【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种快闪存储器(flash memory)，特别是关于一种(trim circuit and method for tuninga current level of a reference cell in a flash memory)。快闪存储器需要一个稳定的参考单元及其电流以确定存储单元在程序化操作中已经达到所要的位阶及在读取操作中精确地决定存储单元的位阶。然而，电路的操作及制程可能导致电流变动(variation)，例如，电源扰动可以引发电压变动，其可能导致参考单元的电流位阶漂移，而制程的变动可以改变参考单元的尺寸式存储单元的GCR，如此，所设计的参考单元的电流位阶可能漂移或变动致无法工作，因此，可能需要调整电路在晶片测试阶段中调整参考单元的电流位阶。不过附图说明图1及图2的电路皆不具备动态且精准地调整参考单元电流位阶的能力。图4为一种改良的电路，其在参考单元22加入电阻网路223连接分压器222，电阻网路223含有许多串联及并联的电阻，每一电阻受一与其串联的快闪单元控制，以决定该电阻是否连接而作用，例如，电阻224受快闪单元225控制，...
【技术保护点】
一种快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路，该快闪存储器含有一感测放大器以比较一快闪存储单元的单元电流与该参考单元的参考电流而产生一感测信号，该存储单元具有一闸极以接收一字元线信号电压，该参考单元具有一闸极以接收一工作点偏压，其特征在于：该调整电路包括： 串联的第一及第二单元，使从该字元线信号电压分压而产生该工作点偏压，其中该第一及第二单元至少有一包含一快闪单元变阻器提供一电阻值；以及 一程序化电路，连接该存储单元及快闪单元，以程序化该快闪单元变阻器而决定该电阻值。
【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器参考单元电流位阶的调整电路，该快闪存储器含有一感测放大器以比较一快闪存储单元的单元电流与该参考单元的参考电流而产生一感测信号，该存储单元具有一闸极以接收一字元线信号电压，该参考单元具有一闸极以接收一工作点偏压，其特征在于该调整电路包括串联的第一及第二单元，使从该字元线信号电压分压而产生该工作点偏压，其中该第一及第二单元至少有一包含一快闪单元变阻器提供一电阻值；以及一程序化电路，连接该存储单元及快闪单元，以程序化该快闪单元变阻器而决定该电阻值。2.如权利要求1所述的调整电路，其特征在于更包括一抹除电路，以抹除该快闪单元变阻器。3.如权利要求1所述的调整电路，其特征在于其中该程序化电路程序化该快闪单...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶致锴，范左鸿，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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