一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术中ＳＯＩ器件体接触技术领域，公开了一种实现部分耗尽ＳＯＩ器件体接触的方法，包括：Ａ．在形成多晶硅栅之后，在源极一侧进行体引出注入；Ｂ．对源漏端进行ＬＤＳ和ＬＤＤ注入，在形成一次氧化物侧墙后，进行源漏区的Ｎ＋注入，在源漏区都形成浅结；Ｃ．用光刻胶把源区保护后，对漏区进行第二次Ｎ＋注入，以使漏端结区到达埋氧层，形成源漏不对称的结构；Ｄ．利用钴的硅化物，在源极一侧的钴硅化物穿透源极到达下面的体区，钳制体区电位，抑制浮体效应。利用本发明专利技术，不但有效的抑制了浮体效应，提高了部分耗尽ＳＯＩ器件性能，而且与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容，具有工艺简单，成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术中绝缘体上硅(SOI)器件体接触
，尤其涉及。
技术介绍
随着器件特征尺寸的减小，摩尔定律正经受越来越严峻的考验。摩尔 定律能否持续发展，取决于具有创新性技术的出现。近年来出现了很多创新性的技术，如FinFET、单电子器件、双栅器件等，其中SOI技术最具 发展潜力。SOI器件分为部分耗尽和全耗尽两种。全耗尽器件因为器件工作时硅 膜全部耗尽，源体之间势垒很小，所以体区积累的空穴可以通过源极流出。 因此，全耗尽SOI器件没有浮体效应。但全耗尽SOI器件阈值电压对硅膜厚度非常敏感，因此阈值电压不容 易控制。而且全耗尽SOI器件因为硅膜非常薄，所以源漏电阻大，会影响 电路的速度。因此，部分耗尽SOI器件更适合大规模生产应用。但部分耗尽SOI 器件工作时随漏端电压的升高，漏端耗尽区碰撞电离产生的空穴流入体 区，因为源体势垒较高，所以发生空穴的积累，引起体区电位的升高，这就是浮体效应。人们采取了很多措施来抑制浮体效应，其中最常用的有T型栅和H型 栅体接触技术。但这种技术由于体电阻的存在而不能有效抑制浮体效应， 而且沟道越宽体电阻越大，浮体效应越显著。BTS (Bo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，该方法包括：Ａ、在形成多晶硅栅之后，在源极一侧进行体引出注入；Ｂ、对源漏端进行轻掺杂源区ＬＤＳ和轻掺杂漏区ＬＤＤ注入，在形成一次氧化物侧墙后，进行源漏区的Ｎ＋注入，在源 漏区都形成浅结；Ｃ、用光刻胶把源区保护后，对漏区进行第二次Ｎ＋注入，以使漏端结区到达埋氧层，形成源漏不对称的结构；Ｄ、利用钴Ｃｏ的硅化物，在源极一侧的钴硅化物穿透源极到达下面的体区，钳制体区电位，抑制浮体效应。

【技术特征摘要】
1. 一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，该方法包括A、在形成多晶硅栅之后，在源极一侧进行体引出注入；B、对源漏端进行轻掺杂源区LDS和轻掺杂漏区LDD注入，在形成一次氧化物侧墙后，进行源漏区的N+注入，在源漏区都形成浅结；C、用光刻胶把源区保护后，对漏区进行第二次N+注入，以使漏端结区到达埋氧层，形成源漏不对称的结构；D、利用钴Co的硅化物，在源极一侧的钴硅化物穿透源极到达下面的体区，钳制体区电位，抑制浮体效应。2、 根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方 法，其特征在于，步骤A之前进一步包括Al、首先在绝缘体上硅SOI上生长一层牺牲氧化层，然后进行两次调 栅注入，在沟道区形成合适的杂质分布；A2、刻蚀掉牺牲氧化层，生长栅氧，然后淀积多晶硅，用光刻刻蚀形 成多晶硅栅。3、 根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方 法，其特征在于，对于绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管 SOINMOSFET器件，步骤A所述体引出注入包括用光刻胶掩蔽漏端对SOI NMOSFET器件进行高剂量和能量的硼离子 注入，用于在源极下面形成高浓度的P+区。4、 根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方 法，其特征在于，对于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管SOIPMOSFET器件，步骤A所述体引出注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：王立新，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]