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本发明揭露了一种形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法。包括提供一衬底，该衬底具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上。接着转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层。然后形成一埋藏扩散区于该衬底内。接着形成一第二...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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