多重值闪存的写入与清除方法技术

一种多重值闪存的写入方式，其步骤具有：在多重值闪存的栅极射入不同次数且不同次数所对应不同向上递增的步阶值输出的写入电压以改变多重值闪存所代表的值，并在多重值闪存作最高值或是任何一值写入时，在最后一次写入电压射入后，额外增加一次写入电压射入。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种闪存的写入与清除方式，且特别是有关于一种多重值闪存的写入与清除方式。公知闪存写入的方式为当闪存欲由00状态写为01或10或11状态时，为将闪存中的栅极射入栅极电压Vg，其中，每次射入的栅极电压Vg均向上增加0.1伏特(即ΔVg为0.1伏特)且每次射入的栅极电压Vg均维持约150ns，而闪存欲由00状态写为01或10或11状态时，便是根据栅极电压Vg射入次数来做决定。当闪存欲由01或10或11状态清除为00状态时，则是每次射入的栅极电压Vg均向下增加0.1伏特(即ΔVg为-0.5伏特)且每次射入的栅极电压Vg均维持约150ns，并根据闪存由01或10或11状态清除为00状态的不同，决定栅极电压Vg射入次数。请参考附图说明图1，当闪存由00状态写为01状态时，栅极电压Vg由5伏特开始，ΔVg为0.1伏特，并经过20次的射入，源极电压为浮置，而漏极电压Vd则为4.5±0.25伏特。当闪存由00状态写为10状态时，栅极电压Vg由5伏特开始，ΔVg为0.1伏特，并经过40次的射入，源极电压为浮置，而漏极电压Vd则为4.5±0.25伏特。当闪存由00状态写为11状态时，栅极电压Vg由5伏特开始，ΔVg为0.1伏特，并经过60次的射入，源极电压为浮置，而漏极电压Vd则为4.5±0.25伏特。其中，不同状态所分别对应的射入次数中，最后一次射入的栅极电压Vg为写入确认电压PV，而最后一次射入前的射入次数所射入的栅极电压Vg为写入电压PGM。至于当闪存由01或10或11状态清除为00状态时，栅极电压Vg由-6伏特开始，ΔVg为-0.5伏特，并经过5次的射入，漏极电压为浮置，而源极或基底电压Vs或Vb则为8±0.25伏特。而当闪存完成写入后以及清除后，判别闪存状态时，读取电流Ir以及起始电压Vt的分布图则请分别参考图2A以及图2B。由图2A中可知，包含00、01、10、11状态，均有其读取电流Ir的分布(Tracking)，而状态的读取电流分布间，具有可靠度(Reliability)区间。而每个状态的感应幅度(Sense Margin)则包含了其对应的读取电流Ir分布的部分范围。其中，显而易见的是，间隔每个读取电流Ir分布的可靠度区间狭小。且此可靠度区间也限制了感应幅度的增加，而造成误判，特别是在于在读取闪存状态为00或是11的情况下。而图2B中，判别闪存状态时的操作起始电压电压Vt间隔也是过于狭小且也是在读取闪存状态为00或是11的情况下，容易造成误判。本专利技术提出一种多重值闪存的写入方式，包括在多重值闪存的栅极射入不同次数且每次对应不同向上递增的步阶值输出的写入电压以改变多重值闪存所代表的值，并在多重值闪存作最高值或是任何一值写入时，在最后一次写入电压射入后，额外增加一次写入电压射入。本专利技术另外提出一种多重值闪存的清除方式，包括在多重值闪存的栅极射入不同次数且每次对应不同向下减少的步阶值输出的清除电压以清除多重值闪存所代表的不同值，并在多重值闪存作任何一值清除时，在最后一次清除电压射入后，额外增加一次清除电压射入。综合上述本专利技术由额外增加一次写入电压以及一次清除电压达到增加多重值闪存写入电子的电位以及减少多重值闪存清除电子的电位，以使得当对多重值闪存作判读时，能有较大的读取电流分布范围以及较大的操作起始电压范围，而不至于误判。图3为根据本专利技术实施例的闪存写入以及清除方式的示意图；图4A为根据本专利技术实施例的闪存读取电流分布图；以及图4B为根据本专利技术实施例的闪存读取时的起始电压分布图。附图标记说明PV1、PV2、PV3写入确认电压EV清除确认电压而本专利技术的特征还在于做最高值写入闪存时，额外增加一次写入电压以及在清除闪存时，额外增加一次清除电压。请参考图3，图3为根据本专利技术实施例的闪存写入以及清除方式的示意图。当闪存由00状态写为01状态时，栅极电压Vg由5伏特开始且每次以ΔVg＝0.1伏特向上增加，并经过20次的射入。其中包括了19次写入电压PGM射入以及最后一次的写入确认电压PV1射入。而此时闪存的源极电压为浮置，漏极电压Vd则为4.5±0.25伏特。当闪存由00状态写为10状态时，栅极电压Vg由5伏特开始且每次以ΔVg＝0.1伏特向上增加，并经过40次的射入。其中包括了39次写入电压PGM射入以及最后一次的写入确认电压PV2射入。而此时闪存的源极电压为浮置，漏极电压Vd则为4.5±0.25伏特。而当闪存由00状态写为11状态时，栅极电压Vg由5伏特开始且每次以ΔVg＝0.1伏特向上增加，并经过61次的射入。其中包括了59次写入电压PGM射入后加上1次额外的写入电压PGM射入以及最后一次的写入确认电压PV3射入。而此时闪存的源极电压为浮置，漏极电压Vd则为4.5±0.25伏特。至于当闪存由11状态清除为00状态时，栅极电压Vg由-6伏特开始且每次以ΔVg＝-0.5伏特向下减少，并经过6次射入。其中包括了4次清除电压ERS射入加上1次额外的清除电压以及最后一次的清除确认电压EV射入。而此时漏极电压为浮置，而源极或基底电压Vs或Vb则为8±0.25伏特。因此，本专利技术最大的特征在闪存写入过程中，当公知最后一次写入电压PGM射入后，额外增加一次写入电压PGM射入。而在闪存清除过程中，当最后一次清除电压ERS射入后，额外增加一次清除电压ERS射入。故根据本专利技术实施例中的闪存写入或清除方式，可以得到闪存写入后的闪存读取电流分布图以及闪存读取时的起始电压分布图。请分别参考图4A以及图4B。在图4A中，可以发现的是，11状态的闪存的读取电流Ir分布增加，以及00状态的闪存读取电流Ir分布增加(虚线部分)，相对的，请参考图4B，读取闪存状态为00或是11时的起始电压分布增大。此外，本专利技术还可应用在闪存任何状态的写入，也就是说，本专利技术并不限于最高值的写入。综合上述，本专利技术由额外增加一次写入电压以及一次清除电压达到增加多重值闪存写入后，读取电流分布的增加以及读取时的起始电压分布增加，因此当对多重值闪存作判读时，能有较大的感应幅度，而不至于误判。虽然本专利技术已以实施例说明如上，然其并非用以限定本专利技术，任何熟悉此技术者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本专利技术的保护范围当以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多重值闪存的写入方式，其特征为：包括：在该多重值闪存的栅极射入不同次数且每次对应不同向上递增的一步阶值输出的一写入电压以改变该多重值闪存所代表的值；以及该多重值闪存作一最高值写入时，在最后一次该写入电压射入后，额外增加一次该写入 电压射入。

【技术特征摘要】
1.一种多重值闪存的写入方式，其特征为包括在该多重值闪存的栅极射入不同次数且每次对应不同向上递增的一步阶值输出的一写入电压以改变该多重值闪存所代表的值；以及该多重值闪存作一最高值写入时，在最后一次该写入电压射入后，额外增加一次该写入电压射入。2.如权利要求1所述的多重值闪存的写入方式，其特征为其中该写入方式可用于一两位值闪存。3.一种多重值闪存的写入方式，其特征为包括在该多重值闪存的栅极射入不同次数且每次对应不同向上递增的一步阶值输出的一写入...

【专利技术属性】
技术研发人员：范左鸿，叶致锴，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]