存储器及其字线电压产生电路制造技术

本发明专利技术公开一种存储器及其字线电压产生电路，该电路还包括字线电源电压产生电路、读写控制切换单元、预译码器、行译码器、高电压产生模块及正常电压产生模块，其中高电压产生模块连接于一控制脉冲及高电压，并接至预译码器的输入端，以于控制脉冲为高时将高电压作为高电压产生模块的输出电压提供给预译码器，以减少预译码器输出的地址驱动信号的上升沿；正常电压产生模块，连接于控制脉冲及读写控制切换单元，并接至预译码器的输入端，以于控制脉冲为低时将读写控制电压作为正常电压产生模块的输出电压提供给预译码器，本发明专利技术可解决因预译码器推动不足造成字线电压上升缓慢而影响存储单元读写速度的问题。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其字线电压产生电路
本专利技术涉及一种存储器及其字线电压产生电路，特别是涉及一种可加快读写操作字线电压建立时间的存储器及其字线电压产生电路。
技术介绍
对存储单元进行快速读写，一直是高速存储器芯片(如flash等)的追求目标。存储单元的字线上的读写操作字线电压建立时间是制约读写速度的重要因素，因此，对于存储器来说，字线电压产生电路尤为重要。图1为现有技术中一种具有字线电压产生器的存储器的结构示意图。如图1所示，该存储器包括字线电压产生电路10、存储阵列11以及字线，其中字线与存储阵列11相连，用于在字线电压产生电路10产生的读写操作字线电压的支持下读出存储阵列11中的数据或向存储阵列11写入数据，现有技术中，字线电压产生电路10包括字线电源电压产生电路101、读写控制切换单元102、预译码器103以及行译码单元104，字线电源电压产生电路101用于产生总的字线电源电压，其包括电荷泵1、漏电检测装置、电荷泵2、稳压器以及开关NMOS管N1，电荷泵1产生电压Vpwl接于开关NMOS管N1漏极，电荷泵2与一参考电压Vref接于稳压器的两输入端，输出基准电压Vclamp至开关NMOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种字线电压产生电路，以产生存储单元字线上的读写操作字线电压，包括字线电源电压产生电路、读写控制切换单元、预译码器及行译码器，其特征在于，该字线电压产生电路还包括：高电压产生模块，连接于一控制脉冲及高电压，并接至该预译码器的输入端，以于该控制脉冲为高时将该高电压作为该高电压产生模块的输出电压提供给该预译码器，以减少该预译码器输出的地址驱动信号的上升沿；以及正常电压产生模块，连接于该控制脉冲及该读写控制切换单元，并接至该预译码器的输入端，以于该控制脉冲为低时将该读写控制切换单元输出的读写控制电压作为该正常电压产生模块的输出电压提供给该预译码器。

【技术特征摘要】
1.一种字线电压产生电路，以产生存储单元字线上的读写操作字线电压，包括字线电源电压产生电路、读写控制切换单元、预译码器及行译码器，其特征在于，该字线电压产生电路还包括：高电压产生模块，连接于一控制脉冲及高电压，并接至该预译码器的输入端，以于该控制脉冲为高时将该高电压作为该高电压产生模块的输出电压提供给该预译码器，以减少该预译码器输出的地址驱动信号的上升沿；以及正常电压产生模块，连接于该控制脉冲及该读写控制切换单元，并接至该预译码器的输入端，以于该控制脉冲为低时将该读写控制切换单元输出的读写控制电压作为该正常电压产生模块的输出电压提供给该预译码器；该高电压产生模块包括第一电平移位器、第二电平移位器、第一PMOS管及第二PMOS管，其中该第一电平移位器一输入端接该控制脉冲，另一输入端接该高电压，该第二电平移位器的输入端接该控制脉冲及该高电压产生模块输出的电压，该第一PMOS管源极接该高电压，栅极接该第一电平移位器，漏极与该第二PMOS管源极互连，该第二PMOS管栅极接该第二电平移位器，漏极与该预译码器相连。2.如权利要求1所述的字线电压产生电路，其特征在于：该控制脉冲经该第一电平移位器进行电平移位并反相得到第一选通信号，并输出至该第一PMOS管栅极。3.如权利要求2所述的字线电压产生电路，其特征在于：该控制脉冲经该第二电平移位器进行电平移位并反相得到第二选通信号，并输出至该第二PMOS管栅极。4.如权利要求1所述的字线电压产生电路，其特征在于：该正常电压产生模块包括第三电平移位器、第四电平移位器、第三PMOS管及第四PMOS管，其中该第三电平移位器输入端接该读写控制切换单元输出的读写控制电压及一反相控制脉冲，该第四电平移位器的输入端接该反相控制脉冲及该正常电压产生模块输...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：