压，测定回应于第二信号而产生...

本发明一种芯片测试机构的测试方法及其装置。其中芯片测试机构具有绝缘测试座与芯片压制金属块。绝缘测试座被至少一接脚贯穿，此接脚具有第一端部与第二端部，且绝缘测试座曝露出第一端部与第二端部。芯片压制金属块具有至少一压制部，此压制部适于电性连...

一种化学机械研磨工艺中氧化剂浓度的监控系统，包含一光谱仪与一中控器，其中光谱仪连接在研浆供应槽与研磨机台之间用来供应研浆的管路上，此光谱仪用来检测研浆中氧化剂的浓度；中控器与光谱仪、研浆供应槽与研磨机台连接，此中控器会根据光谱仪传来的信...

本发明的使用电泳技术测量浆料比重的方法包含三个基本步骤：首先，让浆料中的颗粒带电；其次，施加电流于电极上而使得带电颗粒被吸附到电极；最后，根据累积带电颗粒与电流的关系而推算出浆料的比重。本发明至少使用电极与用于经电极施加电流于导管中的浆...

一种检测废液浓度的设备，藉由该设备的检测结果可以决定由一废液收集槽排出废液的流量大小，其特征在于该设备包括：　　　　一混合槽，该混合槽具有一第一输送管；　　　　一检测槽，该检测槽是藉由该第一输送管与该混合槽相通；　　　　一纯水供应单元，...

一种监控晶圆缺陷的方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　提供一晶圆，该晶圆上存在有一缺陷；　　　　进行一化学处理步骤，以扩大该缺陷；　　　　在该晶圆上形成一共形材料层；以及　　　　侦测该晶圆上的该缺陷。

一种酸槽与反应槽稳定度的侦测方法。其中，酸槽稳定度的侦测方法是先提供一基底，再在此基底面形成一多晶质层。然后，将形成有多晶质层的基底放置到酸槽内，进行反应制程。接着取出此基底，以及利用一表面破坏检测机台对此基底的多晶质层表面进行量测，以...

本发明是关于一种反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻／沉积制程。该反应腔室泄漏的检测方法，是首先在一反应腔室中通入一气体，且所通入的气体是以全流量的条件通入反应腔室中。之后，量测反应腔室中的压力是否异常，即可判断出反应腔室是否有泄漏。若有泄漏...

一种清洗垂直式炉管的设备，其特征在于其包括：　　　　一溢流槽，其中待清洗的一垂直式炉管是放置在该溢流槽内；以及　　　　一清洗液供应装置，配置在该垂直式炉管的底部处，用以对该垂直式炉管的内部喷洒一清洗液；　　　　其中，该清洗液喷洒至该垂直...

一种适用于具有可替换的内壁的反应器的冷却系统，它包括气体调节温度总成、气体供应总成与气体控制总成。气体调节温度总成位于内壁与反应器侧壁之间，而气体供应总成与气体调节温度总成相连接，并供应气体调节温度总成运作所需的气体，而气体控制总与气体...

一种以能量表为基础的冰水机自动控制系统，由主控制器依据能量表设定的最高冰水冷冻吨或最低冰水冷冻吨与实际冰水冷冻吨比较后，决定冰水机的应激活台数，且在比较应激活的冰水机台数与实际激活的冰水机台数后，产生激活不足的冰水机台数或关闭多出的冰水...

一种化学供应系统，其是适用于配送一化学物至多楼层的多个使用端（ｐｏｉｎｔ　　ｏｆ　　ｕｓｅ，ＰＯＵ），其特征在于该化学供应系统包括：　　　　一第一化学供应装置，配置在一第一楼层，其中该第一化学供应装置内具有一控制单元；　　　　复数个主管...

一种管件，包括一管本体、一第一管凸缘、一第二管凸缘及一微调机构。管本体具有一第一端及一第二端，第一管凸缘及第二管凸缘分别设置于管本体的第一端及第二端。微调机构设置于第一管凸缘及第二管凸缘之间，用以调整管件的长度。

一种旋叶式节流阀，具有一阀体、一固定阀门、二旋转阀门及一转动装置。其中阀体具有一流体导管，其贯穿阀体且约略呈中空圆柱状，而固定阀门位于流体导管之内，并由一固定圆柱及多片固定叶片所构成。二旋转阀门则位于固定圆柱的同侧，并分别由一旋转圆柱及...

一种气体阀门，用以装设在一机台中。气体阀门包括一侧壁、一底板、一顶板、一密封元件、一滑动杆及一夹持件。侧壁具有一第一开口，底板连接于侧壁，底板具有一第二开口，顶板具有一第三开口，顶板连接于侧壁，顶板、侧壁及底板形成一空间。密封元件与第二...

一种具有监控功能以及管路冲洗功能的冲洗系统，此系统具有显示面板以及控制器，当使用者正使用冲洗装置时，信号会传回控制器并在显示面板上显示出信息，以利安全人员能立即提供协助。而且，控制器还能定时的对管路作冲洗，以确保管路与冲洗液的干净度。

一种用以清除液态物质的自动除污装置，该自动除污装置位于一推车上，该装置包括：一用以提供该自动除污装置的动力来源的泵系统；一用以收集该液态物质的清理系统，其与该泵系统耦接，并由该泵系统控制其关闭与启动；一与该清理系统耦接的储存系统，其用以...

本发明涉及一种铜电镀溶液及铜电镀方法，其可用来进行铜电镀，以填入一半导体基底上介电层内的介层窗中。此铜电镀溶液包括一含铜的电解质，一加速剂，以及作为抑制剂的乙二胺四乙酸（ＥＤＴＡ）。可改善铜电镀的填沟能力，避免介层窗内产生空隙。

本发明涉及一种反应室调节的方法。所述方法是导入有机气体至反应室中，所述的气体将与反应室中的微粒形成具黏附性的聚合物，且所述聚合物将沉积在反应室的内壁上并逐渐形成厚重的聚合物，使得反应室在被用来处理数批芯片时，每一芯片所遭遇的反应室环境相...

本发明公开了一种蚀刻溶液、基板的表面处理方法以及形成浅沟槽隔离的方法。此蚀刻溶液是用以进行半导体基板的表面处理，此蚀刻溶液包括氧化剂以及氧化物移除剂。氧化剂是用以氧化半导体基板为半导体氧化物。氧化物移除剂用以移除上述的半导体氧化物。