可程式化二极管在读取及程式化操作期间控制电流的方法技术

本发明专利技术是有关于一种可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法。该记忆体结构在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，首先在一字元线解码晶体管的第一闸极上施加一第一电压。接着，在一位元线解码晶体管的第二闸极上施加一第二电压，其中第一电压高于第二电压。此外，位元线解码晶体管的源极电压约维持在０伏特。本发明专利技术还提出一种可程式化二极管记忆体阵列在一读取及程式化操作期间限制一字元线解码晶体管的总电流的方法。本发明专利技术所提出的方法可避免在读取及程式化操作期间由于二极管变动及负载效应所产生的电流变动，有效控制电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记忆体(即存储介质、存储器、内存，以下均称为记忆体)元件的操作方法的，特别是涉及有关于一种记忆体元件在读取及程式化操作(readand program operation)期间控制电流变动的方法。
技术介绍
已知记忆体架构是使用字元线(即字符线，以下均称为字元线)及位元线来存取由记忆体架构所定义的记忆胞。三维(three dimension)的记忆体结构包括许多堆栈的记忆体材料层。图1是图示一种三维记忆体结构。其中，此记忆体结构包括字元线12及位元线10，且字元线12及位元线10是连接于字元线及位元线解码晶体管14。此外，位元线10是连接于可程式化二极管16。在读取及程式化操作期间，位元线解码晶体管14选择一相对应于一记忆胞的字元线及位元线进行存取(图中未表示)。在如图1所图示的三维记忆体结构中，解码晶体管层用于特定材料层中字元线及位元线的操作。因此，等效电路可用于与可程式化二极管16与串联电阻(图中未表示)连接的两金氧半导体场效晶体管(MOSFET)上。一般来说，位元线解码晶体管14作为一开关使用。其中，当此晶体管被导通的时候，施加一高闸极电压(gate vo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于其包括以下步骤：在一字元线解码晶体管的一第一闸极上施加一第一电压；在一位元线解码晶体管的一第二闸极上施加一第二电压，其中该第一电压高于该第二电压 ；在该字元线解码晶体管的一汲极上施加一第三电压；以及维持该位元线解码晶体管的一源极电压约在０伏特。

【技术特征摘要】
US 2004-5-14 10/846,0061.一种可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于其包括以下步骤在一字元线解码晶体管的一第一闸极上施加一第一电压；在一位元线解码晶体管的一第二闸极上施加一第二电压，其中该第一电压高于该第二电压；在该字元线解码晶体管的一汲极上施加一第三电压；以及维持该位元线解码晶体管的一源极电压约在0伏特。2.根据权利要求1所述的可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于其中所述的字元线解码晶体管包括金氧半导体晶体管。3.根据权利要求2所述的可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于其中所述的位元线解码晶体管包括金氧半导体晶体管。4.根据权利要求1所述的可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于更包括使该字元线解码晶体管作为一开关使用。5.根据权利要求1所述的可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于其中所述的第一闸极上施加该第一电压的操作方法中，该第一电压的范围包括在5伏特到10伏特之间。6.根据权利要求1所述的可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于更包括使该位元线解码晶体管作为一电流限制器使用。7.根据权利要求1所述的可程式化二极管记忆体阵列在读取及程式化操作期间控制电流变动的方法，其特征在于其中所述的第二闸极上施加该第二电压的操作方法中，该第二电压的范围包括在1伏特到5伏特之间。8.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕函庭，李明修，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]