非挥发性存储器的写入方法技术

一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，包括：在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者０；在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；将非挥发性存储器的半导体衬底施加第三电压，为负值或者０；在非挥发性存储器的栅极施加第四电压。本发明专利技术提供的非挥发性存储器的写入方法，提高了存储器的写入速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其是一种含有捕获电子层的 双字节。
技术介绍
通常，用于存储数据的半导体存储器分为挥发性存储器和非挥发性存储器(nonvolatile memory),挥发性存储器在电源中断时易于丢失数据，而非 挥发性存储器即使在电中断时仍可保存数据。与其它的非挥发性存储技术(例 如，磁盘驱动器)相比，非挥发性半导体存储器相对较小，因此，非挥发性半 导体存储器已广泛地应用于移动通信系统、存储卡等。图l所示结构为一种含有捕获电荷层的非挥发性存储器的结构示意图。如 图1中所示，在半导体村底ll中包括第一掺杂区域12a和第二掺杂区域12b,分 别为存储器的源极和漏极区域，在半导体衬底11中第 一掺杂区域12a和第二掺 杂区12b之间的区域为沟道区域13，在沟道区域13上形成了栅极结构14。所述 栅极结构14包括在半导体衬底11上顺序形成的介质层15 -捕获电荷层16 -介 质层17的三层堆叠结构以及由导电材料形成的栅极18 。当施加电压于此存储器的栅极与漏/源极区上以进行写入时，可以使栅极 一侧的漏极/源极区具有较高的电压，而沟道区域中接近源极/漏极区域处会产 生热电子，而在另一侧的漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层－捕获电荷层－介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括：　 　在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者０；在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；将非挥发性存储器的半导体衬底施加第三电压，为负值或者０；在非挥发性存储器的栅极施加第四电压。

【技术特征摘要】
1. 一种非挥发性存储器的写入方法，提供非挥发性半导体存储器，包括半导体衬底，依次位于半导体衬底上的介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构和栅极，以及半导体衬底内位于介质层-捕获电荷层-介质层三层堆叠结构两侧的源极和漏极，其特征在于，包括在非挥发性存储器的源极施加第一电压，为负值或者0；在非挥发性存储器的漏极施加第二电压；将非挥发性存储器的半导体衬底施加第三电压，为负值或者0；在非挥发性存储器的栅极施加第四电压。2. 根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述 第一电压大于-0.4V。3. 根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述 第三电压大于_3V。4. 根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述 第二电压为2.5V至15V。5. 根据权利要求1所述非挥发性存储器的写入方法，其特征在于，所述 第四电压为9V至IOV。6. —种非挥发性存储器阵列的写入方法，提供非挥发性半导体存储器阵 列，每一个非挥发性半导体存储器包...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟灿，繆威权，陈良成，刘鉴常，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]