【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种清洁领域的清洗设备及其方法，特别是涉及一种能够有效的将沉积物分布不均的垂直式炉管的内壁清洗干净，且不会使清洁液对炉管其它沉积物较少的部位造成过度侵蚀，而非常适于实用的。
技术介绍
在半导体制程中，有许多形成薄膜的方法，其中有一种方法称为化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)。化学气相沉积是将反应气体导入高温炉内后，使反应气体和置于炉内的晶圆产生化学反应，而在晶圆表面沉积一层薄膜。传统的化学气相沉积法是用于生长SiO2、Si3N4、SiON或多晶硅(polycrystalline silicon)，但近年来也有人利用化学气相沉积法来生长金属层、阻障层、高介电材料、铁电材料以及低介电常数的材料等等。化学气相沉积制程所使用的沉积炉管，一般来说有水平式、垂直式及桶式等多种形式。以垂直式的沉积炉管来说，反应气体是由炉管的底部进入炉管内，在管内与晶圆产生化学反应后，沉积一薄膜于晶圆上。然而，该反应气体除了会在晶圆表面沉积一薄膜外，也会沉积于炉管的内壁，由于每一次沉积制程所需要沉积的薄膜成份不尽相同，所以必须按时清洗沉...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾国邦，王朝祥，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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