动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法。存储单元包括底氧化层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、栅极以及掺杂层。底氧化层设置于基板上。第一半导体层设置于底氧化层上，并且具有第一掺杂浓度。第二半导体层设置于第一半导体层上，并且具有第二掺杂浓度，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度。绝缘层设置于底氧化层上，且至少位于第一半导体层的两侧，此外绝缘层的高度大于第一半导体层的高度。栅极设置于第二半导体层上。掺杂层设置于对应栅极的两侧处，且掺杂层实质上接触于第二半导体层及绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种存储器单元及其制造方法，且特别是有关于一种单晶 体管动态随机存取存储单元及其制造方法。
技术介绍
动态随才几存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM )目前 被广泛应用于个人电脑及各项周边电子产品或装置中，例如绘图卡、扫瞄器、 印表机、传真机及图像压缩卡等。近年来，除了传统包括晶体管及电容的动 态随机存取存储器(1T1C-DRAM)夕卜，还发展出一种单晶体管动态随机存 取存储器(IT-DRAM),其利用浮置体(floating body )储存载流子(carrier) 的方式来储存数据。通过简化存储器的结构，可以提高单位面积的储存密度， 并且简化工艺。此外更由于单晶体管动态随机存取存储器采用非破坏性(non destructive)的读取方式，可延长存储器的寿命，使得单晶体管动态随机存 取存储器具有极大地发展潜力，成为目前存储器装置中重要的研究发展方向 之一。一般而言，单晶体管动态随机存取存储器利用于绝缘硅晶片(SOI wafer) 上形成存储单元的方式，将浮置体隔离于源极区、漏极区、底氧化层(bottom oxide)及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器的存储单元，包括：底氧化层，设置于基板上；第一半导体层，设置于该底氧化层上，该第一半导体层具有第一掺杂浓度；第二半导体层，设置于该第一半导体层上，该第二半导体层具有第二掺杂浓度，该第一掺杂浓度高于该第二掺杂浓度；绝缘层，设置于该底氧化层上，且该绝缘层至少位于该第一半导体层的两侧，该绝缘层的高度大于该第一半导体层的高度；栅极，设置于该第二半导体层上；以及掺杂层，设置于对应该栅极的两侧处，且该掺杂层实质上接触于该第二半导体层及该绝缘层。

【技术特征摘要】
US 2007-1-24 11/626,4441. 一种动态随机存取存储器的存储单元，包括底氧化层，设置于基板上；第一半导体层，设置于该底氧化层上，该第一半导体层具有第一掺杂浓度；第二半导体层，设置于该第一半导体层上，该第二半导体层具有第二掺杂浓度，该第一掺杂浓度高于该第二掺杂浓度；绝缘层，设置于该底氧化层上，且该绝缘层至少位于该第一半导体层的两侧，该绝缘层的高度大于该第一半导体层的高度；栅极，设置于该第二半导体层上；以及掺杂层，设置于对应该栅极的两侧处，且该掺杂层实质上接触于该第二半导体层及该绝缘层。2. 如权利要求1所述的存储单元，其中该第一半导体层的材料及该第二 半导体层的材料系具有相同的晶格结构。3. 如权利要求1所述的存储单元，其中该栅极、该第二半导体层及该第 一半导体层具有相同的宽度。4. 如权利要求3所述的存储单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：林大为，蔡文哲，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]