本发明是有关于一种快速等化的地线电路及传感电路及其方法，此地线电路具有参考晶体管以及切换电路。当地线信号禁能时，使得切换电路相对应的地线耦接预先充电总线做预先充电动作，若被选择的地线信号致能时，使得被选择的切换电路做传感数据动作，否则未...

一种铁电电容的参考电压产生方法、逻辑判断方式与装置。其中，铁电电容的参考电压产生方法为，首先对用以存取欲判断逻辑的数据的铁电电容充电，使此铁电电容的极化方向介于代表逻辑为１的极化方向与代表逻辑为０的极化方向间，再将此极化方向转化为电荷转...

本发明揭示一种具有存储器阵列、共用式的选择晶体管（ＳｈａｒｅｄＳｅｌｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）与分散式的字符线解码器的驱动器（ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＤｒｉｖｅｒｓｏｆＸＤＥＣ）的高密度集成电路。共用式的选择晶体管用于读取两相邻存...

一种动态地隐藏存储器缺陷的方法及装置，该存储器含有至少一缺陷存储区；在一实施例中，一存储区占用对照表包含复数个栏位，每一个栏位对应该存储器的一个存储区，在该存储器的初始测试程序中，将缺陷存储区所对应的占用对照表的栏位加以标示，使其被认为...

一种多重值闪存的写入方式，其步骤具有：在多重值闪存的栅极射入不同次数且不同次数所对应不同向上递增的步阶值输出的写入电压以改变多重值闪存所代表的值，并在多重值闪存作最高值或是任何一值写入时，在最后一次写入电压射入后，额外增加一次写入电压射...

一种快闪存储器的数据擦除方法，用以擦除一快闪存储器中的存储单元的数据，本方法包括：首先，执行预先编程；接着，擦除快闪存储器的数据，然后执行软件编程；最后，检查是否擦除成功。本发明所公开的快闪存储器的数据擦除方法所消耗的电流较小，因此可以...

本发明提供一种随机存取存储装置，包括多个存储单元、一字符线、一金属板连接线、多个位线、一第一全局金属板连接线、一第二全局金属板连接线、一第一切换电路以及一第二切换电路。字符线、金属板连接线及位线分别耦合至所述存储单元，第一全局金属板连接...

一种闪存阵列擦除后的调整装置，适用于一具有多个闪存单元的存储阵列，各自具有一控制闸极、一浮动闸极、一源极以及一汲极，包括汲极电源供应装置，恒定电流供应器，以及控制闸极电源供应装置。汲极电源供应装置用来提供一正汲极电压至闪存单元的汲极；恒...

一种快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路及方法，该快闪存储器含有一感测放大器以比较一快闪存储单元的单元电流与该参考单元的参考电流而产生一感测信号，该存储单元具有一闸极以接收一字元线信号电压，该参考单元具有一闸极以接收一工作点偏压，该调整...

本发明是一种有关于更新非挥发性内存的方法与系统，定位与第一字组线相关连的更新指针，决定耦接第一字组线的第一存储单元的第一存储单元电流是否在第一范围内，响应第一存储单元电流在第一范围的决定，以至少部分地更新第一存储单元。

一种电可擦除可编程ＲＯＭ结构更新机制的感测方法，适于侦测闪存的存储单元的更新必要性，提供一第一参考存储单元，再测量其电流。然后，提供一第二参考存储单元，再测量其电流。然后，测量闪存中的一存储单元的单元电流，比较此一单元电流与第一、第二参...

本发明涉及一种只读存储器，借由增加多列辅助开关，使得当要读取一特定的存储单元时，可形成多个电流路径以降低负载值。如此，可使电流的大小加大，使得感测放大器产生误判的机率降低。

一种具有新颖位线连接组态的ＮＯＲ结构半导体记忆装置，包含一电性连接至多条位线的半导体记忆单元数组。该多条位线分隔成至少四个位线群组。每一位线群组的至少两条位线分别经由至少两个位线晶体管而耦合至一主位线。再者，ＮＯＲ结构半导体记忆装置的位...

一种存储元件，其特征在于，包括： 一工作单元阵列，包括复数个工作存储单元； 一冗余单元阵列，包括复数个冗余存储单元； 一控制逻辑，用以控制将一数据读取及写入至该工作单元阵列及该冗余单元阵列；以及 一查询表，用以储...

一种多重位闪存的参考电流产生电路，使用相同的一推升字线电压，来施加于不同参考电流产生单元的一分压电路，以产生不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极电压，而达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压Ｖ＃－［ＣＣ］...

一种多重位闪存的参考电流产生电路，使用相同的一推升字线电压，来施加于不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极，并以不同的参考存储单元的网关的宽度，来达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压Ｖ＃－［ＣＣ］的变化而...

一种多重位闪存的参考电流产生电路，是使用相同的一推升字符线电压，来施加于不同参考电流产生单元的参考存储单元的栅极，并以施加不同的基底电压于参考存储单元的基底，来达成所需不同准位的参考电流，故可有效改善参考电流随着温度及电源电压Ｖ＃－［Ｃ...

本发明提供一种具有多阶输出电流的非易失性存储器的编程、读取与擦除方法。该非易失性存储器内的各存储器单元包含有一由两绝缘层包覆的非导体介电层，该非导体介电层中具有一第一区域及一第二区域。经由储存电子于各该存储器单元的第一区域及第二区域与否...

一种程序化一具二位的快闪存储单元的方法，其特征是，该方法包括： 判断该快闪存储单元中一要被程序化的其中一位以外的一另一位的阈值电压；以及 在该另一位的阈值电压为一未程序化阈值电压时，将该闪存内该要被程序化的其中一位，程序化至...

一种供应电压侦测电路，使用于当非挥发性存储器装置在供应电压低于一侦测点时，可避免其擦除（Ｅｒａｓｉｎｇ）及程序化（Ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）。一低电压侦测装置耦接到低电压供应来源，并且具有一电路，可在当供应电压输入的供应电压值低于一预定低...