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本发明涉及半导体技术中ＳＯＩ器件体接触技术领域，公开了一种实现部分耗尽ＳＯＩ器件体接触的方法，包括：Ａ．在形成多晶硅栅之后，在源极一侧进行体引出注入；Ｂ．对源漏端进行ＬＤＳ和ＬＤＤ注入，在形成一次氧化物侧墙后，进行源漏区的Ｎ＋注入，在源漏区...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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