快闪存储器的存储单元逻辑状态判断方法技术

一种快闪存储器的存储单元逻辑状态判断方法，快闪存储器具有多条字符线及多条位线。此方法包括，首先，施加一第一电压于存储单元以得到一单元电流，其中，第一电压随着存储单元的感测寄生电阻而变化。接着，施加一第二电压于相对应于存储单元的一参考单元以得到一参考电流。之后，比较单元电流以及参考电流以决定存储单元的逻辑状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种，且特别是有关一 种节省存储器操作区间的。
技术介绍
非挥发性存储器的技术使用于现今的多种应用中，而快闪存储器(FlashMemory) 为其中之一。快闪存储器可用以读取及写入数据，而且储存于其中的数据不需要依 靠电源来维持，因此适用于各种数据储存的用途。请参照图l,其是传统快闪存储器的示意图。快闪存储器100包括多个存储单 元(Memory Cdl)M，这些存储单元M是以阵列形式排列。每一个存储单元M是由 相对应的字符线WL而致能。在对快闪存储器100进行读取(read)、编程(program) 或抹除(erase)的动作时，依据所要操作的存储单元M而致能相对应的位线BL及字 符线WL。位线BL是通过选择开关而决定是否电性连接至感测放大器单元102或 接地，选择开关未于图中显示。快闪存储器100于写入数据后，也就是编程后，需要进行验证(verify)程序来保 证数据写入的正确性，也就是确认存储单元M的临界电压是否在编程验证电压之 上。若存储单元M于编程后欲进行验证程序，则于相对应的字符线WL施加一验 证栅极电压，于存储单元M的漏极施加一漏极电压。快闪存储器100本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快闪存储器，包括：多条位线；多条字符线；多个感测放大器；以及多个存储单元，该些存储单元被分成ｎ个群组，ｎ为正整数；其中，每一个群组的存储单元连接到至少一参考单元；其中，属于同一群组的这些存 储单元具有于一预定范围内的多个感测寄生电阻。

【技术特征摘要】
US 2007-1-25 11/657,5241. 一种快闪存储器，包括多条位线；多条字符线；多个感测放大器；以及多个存储单元，该些存储单元被分成n个群组，n为正整数；其中，每一个群组的存储单元连接到至少一参考单元；其中，属于同一群组的这些存储单元具有于一预定范围内的多个感测寄生电阻。2. 根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于这些感测寄生电阻是由这 些存储单元的字符线的配置决定。3. —种快闪存储器的存储单元逻辑状态判断方法，该快闪存储器具有多条字符线及多条位线，该方法包括施加一第一电压于该存储单元以得到一单元电流，其中，该第一电压随着该存 储单元的感测寄生电阻而变化；施加一第二电压于相对应于该存储单元的一参考单元以得到一参考电流；以及比较该单元电流以及该参考电流以决定该存储单元的逻辑状态。4. 根据权利要求3所述的快闪存储器的存储单元逻辑状态判断方法，其特征 在于施加该第一电压于该存储单元的字符线以得到该单元电流。5. 根据权利要求3所述的快闪存储器的存储单元逻辑状态判断方法，其特征 在于施加该第一电压于该存储单元的漏极端以得到该单元电流。6. 根据权利要求3所述的快闪存储器的存储单元逻辑状态判断方法，其特征 在于施加该第一电压于该存储单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重光，洪俊雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]