在非易失性存储器件中的软编程方法技术

公开了一种在非易失性存储器件中的软编程方法，用于执行软编程步骤以便改善被擦除的单元的阈值电压分布。在非易失性存储器件中的所述软编程方法包括：执行软编程以将存储单元的阈值电压提高给定的电平，其中，针对所述存储单元执行擦除操作；执行验证操作以验证在每个单元串中是否存在被编程到大于验证电压的电压的单元；以及重复执行所述软编程，直到验证整个单元串具有被编程到大于所述验证电压的电压的一个或多个单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，用于执行软编程步 骤，以便改善被擦除的单元的阈值电压分布。
技术介绍
近来，对于电子编程和擦除数据以及不要求定期重写数据的刷新功能 的非易失性存储器件的需求增加。非易失性存储器件一般包括存储单元阵列，其具有用于存储数据的矩 阵类型的单元和页緩冲器，所述页緩冲器用于向在存储单元中的特定单元 编程数据或者从单元读取lt据。页緩冲器具有连接到给定的存储单元的一对位线；寄存器，用于暂 时存储要被编程到存储单元的数据或者从单元读取的数据；感测节点，用 于感测特定位线的电压电平或者特定寄存器的电压电平；以及位线选择电 路，用于控制所述位线和所述感测节点的连接。当在非易失性存储器件中执行擦除操作时，执行软编程操作，以便改 善被擦除的存储单元的阈值电压分布(例如当单元被过擦除(over erase) 时)。但是，在传统的软编程操作中，虽然只有在一个单元串中所包括的 一个单元的阈值电压大于验证电压，但是停止整个块的软编程操作。因此， 在使用软编程操作的情况下，被擦除的单元的阈值电压的分布可能变宽。
技术实现思路
本专利技术涉及，用于改善被擦除的单元的阈值电压分布。本专利技术还涉及一种用于IHE软编程操作的方法，以便即使不应用负验 证电压也能提高读取裕量(read margin )。根据本专利技术的 一个实施例的包 括执行软编程以便将存储单元的阈值电压提高给定的电平，其中，针对 存储单元执行擦除操作；执行mi操作以便^E在每个单元串中是否存在 被编程到大于验证电压的电压的单元；以及重复执行所述软编程，直到验 证整个单元串具有被编程到大于所述验证电压的电压的一个或多个单元。一种IHE在非易失性存储器件中的软编程的方法包括:将单元串耦合 到被预充电到高电平的位线；向在每个单元串中包括的每个字线施加0V 的JlHi电压；将所述位线与感测节点断开；通过将所述单元串与/^共源极 线耦合来评估是否存在被编程到验证电压的单元，其中，向所述公共源极 线施加大于地电压的偏压；将所述位线耦合到所述感测节点，然后感测是 否编程了特定单元；以及在感测到整个单元串具有一个或多个被编程到大 于!Hi电压的电压的单元时，输出g结束信号。如上所述， 一种可以改善被擦除 的单元的阈值电压分布。在此，当施加OV的lHE电压时的lH^Mt具有 与当施加负JiHt电压时的!Ht操作相同的效率。结果，可以改善读取裕量。附图说明图1是图解根据本专利技术的一个实施例的非易失性存储器件的视图； 图2A是图解传统的软编程方法的视图； 图2B是图解传统的软编程方法的流程图2C是图解在执行传统的软编程方法后的阈值电压分布的视图3是图解根据本专利技术的一个实施例的软编程方法的流程图4是图解根据本专利技术的一个实施例的当结束软编程操作时的阈值 电压分布的视图5是图解根据本专利技术的一个实施例的!Hi操作的视图6A和图6B是图解由于读取干扰和小读取裕量导致的故障发生的 视图7是图解根据本专利技术的一个实施例的在负方向上移动验证线的过 程的视图8是图解根据本专利技术的一个实施例的当执行mit操作时施加的电 压信号中的每一个的波形的时序图；以及图9是图解根据本专利技术的一个实施例的JIHE电压的改变的视图。具体实施例方式以下，参照附图来更详细地说明本专利技术的实施例。图1是图解根据本专利技术的一个实施例的非易失性存储器件的视图。所述非易失性存储器件包括存储单元阵列100;耦合到存储单元阵 列100的偶数位线BLe和奇数位线BLo;用于存储特定数据的寄存器电 路120;在连接到位线BLe和BLo和寄存器电路120的节点处形成的感 测节点SO;以及用于将偶数位线BLe和奇数位线BLo选择性地耦合到 感测节点SO的位线选择电路110。通过位线选择电路110和寄存器电路 120来限定页緩沖器。在另一种实现方式中，不同数量的位线与每个页緩 冲器相关联。存储单元阵列100具有多个单元串。每个单元串包括漏极选择晶体 管、源极选择晶体管和串联连接并且提供在漏极和源极选择晶体管之间的 用于存储数据的多个存储单元MCeO到MCen和MCoO到MCon。如图 所示，单元串中的一个连接到偶数位线BLe，另一个连接到奇数位线BLo。 虽然未示出，但是存储单元阵列100在其中具有更多的单元串，其中每个 单元串连接到位线。所述位线用于选择相应的单元串，以便可以对其执行 特定的操作。多个字线WL0至WLn耦合到存储单元的栅极，其中每个位线被配 置为选择在同一页中的存储单元。漏极选择线DSL耦合到单元串的漏极 选择晶体管。源极选择线SSL耦合到单元串的源极选择晶体管。通过连接到同一字线的存储单元来限定页。通过多个单元串来限定 块。通常， 一个块具有几千个的单元串。位线选择电路110包括N-MOS晶体管(或者偶数位线选择晶体管) N116，用于响应第一位线选#^信号BSLe而将偶数位线BLe耦合到感测 节点SO;以及N-MOS晶体管(或者奇数位线选择晶体管)N118,用于响应第二位线选择信号BSLo而将奇数位线BLo耦合到感测节点SO。另外，位线选择电路110还包括控制信号输入端子，用于传送具有 特定电平的控制信号VIRPWR; N-MOS晶体管N112,用于响应第一放 电信号DISCHe而将偶数位线BLe耦合到控制信号输入端子；以及 N-MOS晶体管N114,用于响应第二放电信号DISCHo而将奇数位线BLo 耦合到控制信号输入端子。每个位线根据在相应的单元串上执行的操作而被放电或预充电到特 定的电压电平。另外，所述位线耦合到感测节点SO,并因此感测节点SO 的电压施加到相应的位线，或者位线的电压^L提供到感测节点SO。寄存器电路120具有感测节点预充电电路121，用于将感测节点SO 预充电到高电平。感测节点预充电电路121包括P-MOS晶体管P122，用于响应预充电 信号PRECH_N而将感测节点SO耦合到对应于电源电压的端子。因此， P-MOS晶体* P122响应具有低电平的预充电信号PRECH—N而向感测 节点SO施加电源电压VDD。寄存器电路120包括锁存器126，其具有反相器IV122和IV124; 感测节点感测电路122，用于响应感测节点SO的电压电平而向锁存器126 提供地电压；数据设置电路124,用于向锁存器126的第一节点QA或者 第二节点QAb施加地电压；以及ai^电路128，用于根据锁存器126的 第二节点QAb的电平而输出！Ht结束信号。在锁存器126中， 一个Jl相器IV122或者IV124的输入端子耦合到 另一个及j目器的输出端子，并因此特定的数据被存储在锁存器126中。在连接第一反相器IV122的输出端子和第二^jf目器IV124的输入端 子的节点处形成第一节点QA。在连接第一反相器IV122的输入端子和第 二^j目器IV124的输出端子的节点处形成第二节点QAb。因此，在向第 一节点QA传送逻辑高数据的情况下，从第二节点QAb输出逻辑低数据。 因此，数据被存储在锁存器126中。感测节点感测电路122具有N-MOS晶体管N122，其被耦合在数据 设置电路124和地之间，并且感测节点感测电路122根据感测节点SO的 电平通过数据设置电路124而向锁存器126施加地电压，其中，N-MOS 晶体管N122的栅极耦合到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：　执行软编程，以在对多个单元串的存储单元执行擦除操作后将单元串的存储单元的阈值电压提高；　执行验证操作以确定每个单元串是否具有已被编程到大于验证电压的阈值电压的至少一个单元；以及　重复所述软编程和验证操作，直到确定每个单元串具有被编程到大于验证电压的阈值电压的至少一个单元。

【技术特征摘要】
KR 2007-8-8 10-2007-00794871.一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括执行软编程，以在对多个单元串的存储单元执行擦除操作后将单元串的存储单元的阈值电压提高；执行验证操作以确定每个单元串是否具有已被编程到大于验证电压的阈值电压的至少一个单元；以及重复所述软编程和验证操作，直到确定每个单元串具有被编程到大于验证电压的阈值电压的至少一个单元。2. 根据权利要求l所述的方法，其中，所述软编程使用递增步长脉 冲编程(ISPP)方法。3. 根据权利要求1所述的方法，其中，每个单元串耦合到位线，其 中，所述!Hi操作包括将每个位线预充电到高电平；通过向位线选择晶体管施加第一电压而将所选择的位线耦合到感测 节点，以将对应于所选择的位线的单元串耦合到感测节点；向每个字线施加發汪电压；将被施加第三电压的公共源极线耦合到对应于所选择的位线的单元串；将所选择的位线与感测节点断开，并且评估对应于所选择的位线的单元串的电压电平；以及通过向位线选择晶体管施加第二电压而将所选择的位线耦合到所述 感测节点，第二电压小于第一电压。4. 根据权利要求3所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值 是大约0.4V到大约0.9V。5. 根据权利要求3所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值 是大约0，9V。6. 根据权利要求3所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值 是大约0.7V。7. 根据权利要求3所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值大于大约0.5V。8. 根据权利要求3所述的软编程方法，其中，第三电压是大约0.1V 到大约0.5V。9. 根据权利要求3所述的软编程方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴成济，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]