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本发明公开了一种动态随机存取存储器的存储单元及其制造方法。存储单元包括底氧化层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、栅极以及掺杂层。底氧化层设置于基板上。第一半导体层设置于底氧化层上，并且具有第一掺杂浓度。第二半导体层设置于第一半导体层上，...
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