存储器的字块写入方法技术

本发明专利技术涉及一种电可编程非易失性存储器的字块写入方法，存储器中要写入的字块包含至少一个字。根据本发明专利技术，该方法包含通过用固定的字块写入时间除以要写入的字块中字的数量确定单个字写入时间，并且控制存储器在写入时间内连续在存储器中写入每个字（Ｄ）的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及例如闪存(Flash-)或EEPROM-(电动可擦除和可编程只读类型存储器)的非易失性存储器的字块写入。作为本专利技术更特别地涉及在无源类型的非接触式集成电路存储器中 数据的写入，其通过天线信号产生的电压来供电。非接触式无源集成电路总体上用于RFID谢频识别)的应用并且可以 是感应耦合或电耦合类型。第一种类型的无源集成电路包含天线线圈，由负载调制发送数据，并 在总体上大约lOMHz的磁场频率存在的情况下通过感应耦合供电。这类 集成电路例如是由提供13.56MHz的工作频率的ISO/IEC 14443A/B和 ISO/IEC 15693标准描述的。第二种类型的无源集成电路由在几百MHz振动的超高频(UHF)电场 供电，并且通过调制其天线电路的光谱反射率来发送数据(技术上称为后 向散射)。这类集成电路标准化进程中的工业技术规范《EPCTM-GEN2》 中描述的(Radio-Frequency Identity Protocols Class-l Generation-2 - UHF RFID Protocol for Communications at 860 MHz - 960 MHz)。他们总体上 用于所谓远程的应用，其中集成电路和通常称为阅读器的、发送电场 的数据发送/接收站之间的距离可以达到数米。由于这些集成电路都是无源的，即远程供电，他们的范围直接取决于 其能耗。从另一方面说，其消耗的电量越少，则其范围越大。因此，有必 要尽可能地减少其电流消耗。从这个角度看，集成电路的存储器是相当大 的电量消耗项。例如EEPROM类型的存储器中一个或一个以上的字可以同时或连续 地字块写入。存储器的存储单元沿着字线和横截字线的位线分布。为了使多个字可以同时写入，每个字线都集合与形成与能被同时编程的字的最大 数量相乘的字的位数相对应的存储器。在字线中的所有字形成页。存储单 元使用连接到每个位线的编程锁存器来编程。因此，可以被同时编程的字 的数量直接联结到编程锁存器的数量。现在，存储单元的编程要求特别是在连接到要被编程的存储单元的位 线上的编程锁存器中应用高电压。该高电压由使用集成电路接收的电量的 高电压产生器产生。因而集成电路接收的电量必须产生能够提供给所有的 编程锁存器的、足够高的电压。此外，编程锁存器包含高压晶体管，其有 助于增加对能耗有直接影响的存储器的有源表面。当他们是非有源时，这 些高压晶体管也具有相当大的泄漏率，其有助于增加存储器的能耗。因此， 存储器中的编程锁存器的数量对存储器的能耗有直接影响。结果是可由若干字的页编程的存储器并不适合非接触式无源集成电 路，尤其当想增大其范围时。此外，在仅字可编程的存储器中模拟页编程模式的可能性已有考虑。 为达上述目的，要写入的字块的字可储存到缓存中，而后在存储器中连续 写入。对于存储器中要在确定的时间内写入的多个字块的字，通常需要减 少存储器写入周期的持续时间。现在，编程存储器单元需要将高电压施加 到编程锁存器一特定时间，该特定时间仅能以降低编程的可靠性为代价来 减少。此外，最好是逐渐施加该高电压，以便不破坏存储器单元的浮栅晶 体管。因此，本专利技术的一个目的是提供一种用于字块编程的非易失性存储器 的方法，其中连续写入字块的字而不减少写入字的正常周期的持续时间。该目的是通过提供一种用于字块写入电可编程非易失性存储器的方 法达成，存储器中要写入的字块包含至少一个字，该方法包含连续写入存 储器中要写入的字块中每一个字的步骤。根据本专利技术，该方法包含的步骤是-一用确定的字块写入时间除以要写入的字块的字的数量，以确定字写 入时间，和一控制存储器在写入时间内依次写入每个字到存储器中。根据本专利技术的一个具体实施例，存储器中每个字的写入包含施加在存 储器中写入字所需的高电压到存储器的步骤。根据本专利技术的一个具体实施例，存储器中每个字的写入包含应用逐渐 增加的写入电压直到其达到在存储器中写入字所需的高电压的步骤。根据本专利技术的一个具体实施例，施加到存储器的写入电压逐渐增大直 到达到高电压的持续时间与每个字的写入时间成比例。根据本专利技术的一个具体实施例，用于写入存储器中的字的指令的执行 时间少于用于写入字块的指令的执行时间。根据本专利技术的一个具体实施例，存储器是非接触式无源集成电路的EEPROM存储器。本专利技术还涉及非接触式无源集成电路，其包含电编程非易失性数据存 储器，和被设计成执行字块写入指令的处理单元，要写入的字块至少包含 二进制字，要写入的字块的每个字被连续写入存储器中。根据本专利技术，集成电路包含通过将固定的字块写入时间除以要写入的字块的字的数量确定要写 入的字块中每个字的写入时间的装置，以及用于控制存储器以控制在写入时间内写入存储器中要写入的字块的 每个字的控制装置。根据本专利技术的一个具体实施例，集成电路包含用于提供在存储器中写 入每个字所需的高电压的升压电路。根据本专利技术的一个具体实施例，集成电路包含每次字被写入存储器时都被激活的电路，以逐渐增加施加到存储器的写入电压，直到其达到在存 储器中写入字所需的高电压。根据本专利技术的一个具体实施例，施加到存储器的写入电压逐渐增大直 到其达到高电压的持续时间与每个字的写入时间成正比。根据本专利技术的一个具体实施例，用于在存储器中写入字的指令的执行时间少于用于写入字块的指令的执行时间。根据本专利技术的一个具体实施例，存储器是EEPROM存储器。本专利技术的这些和其他的目的，特征以及优点会在下面本专利技术的具体实 施例中有更详细的描述，涉及但不限于以下附图，其中-一附图说明图1示意性表示根据本专利技术的非接触式集成电路的结构。—图2表示在图1中以框图形式表示的非易失性存储器的实施例的例子；_图3以框图形式表示图1所示的集成电路的逻辑电路；一图4是描述接收字块写入指令后由图3中的逻辑电路实施的操作的 流程图；—图5是在图1中以框图形式表示的斜坡产生电路的接线图；一图6A到6F是表示根据本专利技术的集成电路的操作的电信号的时序图。在图1中表示的集成电路TG典型的包含天线电路1、供电电路RFST、 解调电路DEM、译码电路DEC、调制电路MOD、中央处理单元CPU、 eeprom (电可擦除和可编程)类型的存储器MEM、升压电路HVCT和提 供时钟信号CK到CPU的振荡器OSC。示意性表示的阅读器RD发射的电场存在时，低幅度交替的天线信号 (十分之几伏)出现在天线电路1的导线上。电路RFST提供给集成电路供电的电压Vcc。电压Vcc通过天线信号 产生。电路RFST例如是使用交替的天线信号作为泵信号的主电荷泵。电 压Vcc典型的大约是1伏到几伏。产生的电压Vcc可以与最新的微电子技 术兼容，其中可产生小集成电路，其被植入表面积小于lmm2的硅片且在 约为1.8V的供电电压下运行。调制电路MOD从中央处理器CPU接收通常以代码的形式发送的数据 DTx，并且根据这些数据调制天线电路l的阻抗，在该情况下通过将具有 阻抗S(DTx)的调节信号施加到电路RFST,影响主电荷泵的短路阶段。电路DEM解调天线信号并提供解调信号RS。译码电路DEC使用解 调信号RS解码接收的数据和将通过这些信号传送的数据DTr提供给CPU 单元。这些数据通过调制阅读器发送的电场，例如调制电场的振幅，由阅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子可编程非易失性存储器（ＭＥＭ）的字块写入方法，要写入存储器的字块包含至少一个字（Ｄ），该方法包含持续写入要写入存储器的字块的每个字的步骤，　　　　其特征在于包含以下步骤：　　　　－通过将固定的字块写入时间（Ｄｂ）除以要写入的字块中字的数量（Ｎ）确定字写入时间（Ｄｃ），和　　　　－控制存储器（ＭＥＭ）在写入时间内在存储器中持续写入每个字（Ｄ）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2005-10-5 05101581.一种电子可编程非易失性存储器(MEM)的字块写入方法，要写入存储器的字块包含至少一个字(D)，该方法包含持续写入要写入存储器的字块的每个字的步骤，其特征在于包含以下步骤-通过将固定的字块写入时间(Db)除以要写入的字块中字的数量(N)确定字写入时间(Dc)，和-控制存储器(MEM)在写入时间内在存储器中持续写入每个字(D)。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于存储器(MEM)中每个 字(D)的写入包含向存储器施加存储器中写入字所需的高电压(Vhv) 的步骤。3. 根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于存储器(MEM)中 每个字(D)的写入包含施加逐渐增加的写入电压(Vpp)直到其达到在存储 器中写入字所需的高电压(Vhv)的步骤。4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于施加到存储器的写入电压 (Vpp)逐渐增加直到到达高电压(Vhv)的持续时间(Dr)与每个字(D)的写入时间(Dc)成比例。5. 根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于在存储器中写 入字的指令的执行时间比写入字块的指令的执行时间(Db)短。6. 根据权利要求1-5中的一项所述的方法，其特征在于存储器(MEM) 是非接触式无源集成电路(TG)的EEPROM存储器。7. —种非接触式无源集成电路(TG)，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿曼卡利，克里多夫摩尔鲁克斯，大卫那拉，皮尔瑞索，
申请(专利权)人：ST电子有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]