【技术实现步骤摘要】
本专利技术系关于一种形成非挥发性存储器的方法，特别是一种有关于形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法。
技术介绍
非挥发性存储器例如电气可抹除可编程只读存储器(Electrical ErasableProgrammable Read Only Memory)与快闪存储器均可电气抹除并重新写入数据。这些元件即使于电源切断后仍可储存数据。同样地，可抹除可编程逻辑集成电路亦利用非挥发性存储器来执行可编程逻辑功能。不过非挥发性存储器与可抹除可编程逻辑集成电路的寿命却受限于程式数据写入与抹除循环所产生的相关应力。这些元件的的寿命为数据写入与抹除循环次数。非挥发性存储器中重要的部份为场效应晶体管中的浮置栅极，此浮置栅极通常置于一连接源极与漏极的通道区域上。一控制栅极则置于浮置栅极上，并由一介电层隔离。另一种控制栅极则可由与浮置栅极隔离之邻近扩散区构成。因此浮置栅极系被绝缘介电材料包围。临限电压系为了开启晶体管并使源极与漏极导通所需施加于控制栅极的最小电压，临限电压为浮置栅极中电荷数的函数。控制栅极作为字元线以使一二维存储器阵列中被选取之存储单元可进行读取与写入的操作。...
【技术保护点】
一种形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，该方法至少包含下列步骤： 提供一衬底，该衬底具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上； 转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层； 形成一埋藏扩散区于该衬底内； 形成一第二介电层于该衬底上； 回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层； 蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠； 形成浅沟渠隔离于该沟渠； 转移一浮置栅极图案至该第一介电层与该第二介电层； 移除该第一介电层以曝露部份该垫介电层； 移除该曝露之垫介电层以暴露出该衬底；...
【技术特征摘要】
1.一种形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，该方法至少包含下列步骤提供一衬底，该衬底具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上；转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层；形成一埋藏扩散区于该衬底内；形成一第二介电层于该衬底上；回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层；蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠；形成浅沟渠隔离于该沟渠；转移一浮置栅极图案至该第一介电层与该第二介电层；移除该第一介电层以曝露部份该垫介电层；移除该曝露之垫介电层以暴露出该衬底；形成一隧道氧化层于该衬底暴露出的部份；形成一第一导体层于该隧道氧化层与该衬底上；平坦化该第一导体层以暴露出该浅沟渠隔离；形成一闸间介电层该第一导体层与该浅沟渠隔离上；及形成一第二导体层于该闸间介电层上。2.根据权利要求1所述的形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，其特征在于，所述第一导体层包含一多晶硅层。3.根据权利要求1所述的形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，其特征在于，所述第一介电层包含一氮化硅层。4.根据权利要求1所述的形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，其特征在于，所述第二介电层包含一二氧化硅层。5.根据权利要求1所述的形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，其特征在于，所述埋藏扩散区系以离子布植与热退火制造工艺形成。6.根据权利要求1所述的形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，其特征在于，所述浅沟渠隔离系通过填入一高密度电浆氧化层于该沟渠中形成。7.根据权利要求1所述的形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，其特征在于，所述第一导体层系以化学机械研磨法平坦化。8.根据权利要求1所述的形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，其特征在于，所述第一导体层与该第二导体层包含一多晶硅层。9.一种形成具有镶嵌式浮置...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊沛，钟维民，陈辉煌，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。