快闪存储器件和操作该器件的方法技术

公开了一种在快闪存储器件中执行读取操作的方法。快闪存储器具有包括至少一个块的存储单元阵列，所述块具有多个页。该方法包括接收读取命令以从块中的所选择的页读取数据；确定该块是否具有未被编程的页；对确定未被编程的至少一个页执行假数据编程操作；以及在假数据编程操作完成之后执行读取命令以读取所选择页的数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有多电平单元(multi-level cell)的快闪存储器件。更 具体地，本专利技术涉及一种用于与特定单元的LSB或MSB编程操作无关地 以所设置的电压电平执行读取操作的方法。
技术介绍
通常，将快闪存储器分类为NAND或NOR快闪存储器。在此，NOR 快闪存储器因为存储单元独立地连接到位线和字线而具有良好的随机存 取时间特性。然而，在NAND快闪存储器中，因为存储单元是串联连接 的，所以一个单元串只需要一个接触点，因此从集成度来看，NAND快 闪存储器具有良好的特性。因此，通常在高度集成的快闪存储器中使用 NAND快闪存储器。近来，为了提高快闪存储器的集成度,对用于在一个存储单元中存储 多个数据的多位单元进行了积极的研究。这种存储单元称为多电平单元(MLC )。用于存储一位的存储单元称 为单电平单元(SLC)。通常，MLC可以用多电平来编程。图1是示出根据MLC快闪存储器的编程的阈值电压分布图。图1示出通过可变电平方法编程的用于存储至少两位的MLC的电压 分布。如图1所示，当对最低有效位(LSB, least significant bit)进行了编 程时，擦除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快闪存储器件，包括：　　　　存储单元阵列，其被配置成具有至少一个包括多个页的块；以及　　　　控制器，其被配置成在允许执行读取命令之前启动假数据编程操作以对未被编程的块的页进行编程。

【技术特征摘要】
KR 2007-1-23 10-2007-00070461.一种快闪存储器件，包括存储单元阵列，其被配置成具有至少一个包括多个页的块；以及控制器，其被配置成在允许执行读取命令之前启动假数据编程操作以对未被编程的块的页进行编程。2. 根据权利要求1所述的快闪存储器件，其中，所述控制器具有存 储部，所述存储部用于存储在假数据编程操作中使用的假数据。3. 根据权利要求1所述的快闪存储器件，其中，所述控制器被配置 成随机产生在假数据编程操作中使用的假数据，其中，块不包括标记单元。4. 根据权利要求1所述的快闪存储器件，其中，所述存储单元阵列 具有至少一个冗余页以在假数据编程操作期间存储假数据。5. —种在具有存储单元阵列的快闪存储器件中执行读取操作的方 法，所述存储单元阵列包括至少一个块，所述块具有多个页，所述方法包 括接收读取命令以从块中所选择的页中读取数据； 确定步骤，确定块是否具有未被编程的页； 对确定未被编程的至少一个页执行假数据编程操作；以及 在假数据编程操作完成之后，执行读取命令以读取所选择的页的数据。6. 根据权利要求5所述的方法，还包括编程步骤，以预先定义的顺序对块中的页进行编程；以及存储步骤，存储与最后被编程的页相对应的地址，其中，在执fr^取命令之前执行所述编程步骤和所述存储步骤。7. 根据权利要求6所述的方法，其中，所述确定步骤包括 确定所存储的地址是否表示块的最后一页已被编程。8. 根据权利要求5所述的方法，其中，假数据编程操作将假数据编 程到确定还未被编程的所有页。9. 根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金有声，金德柱，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]